發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法技術(shù)

一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板，設(shè)置于該基板上的發(fā)光二極管芯片，該基板上設(shè)有彼此絕緣的第一電極和第二電極，該發(fā)光二極管芯片與該第一電極和第二電極分別形成電連接，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在該發(fā)光二極管芯片上的透光裝置，該透光裝置包括兩透明板和夾設(shè)于兩透明板之間的熒光層，且該兩透明板相互平行。本發(fā)明專利技術(shù)通過(guò)形成一透光裝置，透光裝置具有平行設(shè)置的兩透明板和夾設(shè)于兩透明板之間的熒光層，再將透光裝置設(shè)置于發(fā)光二極管芯片上，如此，可使熒光層的厚度更為均勻，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)出光更為均勻。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
技術(shù)介紹
相比于傳統(tǒng)的發(fā)光源,發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)具有重量輕、體積小、污染低、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，其作為一種新型的發(fā)光源，已經(jīng)被越來(lái)越多地應(yīng)用到各領(lǐng)域當(dāng)中，如路燈、交通燈、信號(hào)燈、射燈及裝飾燈等。在實(shí)際應(yīng)用中，需要對(duì)發(fā)光二極管芯片進(jìn)行封裝以保護(hù)發(fā)光二極管芯片。然而在一般的發(fā)光二極管芯片的封裝制程中，熒光層通常是用涂抹的方式形成在發(fā)光二極管芯片上。然而采用涂抹的方式容易導(dǎo)致熒光層厚度過(guò)厚或不均勻，從而導(dǎo)致發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)出光不均勻，出光效率低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
鑒于此，本專利技術(shù)旨在提供一種熒光層厚度均勻的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板，設(shè)置于該基板上的發(fā)光二極管芯片，該基板上設(shè)有彼此絕緣的第一電極和第二電極，該發(fā)光二極管芯片與該第一電極和第二電極分別形成電連接，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在該發(fā)光二極管芯片上的透光裝置，該透光裝置包括兩透明板和夾設(shè)于兩透明板之間的熒光層，且該兩透明板相互平行。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟提供一基板，該基板包括一底板以及設(shè)置于該底板上且彼此電性絕緣的多對(duì)第一電極和第二電極；在基板上設(shè)置若干發(fā)光二極管芯片，且每一發(fā)光二極管芯片分別與其對(duì)應(yīng)的第一電極和第二電極電連接；在基板上設(shè)置一透明覆蓋層，該透明覆蓋層密封該若干發(fā)光二極管芯片；提供一透光裝置，該透光裝置包括兩透明板和夾設(shè)于兩透明板之間的熒光層，且該兩透明板相互平行；將透光裝置覆蓋于透明覆蓋層的上方；對(duì)相鄰的兩對(duì)第一電極和第二電極之間的透光裝置和透明覆蓋層利用微影技術(shù)以及蝕刻技術(shù)進(jìn)行處理，最后對(duì)基板進(jìn)行切割得到單個(gè)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。—種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟提供一基板，該基板包括一底板以及設(shè)置于該底板上且彼此電性絕緣的多對(duì)第一電極和第二電極；在基板上設(shè)置若干發(fā)光二極管芯片，且每一發(fā)光二極管芯片分別與其對(duì)應(yīng)的第一電極和第二電極電連接；提供一透光裝置，該透光裝置包括兩透明板和夾設(shè)于兩透明板之間的熒光層，且該兩透明板相互平行；將透光裝置覆蓋于該若干發(fā)光二極管芯片的上表面；對(duì)透光裝置進(jìn)行微影技術(shù)以及蝕刻技術(shù)處理，從而使透光裝置直接間隔形成在每一發(fā)光二極管芯片的上表面；在基板上設(shè)置一透明覆蓋層，該透明覆蓋層密封該若干發(fā)光二極管芯片和間隔設(shè)置的透光裝置，最后利用切割技術(shù)得到單個(gè)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。本專利技術(shù)通過(guò)形成一透光裝置，該透光裝置具有兩透明板和夾設(shè)于兩透明板之間的熒光層，且該兩透明板相互平行，再將透光裝置設(shè)置于發(fā)光二極管芯片上，如此，可使熒光層的厚度更為均勻，從而使發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)出光更為均勻。附圖說(shuō)明圖I為本專利技術(shù)第一 實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖2為本專利技術(shù)第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟一所提供的基板的剖面示意圖。圖3為本專利技術(shù)第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟二所得到的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖4為本專利技術(shù)第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟三所得到的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖5為本專利技術(shù)第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟四所提供的透光裝置的剖面示意圖。圖6為本專利技術(shù)第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟五所得到的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖7為本專利技術(shù)第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟六所得到的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖8為本專利技術(shù)第二實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖9為本專利技術(shù)第二實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟一所提供的基板的剖面示意圖。圖10為本專利技術(shù)第二實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟二所得到的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖11為本專利技術(shù)第二實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟三所提供的透光裝置的剖面示意圖。