一種拋光墊包括：拋光層，該拋光層具有拋光表面；粘著層；該粘著層位于拋光層的一側而與拋光表面相對；以及固態光透射窗，該固態光透射窗延伸穿透拋光層并成型于拋光層。固態光透射窗具有上方部分，該上方部分具第一橫向尺寸，固態光透射窗并具有下方部分，該下方部分具小于第一橫向尺寸的第二橫向尺寸。固態光透射窗的頂表面與拋光表面共平面，且固態光透射窗的底表面與粘著層的下表面共平面。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
描述了一種帶有窗的拋光墊、含有該拋光墊的系統，以及用以制造并使用該拋光墊的工藝。背景在制造現代半導體集成電路(IC)的工藝中，經常需要將基板的外表面平坦化。舉例而言，可能需要平坦化以拋除導電填充層，直到下方層的頂表面暴露為止，在絕緣層的凸起圖案之間留下導電材料，以形成通孔、栓塞以及線路，這些通孔、栓塞以及線路在基板上的薄膜電路之間提供導電路徑。此外，可能需要平坦化來整平并打薄氧化物層，以提供適用于光刻法的平整表面。達成半導體基板平坦化或表面形貌移除的一種方法是化學機械拋光(chemicalmechanical polishing ;CMP)。常規的化學機械拋光(CMP)工藝涉及在研磨衆液存在的情況下，將基板壓抵旋轉的拋光墊。 通常，為了決定是否要停止拋光，有需要檢測何時已達成期望表面平坦度或層厚度，或何時已暴露出下方層。已開發了許多技術用于在CMP工藝期間進行終點的原位檢測。舉例而言，用以在層的拋光期間原位測量基板上的層的均勻度的光學監視系統已被應用。光學監視系統可包括光源，該光源可在拋光期間導引光束朝向基板；檢測器，該檢測器可測量反射自基板的光；以及計算機，該計算機可分析來自檢測器的信號，并計算是否已檢測到終點。在某些CMP系統中，光束通過拋光墊中的窗導被引朝向基板。
技術實現思路
可將窗接附至拋光墊的下側，致使窗的一部分支撐于平臺中的凹槽中。這可容許窗與拋光墊之間的大表面積接觸，以便增加窗與拋光墊之間的接合強度。在一方面中，拋光設備包括平臺，該平臺具有平坦上表面，形成于上表面中的凹槽，該凹槽具有底表面，以及連接至凹槽的底表面的通道，拋光設備還包括拋光墊，該拋光墊包含拋光層、拋光表面、下側、以及穿過該下側的開孔，開孔具有較凹槽小的橫向尺寸，開孔對準通道。固態光透射窗具有第一部分，第一部分至少部分地安置在拋光墊中的開孔中，固態光透射窗還具有第二部分，第二部分至少部分地安置在平臺中的凹槽中，第二部分具有較第一部分大的橫向尺寸，并于拋光層下方延伸，窗的第二部分粘著性地接附至拋光墊的下側。本專利技術的實現可包括一或多個以下特征。窗的第一部分可塞住拋光墊中的開孔。窗的第一部分的頂表面可與平臺的上表面共平面。凹槽的底表面可平行于平臺的上表面。窗的第二部分的下表面可接觸凹槽的下表面。窗的第二部分的下表面可不黏附至凹槽的下表面。拋光設備也可包括跨越拋光層的粘著層。粘著層可包括雙面粘著帶。粘著層可鄰接拋光層。拋光墊的下側可藉由粘著層粘著性地接附至平臺的上表面。窗的第二部分的頂表面可藉由粘著層粘著性地接附至拋光墊的下側。窗的第二部分的頂表面可粘著性地接附至拋光墊的下側。拋光墊可包括拋光層。拋光墊可包括拋光層以及下方層，下方層較拋光層更為不可壓縮。第二部分可具有較第一部分大二至十倍，例如約八倍，的橫向尺寸。窗的第二部分可側向填充平臺中的凹槽。拋光墊可具有小于Imm的厚度。拋光設備也可包括光學纖維，該光學纖維處在通道中并經安置以通過窗的第一部分導引或接收光。光學纖維可較窗的第一部分更寬。凹槽的側邊可為傾斜的，且窗的第二部分的側邊可為傾斜的。在另一方面中，組裝供拋光設備所用的窗的方法包括下列步驟穿過拋光墊形成開孔，該拋光墊包含拋光層，該拋光層具有拋光表面以及下側；形成固態光透射窗，該固態光透射窗具有第一部分以及第二部分，第二部分具有大于第一部分的橫向尺寸；將窗的第一部分插入拋光墊的開孔；將窗的第二部分的頂表面接附至拋光墊的下側；以及將拋光墊及窗安置于平臺上，致使窗的第二部分裝配入平臺的平坦上表面中的凹槽，且拋光墊的下側粘附至平臺的平坦上表面。