電光裝置、電光裝置的電源供給方法以及電子設(shè)備制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)涉及電光裝置、電光裝置的電源供給方法以及電子設(shè)備，像素電路（110）包含晶體管、發(fā)光元件和電壓限制電路。在電源間串聯(lián)連接的晶體管以及發(fā)光元件中的晶體管使與柵極以及源極間的電壓對應(yīng)的電流流過發(fā)光元件，發(fā)光元件以與流過陽極、源極間的電流對應(yīng)的亮度發(fā)光。電壓限制電路以晶體管的漏極以及源極間的電壓不超過規(guī)定值的方式進行限制。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及防止晶體管的損壞的電光裝置、電光裝置的電源供給方法以及電子設(shè)備。
技術(shù)介紹
近些年,提出各種使用了有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,以下稱“OLED”)元件等發(fā)光元件的電光裝置。在該電光裝置中，一般在玻璃基板上布置掃描線和數(shù)據(jù)線，且與掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉對應(yīng)地形成像素電路。在該像素電路中除了包含上述發(fā)光元件外，還包含用于使電流流過該發(fā)光元件的驅(qū)動晶體管。因此，驅(qū)動晶體管由薄膜晶體管構(gòu)成。 另一方面，在這種電光裝置中，強烈要求小型化、高精細化。因此近些年，提出不在玻璃基板上而是在硅基板上形成像素電路的技術(shù)(例如參照專利文獻I)。專利文獻I :日本特開2009 - 152113號公報然而，在硅基板上形成像素電路的構(gòu)成中，雖然晶體管的小型化變得容易，但另一面，晶體管的耐壓降低。因此，尤其被指出因流過發(fā)光元件的電流，從而超過耐壓的電壓被施加在驅(qū)動晶體管上而導(dǎo)致其損壞的可能性。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)是鑒于上述情況而完成的，其目的之一在于提供一種防止使電流流過發(fā)光元件的驅(qū)動晶體管損壞的電光裝置、電光裝置的電源供給方法以及電子設(shè)備。為了解決上述課題，本專利技術(shù)的電光裝置具有包含驅(qū)動晶體管、發(fā)光元件和電壓限制電路的像素電路，上述驅(qū)動晶體管以及上述發(fā)光元件在電源間串聯(lián)連接，上述驅(qū)動晶體管使與柵極以及源極間的電壓對應(yīng)的電流流過上述發(fā)光元件，上述發(fā)光元件以與流過上述驅(qū)動晶體管的源極和漏極之間的電流對應(yīng)的亮度發(fā)光，上述電壓限制電路以上述驅(qū)動晶體管的漏極以及源極間的電壓不超過規(guī)定值的方式進行限制。為了解決上述課題，本專利技術(shù)的電光裝置具有包含驅(qū)動晶體管、發(fā)光元件和電壓限制電路的像素電路，上述驅(qū)動晶體管以及上述發(fā)光元件在電壓可變的電源間串聯(lián)連接，上述驅(qū)動晶體管使與柵極以及源極間的電壓對應(yīng)的電流流過上述發(fā)光元件，上述發(fā)光元件以與流過上述驅(qū)動晶體管的源極和漏極之間的電流對應(yīng)的亮度發(fā)光，上述電壓限制電路以上述驅(qū)動晶體管的漏極以及源極間的電壓不超過規(guī)定值的方式進行限制。根據(jù)本專利技術(shù)，能夠防止使電流流過發(fā)光元件的驅(qū)動晶體管的損壞。在本專利技術(shù)中，優(yōu)選上述電壓限制電路是一端與上述驅(qū)動晶體管和上述發(fā)光元件的連接點連接，另一端與規(guī)定電位的供電線連接的二極管。在該構(gòu)成中，優(yōu)選上述二極管是進行二極管連接的晶體管或者二極管元件的方式。根據(jù)該方式，作為在像素電路中追加的二極管，是晶體管或者二極管元件即可。另外，在該構(gòu)成中，可以為上述供電線是上述電源的一方，供給與以上述發(fā)光元件的兩端子中與上述驅(qū)動晶體管的非連接點的電位為基準的電壓、上述發(fā)光元件的閾值電壓以及上述二極管的閾值電壓的和相當?shù)碾娢坏臉?gòu)成。