本發(fā)明專利技術(shù)為固態(tài)儲存裝置及其相關控制方法。此固態(tài)裝置中包括一控制電路、一溫度檢測電路、以及多個晶粒，其中該些晶粒被區(qū)分為n個部分使得該控制電路利用n個IO總線存取該些晶粒，該控制電路還連接至該溫度檢測電路以檢測該固態(tài)裝置的溫度。此固態(tài)儲存裝置的控制方法包括下列步驟：判斷該固態(tài)儲存裝置的溫度是否高于一預設溫度；以及，當該固態(tài)儲存裝置溫度高于該預設溫度時，降低該n個IO總線中的n個時鐘信號頻率。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)是有關于一種，且特別是有關于一種處于高溫之下固態(tài)儲存裝置的相關控制方法。
技術(shù)介紹
固態(tài)儲存裝置(SolidState Drive, SSD)中以使用與門閃存(NAND flashmemory)為主要存儲元件，而此類的閃存為一種非易失性(non-volatile)的存儲器元件。也就是說，當數(shù)據(jù)寫入閃存后，一旦系統(tǒng)電源關閉，數(shù)據(jù)仍保存在閃存中。現(xiàn)今的固態(tài)儲存裝置容量越來越大，存取速度越來越快，并且可使用于各種環(huán)境。以工業(yè)用途的固態(tài)儲存裝置規(guī)格為例，必需能夠在低溫環(huán)境與高溫環(huán)境(例如-40°C +850C )中皆能夠正常運作。然而，在高溫的工作環(huán)境之下，固態(tài)儲存裝置系統(tǒng)經(jīng)常發(fā)生不穩(wěn)定的現(xiàn)象，使得固態(tài)儲存裝置寫入數(shù)據(jù)或者讀取數(shù)據(jù)出現(xiàn)錯誤情形。因此，提出高溫環(huán)境下的固態(tài)儲存裝置的控制方法并解決上述系統(tǒng)不穩(wěn)定的現(xiàn)象，即為本專利技術(shù)所欲解決的問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)提出一種固態(tài)裝置的控制方法，該固態(tài)裝置中包括一控制電路、一溫度檢測電路、以及多個晶粒，其中該多個晶粒被區(qū)分為η個部分使得該控制電路利用η個IO總線存取該多個晶粒，該控制電路還連接至該溫度檢測電路以檢測該固態(tài)裝置的溫度，該控制方法包括下列步驟判斷該固態(tài)儲存裝置的溫度是否高于一預設溫度；以及，當該固態(tài)儲存裝置溫度高于該預設溫度時，降低該η個IO總線中的η個時鐘信號頻率。本專利技術(shù)還提出一種固態(tài)裝置的控制方法，該固態(tài)裝置中包括一控制電路、一溫度檢測電路、以及多個晶粒，其中該多個晶粒被區(qū)分為η個部分使得該控制電路利用η個IO總線存取該多個晶粒，該控制電路還連接至該溫度檢測電路以檢測該固態(tài)裝置的溫度，該控制方法包括下列步驟判斷該固態(tài)儲存裝置的溫度是否高于一預設溫度；以及，當該固態(tài)儲存裝置溫度高于該預設溫度時，降低該控制電路的一操作頻率。本專利技術(shù)還提出一種固態(tài)裝置的控制方法，該固態(tài)裝置中包括一控制電路、一溫度檢測電路、以及多個晶粒，其中該多個晶粒被區(qū)分為η個部分使得該控制電路利用η個IO總線存取該多個晶粒，該控制電路還連接至該溫度檢測電路以檢測該固態(tài)裝置的溫度，該控制方法包括下列步驟判斷該固態(tài)儲存裝置的溫度是否高于一預設溫度；以及，當該固態(tài)儲存裝置溫度高于該預設溫度時，于產(chǎn)生二個指令周期之間延遲一預設時間；其中，該控制電路存取單一晶粒時需產(chǎn)生單一指令周期。為了對本專利技術(shù)的上述及其它方面有更佳的了解，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。附圖說明圖Ia所繪示本專利技術(shù)固態(tài)儲存裝置示意圖。圖Ib所繪示為控制電路寫入數(shù)據(jù)至閃存IC中一個4G晶粒的信號示意圖。圖Ic所繪示為閃存中的控制電路以最高速來寫入數(shù)據(jù)時的信號示意圖。圖2所繪示為本專利技術(shù)固態(tài)儲存裝置的控制方法。10 80:閃存 IC11 14、21 24、31 34、41 44、51 54、61 64、71 74、81 84 4G 晶粒92:控制電路94:溫度檢測電路95 :時鐘合成器97 :振蕩電路100:固態(tài)儲存裝置具體實施例方式請參照圖la，其所繪示為本專利技術(shù)固態(tài)儲存裝置示意圖。一般來說，為了提高固態(tài)儲存裝置100的容量，會在固態(tài)儲存裝置100的電路板上裝設多個閃存IC 10 80。以圖lal28G bytes固態(tài)儲存裝置100為例，該固態(tài)儲存裝置100利用一外部總線(例如STAT總線)連接至主機(host)。該固態(tài)儲存裝置100包括8個閃存IC 10 80、控制電路92、振蕩電路(oscillator) 97、溫度檢測電路94。其中，每個閃存IC 10 80內(nèi)皆包含4顆4G bytes的晶粒(die)。溫度檢測電路94，例如熱敏電阻(thermistor)可提供外圍溫度信號至控制電路92。控制電路92中包括了一時鐘合成電路(clock synthesizer) 95，可接收振蕩電路97的振蕩信號(osc)產(chǎn)生各種時鐘信號。