本實用新型專利技術涉及一種振鏡式紫外激光切割晶圓芯片裝置，所述裝置包含有激光器（1），所述激光器（1）產生的激光依次經光閘（2）和擴束鏡（3）后進入振鏡系統（5），所述振鏡系統（5）射出的激光聚焦在置于平臺（10）上的待切割芯片（9）上，所述平臺（10）上方兩側分別設置有吹氣系統（7）和集塵系統（8），所述平臺（10）上方還設置有CCD對位觀察系統（6），所述擴束鏡（3）和振鏡系統（5）之間的光路上設置有兩面反射鏡片（4），且反射鏡片（4）的反射面均與光路成45°。本實用新型專利技術一種振鏡式紫外激光切割晶圓芯片裝置，切割效率高且切割成品率高。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）
【技術實現步驟摘要】
本技術涉及一種切割分離晶圓芯片的裝置，尤其是涉及一種利用紫外激光切割不鎊鋼基底晶兀芯片的裝置。
技術介紹
當前，隨著硅晶元芯片技術的不斷發展，由于成本因素，一種基于不銹鋼基底的硅晶元芯片發展出來；另外，隨著芯片的功能集成度 越來越高，單粒芯片尺寸越來越小，單位面積上的芯片數量越來越多，對芯片切割的方式和切割效率提出了新的要求。目前的切割方式主要采用刀具切割，其切割效率低，且其存在固有缺陷，在切割的過程中，在切割道邊緣存在卷邊現象，良率低。
技術實現思路
本技術的目的在于克服上述不足，提供切割效率高且切割成品率高的一種振鏡式紫外激光切割晶圓芯片裝置。本技術的目的是這樣實現的一種振鏡式紫外激光切割晶圓芯片裝置，所述裝置包含有激光器，所述激光器產生的激光依次經光閘和擴束鏡后進入振鏡系統，所述振鏡系統射出的激光聚焦在置于平臺上的待切割芯片上。本技術一種振鏡式紫外激光切割晶圓芯片裝置，所述平臺上方兩側分別設置有吹氣系統和集塵系統，所述平臺上方還設置有CCD對位觀察系統。本技術一種振鏡式紫外激光切割晶圓芯片裝置，所述擴束鏡和振鏡系統之間的光路上設置有兩面反射鏡片，且反射鏡片的反射面均與光路成45°。本技術一種振鏡式紫外激光切割晶圓芯片裝置，所述激光器和振鏡系統經通訊系統與控制系統相連。本技術一種振鏡式紫外激光切割晶圓芯片裝置，所述激光器為紫外高頻脈沖激光器。與現有技術相比，本技術的有益效果是本技術采用振鏡式紫外激光設備，利用高頻紫外激光切割，相對于普通刀具切割具有以下優點I),有效的避免的刀具切割存在的卷邊現象，采用激光在芯片背面切割，切割完畢后芯片正面邊緣無卷邊，抬高現象，極大的提升了成品良率；2)相對于刀具切割，使用高速振鏡快說掃描切割，極大的提升了切割效率。附圖說明圖I為本技術一種振鏡式紫外激光切割晶圓芯片裝置的結構示意圖。其中激光器I、光閘2、擴束鏡3、反射鏡片4、振鏡系統5、(XD對位觀察系統6、吹氣系統7、集塵系統8、待切割芯片9、平臺10、通訊系統11、控制系統12。具體實施方式參見圖I，本技術涉及的一種振鏡式紫外激光切割晶圓芯片裝置，所述裝置包含有激光器I，所述激光器I產生的激光依次經光閘2、擴束鏡3和反射鏡片4后進入振鏡系統5，所述振鏡系統5射出的激光聚焦在置于平臺10上的待切割芯片9，所述平臺10上方兩側分別設置有吹氣系統7和集塵系統8，所述平臺10上方還設置有CCD對位觀察系統6，所述激光器I和振鏡系統5經通訊系統11與控制系統12相連；其中激光器I為紫外高頻脈沖激光器，其發出波長在紫外段的高頻率脈沖激光，所述反射鏡片4為紫外反射鏡片，其作用在于對處于紫外波段的激光進行反射。使用時，激光器I發出的高頻率紫外脈沖激光的焦點聚焦于待切割芯片9的上表面，激光器I經由通訊系統11連接控制系統12，由控制系統12控制開關光，激光通過光閘 2后經過擴束鏡3對光束進行同軸擴束，一方面改善光束傳播的發散角，達到光路準直的目的；另外一方面，對激光光束同軸擴束，使得聚焦后光斑更小，從而實現更大的能量密度和更小的切割寬度；經擴束鏡3擴束準直后光束通過紫外反射鏡片4調整路線后進入振鏡系統5，光束到達振鏡系統5后，經過通訊系統11與控制系統12進行數據通信，將切割圖形轉化為數字信號，將圖形轉化在需要切割的待切割芯片9上，待切割芯片9通過真空吸附固定在平臺10上；控制系統12根據加工圖的識別和導入，經過CCD對位觀察系統6定位切割位置，精確加工；在切割時采用小幅面分層切割，然后小幅面拼接，組合成整個切割幅面。