半導體封裝件及其制法制造技術

一種半導體封裝件及其制法，該半導體封裝件包括：具有相對的第一與第二表面的介電層、設于第一表面上的芯片、埋設于第一表面且電性連接芯片的至少二個電性接觸墊、設于第二表面上的多個植球墊、以及設于介電層中且兩端分別結合電性接觸墊與植球墊的導電柱，以借導電柱的設計，使得植球墊的位置與電性接觸墊的位置無需相互配合，因而可依需求調整植球墊的植球面積，使布線更彈性化。

【技術實現步驟摘要】
本專利技術有關一種半導體封裝件，尤指一種使布線更彈性化的半導體封裝件及其制法。
技術介紹
隨著半導體技術的演進，半導體產品已開發出不同封裝產品型態，而為追求半導體封裝件的輕薄短小，因而發展出一種四方平面無引腳(Quad Flat No leads,QFN)的封裝技術，其特征在于導腳不凸出該膠體表面。 如圖I所示，其為第7，795，071號美國專利揭示的QFN封裝件的線路結構，其通過于具有貫穿的開口 100的承載板10上形成覆蓋該開口 100 —側的絕緣層14，該絕緣層14具有外露于該開口 100的置晶側14a與相對的植球側14b,于該置晶側14a上埋設多個電性接觸墊12及導電跡線11，且于該植球側14b中埋設多個植球墊15。其中，該導電跡線11位于各該電性接觸墊12之間，且該植球墊15與該電性接觸墊12相接合于該絕緣層14中，又該電性接觸墊12用于電性連接芯片(圖未示)，而該植球墊15結合焊球(圖未示)以接置電路板(圖未示)。然而，現有線路結構中，該植球墊15與該電性接觸墊12的位置相同(中心對齊)，使得焊球布設(solder ball layout)與電性接觸墊12的位置需相互配合,造成相互牽制，所以使該植球墊15的植球面積A’受到限制(其寬度約230 μ m)而無法增加，因而降低焊球的結合力。此外，各該植球墊15之間的植球間距b’約500 μ m，且該電性接觸墊12的位置需配合該植球墊15，所以各該電性接觸墊12(徑長d’約290μπι)的間距也需配合各該植球墊15的植球間距b’，而無法增加各該電性接觸墊12的間距，導致該導電跡線11的數量受限(導電跡線11的線寬w’與線距t’均約40μπι)，如圖所示的最多兩條導電跡線11，因而難以提升布線密度。因此，如何克服現有技術于提升布線密度上的瓶頸，實為一重要課題。
技術實現思路
為克服現有技術的問題，本專利技術提出一種布線彈性化的半導體封裝件及其制法，可依需求調整植球墊的植球面積，使布線更彈性化。本專利技術所提供的半導體封裝件，包括具有相對的第一與第二表面的介電層；置于該介電層的第一表面上的半導體芯片；埋設且外露于該介電層的第一表面，并電性連接該半導體芯片的至少二個電性接觸墊；設于該介電層的第二表面上的多個植球墊；以及設于該介電層中的多個導電柱，且各該導電柱具有相對的第一端與第二端，該第一端結合該電性接觸墊，而第二端結合該植球墊，以電性連接該植球墊與該電性接觸墊。本專利技術還提供一種半導體封裝件的制法，其包括于一基板上形成至少二個電性接觸墊；形成至少二個導電柱于該電性接觸墊上；形成介電層于該基板上，以包覆該導電柱與電性接觸墊，且該介電層外露該導電柱；形成多個植球墊于該介電層與該導電柱上，以電性連接該導電柱；形成絕緣保護層于該介電層上，且該絕緣保護層外露該植球墊；貫穿該基板以形成開口，以令該開口外露該些電性接觸墊；以及置放半導體芯片于該開口中，使該半導體芯片電性連接該些電性接觸墊。本專利技術的半導體封裝件及其制法中，通過先于電性接觸墊上形成導電柱，再于導電柱上形成植球墊，使植球墊的布設與電性接觸墊的位置無需相互配合，所以該植球墊的位置及植球面積可任意調整，以增加焊球布設的設計彈性。此外，因各該電性接觸墊的間距不需配合各該植球墊的間距，所以可依需求調整各該電性接觸墊的間距，以增加電性接觸墊布設的設計彈性，使各該電性接觸墊之間可彈性化設計導電跡線的數量，進而可調整布線密度。 另外，依前述的本專利技術的半導體封裝件及其制法，本專利技術還提供其更具體的技術，詳如后述。附圖說明圖I為現有QFN封裝件的線路結構的剖面示意圖；以及圖2A至圖2G為本專利技術半導體封裝件的制法的剖面示意圖；其中，圖2E’至圖2F’為圖2E至圖2F的另一實施例。主要組件符號說明10承載板100,200 開口11，21導電跡線12，22電性接觸墊14絕緣層14a置晶側14b植球側15，25，25’ 植球墊2半導體封裝件20 基板210,230 光阻23導電柱23a 第一端23b 第二端24介電層24a 第一表面24b 第二表面250,250’表面處理層251金屬層26絕緣保護層27半導體芯片270電性連接墊28 焊線29封裝膠體A, A’植球面積b，b’植球間距d，d’ 徑長w，w’ 線寬t，t，線距。 具體實施例方式以下借由特定的具體實施例說明本專利技術的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭示的內容輕易地了解本專利技術的其它優點及功效。須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供本領域技術人員的了解與閱讀，并非用以限定本專利技術可實施的限定條件，所以不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整，在不影響本專利技術所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本專利技術所揭示的
技術實現思路
得能涵蓋的范圍內。同時，本說明書中所引用的如“上”及“一”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本專利技術可實施的范圍，其相對關系的改變或調整，在無實質變更
技術實現思路
下，也當視為本專利技術可實施的范疇。圖2A至圖2G為繪示本專利技術半導體封裝件2的制法的剖面示意圖。如圖第2A所示，提供一基板20，且進行圖案化制程，以借由光阻210外露部分基板20表面，以電鍍形成多個導電跡線21及至少二個電性接觸墊22于該基板20上，且該些導電跡線21位于該至少二個電性接觸墊22之間。如圖2B所示，進行另一圖案化制程，以于每一電性接觸墊22上借由另一光阻230而電鍍形成一導電柱23,且該導電柱23具有相對的第一端23a與第二端23b,該第一端23a結合該電性接觸墊22上。如圖2C所示，移除所有的光阻210，230，再形成具有相對的第一表面24a及第二表面24b的介電層24于該基板20上，以包覆該導電跡線21、電性接觸墊22與導電柱23。于本實施例中，該介電層24的第一表面24a結合該基板20,且該介電層24的第二表面24b外露該導電柱23的第二端23b。如圖2D所示，進行圖案化制程，以借由光阻(圖未示)而電鍍形成多個植球墊25于該介電層24的第二表面24b與該導電柱23的第二端23b上，以電性連接該導電柱23 ；再移除該光阻。接著，形成絕緣保護層26于該介電層24的第二表面24b上，且借由整平制程，使該絕緣保護層26的表面與該植球墊25的表面齊平，令該絕緣保護層26外露該些植球墊25。于本實施例中，該絕緣保護層26與介電層24為相同材質，例如封裝膠體；然而，于其它實施例中，該絕緣保護層26與介電層24可為不同材質，并無特別限制。如圖2E所示，借由蝕刻制程，貫穿該基板20以形成開口 200，且該開口 200外露該些電性接觸墊22及該介電層24的部分第一表面24a。此外，也借由蝕刻制程，使該植球墊25’微凹，令該植球墊25’的表面低于該絕緣保護層26的表面。但于其它實施例中，仍可使該絕緣保護層26的表面與該植球墊25的表面保持齊平，并無限制植球墊的高度。如圖2F所示,借由預鍍引腳框架(pre-plated lead frame, PPF)方式,形成表面處理層250于該電性接觸墊22與該植球墊25’上，且形成該表面處理層250的材料為電鍍鎳、IE及金材(Ni/Pd/Au)的合金。如圖2E’及圖2F’所示，于另一實施例中，是先以無本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種半導體封裝件，其包括：介電層，其具有相對的第一表面與第二表面；半導體芯片，其置于該介電層的第一表面上；至少二個電性接觸墊，其埋設且外露于該介電層的第一表面，并電性連接該半導體芯片；多個植球墊，其設于該介電層的第二表面上；以及多個導電柱，其設于該介電層中，且各該導電柱具有相對的第一端與第二端，該第一端結合該電性接觸墊，而第二端結合該植球墊，以電性連接該植球墊與該電性接觸墊。