根據(jù)該構(gòu)成，即便使電源電壓變化，在追隨該變化的狀態(tài)下也能夠以驅(qū)動晶體管的漏極以及源極間的電壓不超過規(guī)定值的方式進行限制。另外，在本專利技術(shù)中，優(yōu)選上述像素電路被與多個掃描線和多個數(shù)據(jù)線的交叉對應(yīng)地設(shè)置，上述多個掃描線、上述多個數(shù)據(jù)線和上述像素電路形成于同一基板，上述掃描線被選擇時，上述數(shù)據(jù)線的電位被上述驅(qū)動晶體管的柵極保持的構(gòu)成。在該方式中，優(yōu)選在上述基板形成用于獲得上述發(fā)光元件的閾值電壓的第I元件，以及用于獲得上述二極管的閾值電壓的第2元件的方式。根據(jù)該方式，第I元件以及第2元件與發(fā)光元件以及二極管一起形成于相同的基板。 在本專利技術(shù)中，優(yōu)選上述發(fā)光元件具備像素電極以及共用電極，上述像素電極經(jīng)由上述驅(qū)動晶體管，與被施加了固定電位的電源線連接，通過可變地設(shè)定上述共用電極的電位，構(gòu)成上述電壓可變的電源的構(gòu)成。此外，本專利技術(shù)除了能夠涉及電光裝置外，還能夠涉及電光裝置的電源供給方法、具有該電光裝置的電子設(shè)備。對于電子設(shè)備而言，典型地能夠列舉頭戴式顯示器、電子取景器等顯示裝置。附圖說明圖I是表示本專利技術(shù)的實施方式的電光裝置的立體圖。圖2是表示電光裝置的各部的配置的俯視圖。圖3是表示電光裝置的電氣構(gòu)成的框圖。圖4是表示電光裝置的像素電路的圖。圖5是表不電光裝置的偏壓產(chǎn)生電路的圖。圖6是表示電光裝置的動作的圖。圖7是表示電光裝置的各種電位的圖。圖8是表示驅(qū)動晶體管和OLED的動作點的圖。圖9是表示應(yīng)用、變形例的電光裝置(其I)的像素電路的圖。圖10是表示應(yīng)用、變形例的電光裝置(其2)的像素電路的圖。圖11是表示應(yīng)用、變形例的電光裝置(其3)的構(gòu)成的圖。圖12是表示使用了實施方式的電光裝置的HMD的立體圖。圖13是表示HMD的光學構(gòu)成的圖。圖14是表示比較例的像素電路的圖。圖15是表示比較例的驅(qū)動晶體管和OLED的動作點的圖。具體實施例方式以下，參照附圖對用于實施本專利技術(shù)的方式進行說明。圖I是表示本專利技術(shù)的實施方式的電光裝置I的立體圖。該圖所示的電光裝置I例如包含適用于頭戴式顯示器(HMD)來顯示圖像的微型顯示器10。如后所述，微型顯示器10是在硅基板上形成了多個像素電路和驅(qū)動該像素電路的外圍電路等的有機EL裝置，像素電路包含OLED。微型顯示器10被收納在與像素電路的排列區(qū)域?qū)?yīng)地開口的殼體12，且連接FPC(Flexible Printed Circuits :撓性電路板)基板14的一端。在FPC基板14的另一端設(shè)置有多個端子16，與圖示省略的電路模塊連接。而且，與端子16連接的電路模塊兼具微型顯示器10的電源以及控制電路，除了經(jīng)由FPC基板14供給各種電位外，還供給數(shù)據(jù)信號、控制信號等。圖2是表示在微型顯示器10中各部的配置的俯視圖，圖3是表示微型顯示器10中的電氣構(gòu)成的框圖。而且，在圖2中，為便于說明，設(shè)為取下圖I中的殼體12的狀態(tài)。在圖2中，顯示部100為俯視時例如對角為I英寸以下，且左右方向橫長的長方形形狀。詳細而言，若參照圖3，則在顯示部100中在圖中沿左右方向設(shè)置有m行掃描線112，沿上下方向且以與各掃描線112保持相互電絕緣的方式設(shè)置有η列數(shù)據(jù)線114。像素電路110與m行掃描線112和η列數(shù)據(jù)線114的各交叉對應(yīng)而排列成矩陣狀。 m、η均為自然數(shù)。而且，往往為了便于區(qū)別掃描線112以及像素電路110矩陣中的行，在圖3中從上按順序稱為1、2、3、…、(m — l)、m行。同樣往往為了便于區(qū)別數(shù)據(jù)線114以及像素電路110矩陣的列，在圖3中從左按順序稱為1、2、3、…、(η — 1)、η列。