等離子體耐蝕性構件制造技術

本實用新型專利技術涉及等離子體耐蝕性構件。本實用新型專利技術的課題是抑制在升溫至700℃后的薄膜與基材的界面產生裂紋。作為解決方案，本實用新型專利技術的等離子體耐蝕性構件是在氮化硅燒結體、氮化鋁燒結體、氧化鋁燒結體或碳化硅燒結體的基材的表面上形成有釔化合物或尖晶石的薄膜的等離子體耐蝕性構件，在前述薄膜的表面上形成有為了支撐晶片而設置的多個凸部，前述薄膜中的形成有前述凸部的部分的膜厚a2相對于未形成前述凸部的部分的膜厚a1的比率a2／a1滿足1＜a2／a1＜1.6。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及等離子體耐蝕性構件。
技術介紹
以往，作為等離子體耐蝕性構件，已知以氮化鋁燒結體為母材，在該母材中的暴露于等離子體的表面上形成有氧化釔薄膜的構件(例如專利文獻I)?，F有技術文獻專利文獻專利文獻I :日本特開2000 - 129388號公報
技術實現思路
技術要解決的課題然而，在使用氮化硅燒結體、氮化鋁燒結體、氧化鋁燒結體或碳化硅燒結體的基材作為構成構件的情況下，升溫至700°C時，有時在氧化釔薄膜與構成構件的界面產生裂紋。本技術是為了解決這樣的課題而作出的，主要目的在于防止在升溫至700°C后的薄膜與基材的界面產生裂紋。解決課題的方案本技術的等離子體耐蝕性構件為，在氮化硅燒結體、氮化鋁燒結體、氧化鋁燒結體或碳化硅燒結體的基材的表面上形成有釔化合物或尖晶石的薄膜的等離子體耐蝕性構件，在前述薄膜的表面上形成有為了支撐晶片而設置的多個凸部，前述薄膜中的形成有前述凸部的部分的膜厚a2相對于未形成前述凸部的部分的膜厚al的比率a2 / al滿足I < a2 / al < I. 6。技術的效果根據本技術，可得到在升溫至700°C后的薄膜與基材的界面不產生裂紋這樣的效果。特別是在比率a2 / al滿足I. 17 ^ a2 / al ^ I. 50的情況下，可以確實地得到該效果。附圖說明圖I是等離子體耐蝕性構件的部分剖面圖。具體實施方式本技術的等離子體耐蝕性構件是在氮化硅燒結體、氮化鋁燒結體、氧化鋁燒結體或碳化硅燒結體的基材的表面上形成有釔化合物或尖晶石的薄膜的構件，在薄膜的表面上形成有為了支撐晶片而設置的多個凸部，該薄膜中的形成有凸部的部分的膜厚a2相對于未形成凸部的部分的膜厚al的比率a2 / al滿足I < a2 / al < I. 6。本技術的等離子體耐蝕性構件中，比率a2 / al更優選滿足I. 17 ^ a2 /al ^ I. 50。本技術的等離子體耐蝕性構件中，釔化合物優選為氧化釔、YAG、YAM或YAL0另外，YAG為Y3Al5O12 (3Υ203 · 5Α1203)，是具有石榴石晶體結構的物質。YAL為YAlO3(Y2O3 ·Α1203)，是具有鈣鈦礦晶體結構的物質。YAMS Y4Al2O9 (2Υ203 ·Α1203)，是單斜晶系的物質。本技術的等離子體耐蝕性構件中，薄膜優選為在基材的表面上通過噴鍍、離子鍍、蒸鍍、溶膠凝膠法或CVD形成的膜。本技術的等離子體耐蝕性構件中，凸部優選為圓柱狀。本技術的等離子體耐蝕性構件中，薄膜的平均厚度優選為5 100 μ m，優選為不足基材的厚度的I %。另外，在薄膜的角部形成有段差的情況下，其段差高的部分的膜厚相對于段差低的部分的膜厚的比率優選大于I小于I. 6。·本技術的等離子體耐蝕性構件中，基材的厚度優選為3 20mm。本技術中，要求耐蝕性的環境為鹵素氣體氣氛或鹵素等離子體氣體氣氛。實施例制作6種在氮化鋁燒結體的基材的表面上形成有氧化釔的薄膜的等離子體耐蝕性構件。