即在單個小幅面內，將整個切割高度分為多層，通過振鏡系統5快速掃描過切割道后，然后再加工下一層，最后實現整個芯片厚度的切割，分離芯片；在振鏡系統5加工完當前小幅面后，平臺移動下一個小幅面，再開始加工，如此反復，高效率高精度實現整片芯片的切割分離。本技術涉及的一種振鏡式紫外激光切割晶圓芯片的方法，其方法主要包含有以下步驟步驟一、將待切割芯片背貼于UV膜上，即將待切割芯片具有表面金球的一面貼附于UV膜的膠層面上(該膠層由UV膠構成)，并使得金球完全陷入到膠層中，且UV膜的膠層面上的膠層厚度大于待切割芯片上的表面金球的高度；步驟二、在待切割芯片的背面(即與具有表面金球的一面相反的另一面)涂覆保護液，通過甩膠機將保護液涂抹均勻(所述保護液為水溶性保護液);步驟三、將完成步驟二的待切割芯片放置于加工平臺上；步驟四、利用激光對放置于加工平臺上的待切割芯片進行切割；切割時，激光的焦點聚焦在待切割芯片涂覆保護液的一面上，此種切割方式能夠使得切割時的火山口殘留在芯片背面，避免在正面產生火山口，影響芯片功能；且通過涂覆保護液，有效的避免了切割后剩余殘渣污染芯片；切割時，分別安裝在平臺上方左右兩側的吹氣系統和集塵系統將加工過程中的殘渣吸走；步驟五、清洗，將殘留芯片上的保護液利用去離子水進行清洗；步驟六、通過UV解膠機對UV膜上的膠層進行解膠，從而使得切 割后的芯片與UV膜相互分離。權利要求1.一種振鏡式紫外激光切割晶圓芯片裝置，其特征在于所述裝置包含有激光器(I)，所述激光器(I)產生的激光依次經光閘(2)和擴束鏡(3)后進入振鏡系統(5)，所述振鏡系統(5)射出的激光聚焦在置于平臺(10)上的待切割芯片(9)上。2.如權利要求I所述一種振鏡式紫外激光切割晶圓芯片裝置，其特征在于所述平臺(10)上方兩側分別設置有吹氣系統(7)和集塵系統(8)，所述平臺(10)上方還設置有CXD對位觀察系統(6)。3.如權利要求I所述一種振鏡式紫外激光切割晶圓芯片裝置，其特征在于所述擴束鏡(3)和振鏡系統(5)之間的光路上設置有兩面反射鏡片(4)，且反射鏡片(4)的反射面均與光路成45°。4.如權利要求I或2所述一種振鏡式紫外激光切割晶圓芯片裝置，其特征在于所述激光器(I)和振鏡系統(5 )經通訊系統(11)與控制系統(12 )相連。5.如權利要求I或2所述一種振鏡式紫外激光切割晶圓芯片裝置，其特征在于所述激光器(I)為紫外高頻脈沖激光器。專利摘要本技術涉及一種振鏡式紫外激光切割晶圓芯片裝置，所述裝置包含有激光器(1)，所述激光器(1)產生的激光依次經光閘(2)和擴束鏡(3)后進入振鏡系統(5)，所述振鏡系統(5)射出的激光聚焦在置于平臺(10)上的待切割芯片(9)上，所述平臺(10)上方兩側分別設置有吹氣系統(7)和集塵系統(8)，所述平臺(10)上方還設置有CCD對位觀察系統(6)，所述擴束鏡(3)和振鏡系統(5)之間的光路上設置有兩面反射鏡片(4)，且反射鏡片(4)的反射面均與光路成45°。本技術一種振鏡式紫外激光切割晶圓芯片裝置，切割效率高且切割成品率高。文檔編號B23K26/38GK202667933SQ20122026638公開日2013年1月16日 申請日期2012年6月7日 優先權日2012年6月7日專利技術者趙裕興, 狄建科, 蔡仲云, 張子國, 益凱劼, 張偉, 閆華 申請人:江陰德力激光設備有限公司本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種振鏡式紫外激光切割晶圓芯片裝置，其特征在于：所述裝置包含有激光器（1），所述激光器（1）產生的激光依次經光閘（2）和擴束鏡（3）后進入振鏡系統（5），所述振鏡系統（5）射出的激光聚焦在置于平臺（10）上的待切割芯片（9）上。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：趙裕興，狄建科，蔡仲云，張子國，益凱劼，張偉，閆華，
申請(專利權)人：江陰德力激光設備有限公司，
類型：實用新型
國別省市：
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