圖12為本專利技術(shù)第二實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟四所得到的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖13為本專利技術(shù)第二實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟五所得到的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖14為本專利技術(shù)第二實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟六所得到的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明_發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu) I、Ia基板_10_第一電極_H_蛋二電極12 一 麗—13上表面_131下表面132發(fā)光二極管芯片20透明覆蓋層_30、30a透光裝置i0、40a透明板|41、41a要先層|42、42a_ 如下具體實(shí)施方式將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說(shuō)明本專利技術(shù)。具體實(shí)施例方式如圖I所示，本專利技術(shù)第一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1，其包括基板10，發(fā)光二極管芯片20，透明覆蓋層30，以及透光裝置40。基板10包括一底板13以及設(shè)置于底板13的相對(duì)兩側(cè)上的第一電極11和第二電極12。底板13由絕緣且高熱傳導(dǎo)性的材料制成，如陶瓷或是硅等。于本實(shí)施例中，底板13呈矩形的平板，其具有相對(duì)的上表面131和下表面132。第一電極11和第二電極12相對(duì)設(shè)置且電性絕緣，二者分別自底板13的上表面·131穿過(guò)底板13延伸至下表面132。第一電極11和第二電極12所用的材料為導(dǎo)電性能較好的金屬材料，如金、銀、銅、鉬、鋁、鎳、錫或鎂中的一種或幾種的合金。發(fā)光二極管芯片20設(shè)置于基板10上且分別與第一電極11和第二電極12形成電性連接。本實(shí)施例中，發(fā)光二極管芯片20是通過(guò)覆晶的方式分別與第一電極11和第二電極12形成電連接的。具體地，發(fā)光二極管芯片20設(shè)置于第一電極11和第二電極12上方且與第一電極11和第二電極12直接接觸。在其它實(shí)施例中，發(fā)光二極管芯片20也可直接設(shè)置于底板13的上表面131，再通過(guò)打線方式分別與第一電極11和第二電極12電性連接。透明覆蓋層30設(shè)置于基板10的上方且密封發(fā)光二極管芯片20。本實(shí)施例中，透明覆蓋層30大致呈平板狀，其長(zhǎng)度方向的相對(duì)兩側(cè)與基板10長(zhǎng)度方向的相對(duì)兩側(cè)大致平齊。透光裝置40設(shè)置于透明覆蓋層30的上方，且透光裝置40的相對(duì)兩側(cè)與透明覆蓋層30的相對(duì)兩側(cè)平齊。透光裝置40包括兩平行設(shè)置的透明板41和夾設(shè)于兩透明板41之間的熒光層42，透明板41的長(zhǎng)度與熒光層42的長(zhǎng)度相同。透明板41的厚度較熒光層42的厚度厚。本實(shí)施例中，熒光層42的厚度小于lOOum，透明板41為透明的陶瓷板體，可以理解地，透明板41也可為其它透明的硬質(zhì)板體。發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)I中透光裝置40設(shè)置在發(fā)光二極管芯片20上，且透光裝置40具有兩透明板41和夾設(shè)于兩透明板41之間的熒光層42，兩透明板41相互平行，如此，可使熒光層42的厚度更為均勻，從而使發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)I出光更為均勻，出光效率高。以下，將結(jié)合其他附圖對(duì)本專利技術(shù)第一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)I的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。請(qǐng)參閱圖2，首先提供一長(zhǎng)條形的基板10。基板10包括一底板13以及沿底板13的長(zhǎng)度方向上并排設(shè)置的多對(duì)第一電極11和第二電極12。底板13由絕緣且高熱傳導(dǎo)性的材料制成，如陶瓷或是硅等。本實(shí)施例中，底板13呈矩形的平板，其具有相對(duì)的上表面131和下表面132。每一對(duì)第一電極11和第二電極12相對(duì)設(shè)置且相互之間電性絕緣,二者分別自底板13的上表面131穿過(guò)底板13延伸至下表面132。第一電極11和第二電極12所用的材料為導(dǎo)電性能較好的金屬材料，本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板，設(shè)置于該基板上的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：該基板上設(shè)有彼此絕緣的第一電極和第二電極，該發(fā)光二極管芯片與該第一電極和第二電極分別形成電連接，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在該發(fā)光二極管芯片上的透光裝置，該透光裝置包括兩平行的透明板和夾設(shè)于兩透明板之間的熒光層。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板，設(shè)置于該基板上的發(fā)光二極管芯片，其特征在于該基板上設(shè)有彼此絕緣的第一電極和第二電極，該發(fā)光二極管芯片與該第一電極和第二電極分別形成電連接，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在該發(fā)光二極管芯片上的透光裝置，該透光裝置包括兩平行的透明板和夾設(shè)于兩透明板之間的熒光層。2.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置于該基板上且密封該發(fā)光二極管芯片的透明覆蓋層。3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該透光裝置設(shè)置于該透明覆蓋層的上方。4.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該透光裝置直接貼附于該發(fā)光二極管芯片的上表面，該透明覆蓋層密封該透光裝置。5.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該基板還包括一絕緣且具有高熱傳導(dǎo)性的底板，該第一電極和第二電極設(shè)置在該底板上。6.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該發(fā)光二極管芯片通過(guò)覆晶的方式分別與該第一電極和第二電極形成電連接。7.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該熒光層的厚度小于100um。8.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該透明板為透明的陶瓷板體。9.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟 提供一基板，該基板包...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：胡必強(qiáng)，許時(shí)淵，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：展晶科技深圳有限公司，榮創(chuàng)能源科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：