制作步驟如下。首先，制造直徑為350mm、平均厚度20mm的氮化鋁燒結體。具體而言，對于平均粒徑I μ m、純度99. 9%的氮化鋁粉末，添加平均粒徑I. 5 μ m、純度99. 9%的氧化釔粉末5重量％并混合，對混合粉末以IOOkgf / cm2進行單軸加壓成型。通過熱壓法將該成型體燒結，得到氮化鋁燒結體。接著，在該氮化鋁燒結體的整面噴鍍純度99. 9重量％的氧化釔。其結果，得到整面被氧化釔噴鍍膜包覆的氮化鋁燒結體。接下來，使用掩模進行噴射(寸7 ^卜)加工，形成用于支撐晶片的壓花部分(直徑Φ 2. 0mm)o此時的噴射加工參考日本特開平4 一 304941號公報而進行。按照以上的步驟，制作表I所示的實驗NO. I — I I 一 6的等離子體耐蝕性構件。將所得的等離子體耐蝕性構件的部分剖面圖示于圖I。另外，將各等離子體耐蝕性構件在大氣中升溫至700°C，研究升溫后在氮化鋁燒結體與氧化釔噴鍍膜的界面是否產生裂紋。這樣做時，比率a2 / al為I. 6以上的構件產生了裂紋，I. 5以下構件未產生裂紋。另外，實驗NO. I — 3、I — 4、I — 6相當于本技術的實施例，實驗NO. I — I、I — 2、I — 5相當于本技術的比較例。表I權利要求1.一種等離子體耐蝕性構件，其特征在于，其為在氮化硅燒結體、氮化鋁燒結體、氧化鋁燒結體或碳化硅燒結體的基材的表面上形成有釔化合物或尖晶石的薄膜的等離子體耐蝕性構件， 在所述薄膜的表面上形成有為了支撐晶片而設置的多個凸部， 所述薄膜中的形成有所述凸部的部分的膜厚a2相對于未形成所述凸部的部分的膜厚al 的比率 a2 / al 滿足 I < a2 / al < I. 6。2.如權利要求I所述的等離子體耐蝕性構件，其特征在于，所述比率a2/ al滿足I.17 ≤ a2 / al ≤ I. 50。3.如權利要求I所述的等離子體耐蝕性構件，其特征在于，所述釔化合物為氧化釔、YAG、YAM 或 YAL。4.如權利要求I所述的等離子體耐蝕性構件，其特征在于，所述薄膜是在所述基材的表面上通過噴鍍、離子鍍、蒸鍍、溶膠凝膠法或CVD形成的膜。專利摘要本技術涉及等離子體耐蝕性構件。本技術的課題是抑制在升溫至700℃后的薄膜與基材的界面產生裂紋。作為解決方案，本技術的等離子體耐蝕性構件是在氮化硅燒結體、氮化鋁燒結體、氧化鋁燒結體或碳化硅燒結體的基材的表面上形成有釔化合物或尖晶石的薄膜的等離子體耐蝕性構件，在前述薄膜的表面上形成有為了支撐晶片而設置的多個凸部，前述薄膜中的形成有前述凸部的部分的膜厚a2相對于未形成前述凸部的部分的膜厚a1的比率a2／a1滿足1＜a2／a1＜1.6。文檔編號C23C14/08GK202671657SQ20122023124公開日2013年1月16日 申請日期2012年5月22日 優先權日2011年5月25日專利技術者后藤義信 申請人:日本礙子株式會社本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種等離子體耐蝕性構件，其特征在于，其為在氮化硅燒結體、氮化鋁燒結體、氧化鋁燒結體或碳化硅燒結體的基材的表面上形成有釔化合物或尖晶石的薄膜的等離子體耐蝕性構件，在所述薄膜的表面上形成有為了支撐晶片而設置的多個凸部，所述薄膜中的形成有所述凸部的部分的膜厚a2相對于未形成所述凸部的部分的膜厚a1的比率a2／a1滿足1＜a2／a1＜1.6。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：后藤義信，
申請(專利權)人：日本礙子株式會社，
類型：實用新型
國別省市：