【技術特征摘要】
2011.07.27 TW 1001265291.一種半導體封裝件，其包括 介電層，其具有相對的第一表面與第二表面； 半導體芯片，其置于該介電層的第一表面上； 至少二個電性接觸墊，其埋設且外露于該介電層的第一表面，并電性連接該半導體芯片; 多個植球墊，其設于該介電層的第二表面上；以及 多個導電柱，其設于該介電層中，且各該導電柱具有相對的第一端與第二端，該第一端結合該電性接觸墊，而第二端結合該植球墊，以電性連接該植球墊與該電性接觸墊。2.根據權利要求I所述的半導體封裝件，其特征在于，該半導體芯片是以打線方式電性連接該電性接觸墊。3.根據權利要求I所述的半導體封裝件，其特征在于，該封裝件還包括形成于該電性接觸墊上的表面處理層。4.根據權利要求3所述的半導體封裝件，其特征在于，形成該表面處理層的材料為鎳、鈀及金。5.根據權利要求I所述的半導體封裝件，其特征在于，該封裝件還包括形成于該植球墊上的表面處理層。6.根據權利要求5所述的半導體封裝件，其特征在于，形成該表面處理層的材料為鎳、鈀及金或有機可焊保護材。7.根據權利要求I所述的半導體封裝件，其特征在于，該封裝件還包括形成于該介電層的第一表面上的封裝膠體，以覆蓋該半導體芯片與該電性接觸墊。8.根據權利要求I所述的半導體封裝件，其特征在于，該封裝件還包括具有貫穿開口的基板，且該介電層的第一表面設于該基板上以封蓋該開口的一側。9.根據權利要求8所述的半導體封裝件，其特征在于，該半導體芯片位于該開口中，且該電性接觸墊外露于該開口。10.根據權利要求I所述的半導體封裝件，其特征在于，還包括絕緣保護層，其設于該介電層的第二表面上，且外露該植球墊。11.根據權利要求I所述的半導體封裝件，其特征在于，該封裝件還包括多個導電跡線，其埋設于該介電層的第一表面，且位于該至少二個電性接觸墊之間。12.—種半導體封裝件的制法，其包括 于一基板上形成至少二個電性接觸墊； 形成多個導電柱于該至少二個電性接觸墊上； 形成介電層于該基板上，以包覆該導電柱與電性接觸墊，且該介電層外露該導電柱； 形成多個植球墊...

【專利技術屬性】
技術研發人員：蕭惟中，林俊賢，白裕呈，洪良易，孫銘成，
申請(專利權)人：矽品精密工業股份有限公司，
類型：發明
國別省市：