襯底處理裝置和方法制造方法及圖紙

所提供的是用于處理襯底的裝置。該襯底處理裝置包括：支撐襯底的支撐板，該支撐板中具有多個(gè)孔；供給線路，其通過(guò)孔向襯底下表面供應(yīng)氣體；以及安裝在供給線路中以電離通過(guò)供給線路供應(yīng)的氣體的離子發(fā)生器。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本文中公開(kāi)的本專(zhuān)利技術(shù)涉及襯底處理裝置，更詳細(xì)地說(shuō)，涉及在平面顯示面板上執(zhí)行工藝的裝置。
技術(shù)介紹
在制造平板顯示器的各種工藝中，一些工藝是在平面顯示面板(此后被稱(chēng)為“襯底”)被放置在稱(chēng)作花崗巖平臺(tái)的支撐板上的狀態(tài)下執(zhí)行的。通過(guò)使沿著支撐板中形成的上升/下降孔而上升或下降的針上升/下降，可將襯底裝載在支撐板上或從支撐板卸下。當(dāng)執(zhí)行涉及襯底的工藝時(shí)，在襯底和支撐板之間產(chǎn)生靜電。這里，靜電在襯底和支撐板之間起吸引力作用。如果在出現(xiàn)靜電的狀態(tài)下通過(guò)使針上升/下降而強(qiáng)行卸下襯底，·會(huì)發(fā)生襯底在瞬間跳動(dòng)的現(xiàn)象。這種現(xiàn)象可導(dǎo)致襯底的損壞。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專(zhuān)利技術(shù)提供能防止襯底損壞的用于處理襯底的裝置。本專(zhuān)利技術(shù)的實(shí)施例提供用于處理襯底的裝置，該裝置包括用以支撐襯底的支撐板，支撐板中具有多個(gè)孔；供給線路，用以通過(guò)孔向襯底的下表面供氣；以及離子產(chǎn)生器，其安裝在供給線路中以電離通過(guò)供給線路供應(yīng)的氣體。在一些實(shí)施例中，該裝置還進(jìn)一步包括真空壓力施加單元，其向孔施加真空壓力；以及控制單元，其控制離子產(chǎn)生器和真空壓力施加單元，以使得在向孔施加真空壓力之后，被電離的氣體被提供至孔。在其他實(shí)施例中,氣體包括氮?dú)饣蚩諝狻Ｔ诒緦?zhuān)利技術(shù)的其他實(shí)施例中，用于處理襯底的方法包括向支撐板中形成的孔施加真空壓力，以將襯底吸在支撐板上；當(dāng)襯底被吸在支撐板上時(shí)處理該襯底；并且當(dāng)向孔施加真空壓力結(jié)束后，通過(guò)孔向襯底下表面供應(yīng)被電離的氣體。在一些實(shí)施例中，真空壓力和被電離的氣體通過(guò)相同供給線路被提供給孔。在其他實(shí)施例中,氣體包括氮?dú)饣蚩諝狻８綀D說(shuō)明文中包括附圖以提供對(duì)本專(zhuān)利技術(shù)的進(jìn)一步理解，并且附圖并入說(shuō)明書(shū)中并構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分。附圖說(shuō)明了本專(zhuān)利技術(shù)的示例性實(shí)施例并且與說(shuō)明書(shū)一起用于說(shuō)明本專(zhuān)利技術(shù)的原理。在附圖中圖I為根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的襯板處理裝置的透視圖；圖2為沿圖I中A-A’線的橫截面視圖；并且圖3至5為連續(xù)說(shuō)明襯底處理工藝的視圖。具體實(shí)施方式下文中，將結(jié)合附圖對(duì)根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)示例性實(shí)施例的襯底處理裝置和方法進(jìn)行詳細(xì)描述。此外，為了不引起對(duì)本專(zhuān)利技術(shù)主題不必要的模糊，將排除涉及公知功能或構(gòu)造的詳細(xì)描述。圖I為根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的襯底處理裝置的透視圖。圖2為沿圖I的A-A’線的橫截面視圖。參照?qǐng)DI和圖2，襯底處理裝置10執(zhí)行關(guān)于襯底P的工藝。襯底P包括平板顯示器的面板。平板顯示器的平面可以包括薄膜晶體管-液晶顯示(TFT-LCD)面板和有機(jī)發(fā)光二級(jí)管(OLED)面板。襯底處理裝置10包括支撐板100，升舉裝置200，供氣單元300，真空壓力施加單元400，以及控制單元500。支撐板100支撐襯底P。支撐板100可以作為具有方形形狀的板來(lái)提供。支撐板100具有與襯底P的大小對(duì)應(yīng)的尺寸或大于襯底P的尺寸。襯底P被放置在支撐板100的·上表面上。在支撐板100中形成孔110和120。孔110和120可以是從支撐板100的上表面至下表面形成的通孔。孔110和120包括上升/下降孔110和供氣孔120。在每個(gè)上升/下降孔110中布置升舉針200，每個(gè)上升/下降孔110提供通路，通過(guò)該通路，升舉針200垂直上升或下降。可以在支撐板100的整個(gè)區(qū)域內(nèi)均勻地提供供氣孔 120。升舉單元將襯底P裝載在支撐板100的上表面上或者從支撐板100的上表面卸下襯底P。升舉單元包括升舉針200，上升/下降板(未顯示)，以及驅(qū)動(dòng)器(未顯示)。升舉針200具有針形形狀。此外，升舉針200被垂直布置。升舉針200被插入每個(gè)上升/下降孔110中。上升/下降板被布置在升舉針200的下部上。升舉針200的下端部被固定在上升/下降板上。驅(qū)動(dòng)器在垂直方向上移動(dòng)上升/下降板。當(dāng)上升/下降板垂直移動(dòng)時(shí)，升舉針200沿每個(gè)上升/下降孔110垂直移動(dòng)。