本專利技術的實現可包括一或多個以下特征。粘劑層可形成于拋光層的底部上，且襯里覆蓋該粘劑，襯里的一部分于開孔周圍被移除，且窗的第二部分的頂表面可于襯里的被移除部分中接觸粘劑。·本專利技術的實現可包括以下潛在優點。可在窗與薄拋光墊之間形成強接合，減少漿液滲漏的可能性，并減少因來自受拋光基板的剪力導致窗被拉離拋光墊的可能性。此外，拋光墊可增進自基板所反射的光譜的晶片對晶片一致性，特別是在短波長下。一或多個實施例的細節將于隨附圖式及以下描述中闡明。將可從說明書及附圖以及權利要求中明了本專利技術的其它方面、特征及優點。附圖說明圖I為含有拋光墊的CMP設備的剖面視圖。圖2為帶有窗的拋光墊的實施例的頂視圖。圖3A為圖2的拋光墊安裝于平臺上的剖面視圖。圖3B為圖2的拋光墊的剖面視圖。圖4至7圖示形成拋光墊的方法。圖8為安裝于平臺上的拋光墊的另一實現的剖面視圖。多個附圖中的相似元件符號指示相似元件。具體實施例方式可將窗接附至拋光墊的下側，致使窗的一部分支撐于平臺中的凹槽中。這可容許窗與拋光墊之間的大表面積接觸，以便增加窗與拋光墊之間的接合強度。如圖I所示，CMP設備10包括拋光頭12，用以抓持半導體基板14抵靠平臺16上的拋光墊18。CMP設備可如美國專利第5，738，574號中所描述般進行建構，該美國專利的完整揭露內容以參照方式并入本文。基板可以是，例如，產品基板(如，包括多個存儲器或處理器管芯的產品基板)、測試基板、裸基板、以及門控基板(gating substrate)。基板可處在集成電路制造的各種階段，如，基板可為裸晶片，或基板可包括一或多個沉積及/或圖案化層。術語基板可包括圓形碟盤及矩形片材。拋光墊18的有效部分可包括拋光層20,拋光層20帶有拋光表面24以及底表面22，拋光表面24用于接觸基板，且底表面22藉由粘著層28 (如，粘著帶)固定至平臺16。粘著層28可為壓感粘劑。除了粘著帶及任何襯里之外，拋光墊可例如由單層墊所構成，其中拋光層20可以適用于化學機械拋光工藝的薄耐用材料所形成。因此，拋光墊的層可由單層拋光層20以及粘著層28 (以及可任選的襯里，該襯里可在拋光墊安裝至拋光平臺上時被移除)所構成。拋光層20可例如由發泡聚氨酯所構成，且在拋光表面24上有至少一些開孔。粘著層28可為雙面粘著帶，例如，兩側皆有粘劑(如，壓感粘劑)的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄層(如，Mylar )。此拋光墊可獲得自日本東京的Fujibo，該拋光墊商標名稱為H7000HN。參見圖2，在某些實現中，拋光墊18具有15. O英寸(381.00mm)至15. 5英寸(393. 70mm)的半徑R，并具有30英寸至31英寸的相應直徑。在某些實現中，拋光墊18可具有21. O英寸(533. 4mm)至21. 5英寸(546. Imm)的半徑，并具有42英寸至43英寸的相 應直徑。參見圖3A，在某些實現中，可于拋光表面24中形成溝槽26。溝槽可呈現“華夫餅(waffle) ”圖案，例如，具傾斜側壁的垂直溝槽的交叉影線圖案將拋光表面分割為多個矩形(如，正方形)區域。回到圖1，典型地，拋光墊材料可以化學拋光液30弄濕，化學拋光液30可包括研磨顆粒。舉例而言，衆液可包括氫氧化鉀(potassium hydroxide ;Κ0Η)以及熱解二氧化娃(fumed-silica)顆粒。然而，某些拋光工藝可為“無研磨的(abrasive-free)”。在平臺繞著平臺的中心軸旋轉時，拋光頭12施壓至基板14，使基板14抵靠拋光墊18。此外，拋光頭12通常繞著拋光頭12的中心軸旋轉，并通過傳動軸或平移臂32而平移跨越平臺16的表面。基板與本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...
【專利技術屬性】
技術研發人員：B·A·斯韋德克，D·J·本韋格努，
申請(專利權)人：應用材料公司，
類型：
國別省市：
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