如圖2所示，2個掃描線驅(qū)動電路140分別配置在顯示部100的左右兩側(cè)。詳細而言，如圖3所示，2個掃描線驅(qū)動電路140為分別從兩側(cè)驅(qū)動m行掃描線112的每一個的構(gòu)成。掃描線驅(qū)動電路140的各個被上述電路模塊供給相同的控制信號Ctry，向第1、2、3、…、(m— l)、m行的掃描線112分別供給相同的掃描信號Gwr (l)、Gwr (2)、Gwr (3)、…、Gwr (m-1)> Gwr (m)。而且，在該供給時，若掃描信號的延遲不會成為問題，則可以為僅在單側(cè)設(shè)置一個掃描線驅(qū)動電路140的構(gòu)成。如圖2所示，將數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路150配置在FPC基板14的連接處和顯示部100之間。如圖3所示，從上述電路模塊向數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路150供給圖像信號Vd、控制信號Ctrx。數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路150根據(jù)控制信號Ctrx，將圖像信號Vd作為數(shù)據(jù)信號Vd (I)、Vd (2)、Vd(3)、…、Vd (n_l)、Vd (η)供給至第 1、2、3、…、(η — I)、η 列的本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種電光裝置，其特征在于，具有包含驅(qū)動晶體管、發(fā)光元件和電壓限制電路的像素電路，所述驅(qū)動晶體管以及所述發(fā)光元件在電源間串聯(lián)連接，所述驅(qū)動晶體管使與柵極以及源極間的電壓對應(yīng)的電流在所述發(fā)光元件中流動，所述發(fā)光元件以與在所述驅(qū)動晶體管的源極和漏極之間流動的電流對應(yīng)的亮度發(fā)光，所述電壓限制電路以所述驅(qū)動晶體管的漏極以及源極間的電壓不超過規(guī)定值的方式進行限制。

【技術(shù)特征摘要】
2011.07.26 JP 2011-1633161.一種電光裝置，其特征在于， 具有包含驅(qū)動晶體管、發(fā)光元件和電壓限制電路的像素電路， 所述驅(qū)動晶體管以及所述發(fā)光元件在電源間串聯(lián)連接， 所述驅(qū)動晶體管使與柵極以及源極間的電壓對應(yīng)的電流在所述發(fā)光元件中流動， 所述發(fā)光元件以與在所述驅(qū)動晶體管的源極和漏極之間流動的電流對應(yīng)的亮度發(fā)光，所述電壓限制電路以所述驅(qū)動晶體管的漏極以及源極間的電壓不超過規(guī)定值的方式進行限制。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電光裝置，其特征在于， 所述電壓限制電路是一端與所述驅(qū)動晶體管和所述發(fā)光元件的連接點連接，另一端與規(guī)定電位的供電線連接的二極管。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電光裝置，其特征在于， 所述二極管是進行二極管連接的晶體管或者二極管元件。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的電光裝置。其特征在于， 所述供電線是所述電源的一方，供給與以所述發(fā)光元件的兩端子中與所述驅(qū)動晶體管的非連接點的電位為基準的電壓、所述發(fā)光元件的閾值電壓以及所述二極管的閾值電壓的和相當?shù)碾娢弧?.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任意一項所述的電光裝置，其特征在于， 所述像素...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：北澤幸行，
申請(專利權(quán))人：精工愛普生株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：