供氣單元300向每個(gè)供氣孔120中提供氣體。供氣單元300包括儲(chǔ)氣部分310，供給線路320，第一閥330，以及離子發(fā)生器340。儲(chǔ)氣部分儲(chǔ)存氣體。氣體可包括空氣或氮?dú)釴2。供給線路320將儲(chǔ)氣部分310與供氣孔120連接。供給線路320提供了用于將儲(chǔ)存在儲(chǔ)氣部分310中的氣體供給至供氣孔120中的通路。供給線路320包括主線321和輔線322。主線321具有與儲(chǔ)氣部分310連接的一個(gè)端部和分叉為多個(gè)線路的另一端部。輔線322可以被設(shè)置為多個(gè)。多個(gè)輔線322被分別連接至主線321的分支線路。輔線322將主線321分別連接至供氣孔120。第一閥330被安裝在供給線路320中。該第一閥330可以被安裝在主線321中。該第一閥330調(diào)節(jié)主線320的打開(kāi)程度以控制供應(yīng)氣體的流量。離子發(fā)生器340被安裝在供給線路320中。該離子發(fā)生器340可以被安裝在儲(chǔ)氣部分310和第一閥330之間的主線321中。離子發(fā)生器340對(duì)通過(guò)主線321傳輸?shù)臍怏w施加電壓以電離該氣體。真空壓力施加單元400向供氣孔120施加真空壓力。真空壓力施加單元400包括真空線路410，真空泵420，以及第二閥430。真空線路410連接至主線321。真空線路410可以被連接至第二閥430和輔線322之間的主線321。真空泵420被安裝在真空線路410中以產(chǎn)生真空壓力。第二閥430被安裝在主線321和真空泵420之間的真空線路420中。第二閥430調(diào)節(jié)真空線路410的打開(kāi)程度以控制所施加真空壓力的強(qiáng)度。通過(guò)連續(xù)流入真空線路410、主線321和輔線322中，真空壓力被施加至供氣孔120。施加至供氣孔120的真空壓力吸引襯底P以將襯底P固定在支撐板100的上表面上。控制單元500控制供氣單元300和真空壓力施加單元400。真空壓力被完全施加至供氣孔120之后，控制單元500控制供氣單元300和真空壓力施加單元400以使得被電離的氣體被提供至供氣孔120中。控制單元500可以單獨(dú)地并自動(dòng)地控制供氣單元300和真空壓力施加單元400。控制單元500關(guān)閉第一閥330并打開(kāi)第二閥430以將襯底P固定在支撐板100上。當(dāng)襯底P被處理時(shí)，控制單元500保持對(duì)上述閥330和430的控制。當(dāng)襯底P被處理完成時(shí)，控制單元500關(guān)閉第二閥430以防止 真空壓力被施加至供氣孔120中。與此同時(shí)，第一閥330被打開(kāi)，且離子發(fā)生器340運(yùn)行以將被電離的氣體供應(yīng)至供氣孔120中。以下將對(duì)使用上述襯底處理裝置處理襯底的方法進(jìn)行說(shuō)明。參照?qǐng)D3，要處理的襯底P被放置在支撐板100的上表面上。控制單元500關(guān)閉第一閥330，運(yùn)行真空泵420，并打開(kāi)第二閥430以向供氣孔120中施加真空壓力。真空壓力吸引襯底P以將該襯底P固定在支撐板100上。在襯底P被固定在支撐板100上的狀態(tài)下處理該襯底P。當(dāng)襯底P被處理完成時(shí)，如圖4所示，控制單元500關(guān)閉第二閥330并停止真空泵340的運(yùn)行。與此同時(shí)，第一閥230被打開(kāi)，并且離子產(chǎn)生器240運(yùn)行。儲(chǔ)存在儲(chǔ)氣部分220中的氣體當(dāng)流經(jīng)主線321時(shí)在離子發(fā)生器240中通過(guò)施加的電壓而被電離。被電離的氣體通過(guò)連續(xù)流入主線321、輔線322和供氣孔120被供應(yīng)至襯底P的下表面。氣體被提供至襯底P的下表面，持續(xù)預(yù)定時(shí)間。當(dāng)氣體被持續(xù)提供預(yù)定時(shí)間時(shí)，控制單元500關(guān)閉第一閥330并停止離子產(chǎn)生器340的運(yùn)行。參照?qǐng)D5，升舉針200沿上升/下降孔110上升以從支撐板100上卸下襯底P。當(dāng)執(zhí)行關(guān)于襯底P的工藝時(shí)，在襯底P和支撐板100之間產(chǎn)生靜電本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種襯底處理裝置，該裝置包括：支撐襯底的支撐板，所述支撐板中具有多個(gè)孔；供給線路，用以通過(guò)所述孔向所述襯底的下表面供氣；以及離子產(chǎn)生器，其被安裝在所述供給線路中以電離通過(guò)所述供給線路提供的氣體。

【技術(shù)特征摘要】
2011.07.29 KR 10-2011-0075768;2011.10.13 KR 10-201.一種襯底處理裝置，該裝置包括 支撐襯底的支撐板，所述支撐板中具有多個(gè)孔； 供給線路，用以通過(guò)所述孔向所述襯底的下表面供氣；以及 離子產(chǎn)生器，其被安裝在所述供給線路中以電離通過(guò)所述供給線路提供的氣體。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，進(jìn)一步包括 真空壓力施加單元，其向所述孔施加真空壓力；以及 控制單元，其控制所述離子產(chǎn)生器和所...

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：崔泰五，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：細(xì)美事有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：