由圖Ia可知，第一閃存IC(ICl) 10包括4個4G晶粒11 14，每個晶粒分別連接至晶粒選擇信號CEO CE3 ;同理，其它閃存IC 20 80中的4個4G晶粒21 84也分別連接至晶粒選擇信號CEO CE3。再者，該控制電路92具有8通道(channel) 10總線10O 107，各別連接至8個閃存IC 10 80。再者，每個10總線上會有各自的數(shù)據(jù)線(data line)與時鐘線(clockline)。也就是說，圖Ia所示的固態(tài)儲存裝置100有8組時鐘線以及8組數(shù)據(jù)線。請參照圖lb，其所繪示為控制電路92寫入數(shù)據(jù)至閃存IC其中一個4G晶粒的信號示意圖。在實際的運作上，控制電路的操作時鐘為275MHz，而10總線中的時鐘信號(CLK)速度為200MHz或者更高。如圖Ib所示，時間區(qū)間(time period) A為指令周期(command cycle),首先晶粒選擇信號CE致能該4G晶粒，而控制電路92會在數(shù)據(jù)線(Data line)上依序產(chǎn)生一指令及地址周期(command and address cycle)以及一數(shù)據(jù)及指令寫入周期(data and commandwrite cycle)。該指令周期的時間區(qū)間A約在30 80 μ s。于指令周期之后即為數(shù)據(jù)寫入周期(data write cycle)。此時,4G晶粒已經(jīng)接收到寫入地址與寫入數(shù)據(jù)。而4G晶粒需利用數(shù)據(jù)寫入周期的時間區(qū)間B來執(zhí)行寫入(program)操作。也就是說，在寫入周期的時間區(qū)間B中，為4G晶粒的忙碌狀態(tài)(busystate),亦即不可發(fā)出任何指令來存取該4G晶粒。而該時間區(qū)間B在I 3ms。由于寫入4G晶粒的時間區(qū)間B遠大于時間區(qū)間A。因此，為了要達成快閃儲存裝置100的最大存取速度，有可能在同一個時間點上所有的4G晶粒全部在數(shù)據(jù)寫入周期中進行寫入操作。而此時正是固態(tài)儲存裝置100耗電流最高，產(chǎn)生熱量最大的時刻。請參照圖lc，其所繪示為閃存中的控制電路以最高速來寫入數(shù)據(jù)時的信號示意圖。于第零晶粒選擇信號(CEO)操作時，第一 IO總線(IOl)的數(shù)據(jù)線(Datal)上發(fā)出指令周期至4G晶粒11。而于時間區(qū)間B，為4G晶粒11的數(shù)據(jù)寫入周期且處于忙碌狀態(tài)。由于時間區(qū)間B遠大于時間區(qū)間A。因此，在4G晶粒11的數(shù)據(jù)寫入周期中，控制電路92利用晶粒選擇信號(CEO CE3)以及IO總線(100 107)，可依照由左至右，由上而下的次序連續(xù)發(fā)出31個指令周期至31個4G晶粒21 84。很明顯地，當最后一個指令周期發(fā)出后，所有的4G晶粒11 84皆在數(shù)據(jù)寫入周期，亦即皆在忙碌狀態(tài)。因此，固態(tài)儲 存裝置100耗電流最高，產(chǎn)生熱量最大。上述僅是介紹固態(tài)儲存裝置以最高速來執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入。以相同的方式，也可以以最高速來執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取操作以及數(shù)據(jù)抹除操作。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例，于固態(tài)儲存裝置100中利用溫度檢測電路94來持續(xù)檢測固態(tài)儲存裝置100的外圍溫度。當外圍溫度超過一預設溫度時，例如70°c，啟動保護動作，并且讓系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況不會出現(xiàn)。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例，于保護動作時的第一控制機制是控制時鐘合成器95以降低IO總線100 107上8個時鐘信號的頻率，例如由200MHz降低至166MHz。使得固定的時間區(qū)間中，處于數(shù)據(jù)寫入周期的4G晶粒的數(shù)目有效地降低。如此，即可以有效地降低固態(tài)儲存裝置100產(chǎn)本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種固態(tài)裝置的控制方法，該固態(tài)裝置中包括一控制電路、一溫度檢測電路以及多個晶粒，其中該多個晶粒被區(qū)分為n個部分使得該控制電路利用n個IO總線存取該多個晶粒，該控制電路還連接至該溫度檢測電路以檢測該固態(tài)裝置的溫度，該控制方法包括下列步驟：判斷該固態(tài)儲存裝置的溫度是否高于一預設溫度；以及當該固態(tài)儲存裝置溫度高于該預設溫度時，降低該n個IO總線中的n個時鐘信號頻率。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：蔡松峰，徐正煜，呂仕強，
申請(專利權(quán))人：建興電子科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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