磁控濺射鍍膜機(jī)的磁控濺射靶制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)涉及真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其是磁控濺射鍍膜機(jī)的磁控濺射靶，包括有靶頭和靶材，靶頭設(shè)有可轉(zhuǎn)動(dòng)的靶芯，靶芯一端伸出靶頭而穿入靶材內(nèi)中部，并于靶芯之穿入靶材的部分外周分布有磁塊；所述靶材的一端通過法蘭與靶頭軸向銜接在一起，恰使靶材內(nèi)腔與靶頭內(nèi)腔形成連通的密封腔，靶芯位于密封腔中；所述靶芯的內(nèi)部還設(shè)有冷卻通道，冷卻通道的入口連通到靶頭外接冷卻液；而冷卻通道的出口位于靶芯之穿入靶材的一端端頭，冷卻通道的出口連通密封腔，密封腔設(shè)有出口。本實(shí)用新型專利技術(shù)設(shè)計(jì)靶芯旋轉(zhuǎn)，且設(shè)有冷卻降溫結(jié)構(gòu)，從而使濺射更均勻，及時(shí)給靶降溫，提升鍍膜效果，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，科學(xué)合理，投資成本低。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及真空鍍膜
，尤其是磁控濺射鍍膜機(jī)的磁控濺射靶。
技術(shù)介紹
隨后出現(xiàn)有物理氣相沉積(PVD)技術(shù)，主要是在真空環(huán)境下進(jìn)行表面處理，物理氣相沉積本身分為三種真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜，近十年來發(fā)展相當(dāng)快，已經(jīng)成為當(dāng)今最先進(jìn)的表面處理方式之一。真空鍍膜生產(chǎn)是實(shí)現(xiàn)膜層附著在工件表面，以獲得需要的工件表面特性。真空濺射鍍膜是利用靶材發(fā)生濺射，使濺射物附著在工件表面形成膜層，即達(dá)到鍍膜；磁控濺射鍍膜機(jī)是常見的真空濺射鍍膜設(shè)備，然而，由于其上設(shè)置的磁控濺射靶中，靶材和靶芯相對(duì)不動(dòng)，而靶芯上的磁塊分布難于相對(duì)均勻，且難以保證 不同磁塊的磁性一致，使得生產(chǎn)中磁場(chǎng)強(qiáng)度有差異，濺射不均勻，影響鍍膜質(zhì)量，因而優(yōu)待 改進(jìn)。再著，由于磁控濺射過程中會(huì)產(chǎn)生高溫，而現(xiàn)有技術(shù)沒能有效給予降溫，導(dǎo)致磁控效 果降低，不利于生產(chǎn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，科學(xué)合理，可使濺射均勻，且可有效給靶降溫，提升鍍膜效果的磁控濺射鍍膜機(jī)的磁控濺射靶。為達(dá)到上述目的，本技術(shù)采用如下技術(shù)方案磁控濺射鍍膜機(jī)的磁控濺射靶，包括有靶頭和靶材，靶頭設(shè)有可轉(zhuǎn)動(dòng)的靶芯，靶芯一端伸出靶頭而穿入靶材內(nèi)中部，并于靶芯之穿入靶材的部分外周分布有磁塊；所述靶材的一端通過法蘭與靶頭軸向銜接在一起，恰使靶材內(nèi)腔與靶頭內(nèi)腔形成連通的密封腔，靶芯位于密封腔中；所述靶芯的內(nèi)部還設(shè)有冷卻通道，冷卻通道的入口連通到靶頭外接冷卻液；而冷卻通道的出口位于靶芯之穿入靶材的一端端頭，冷卻通道的出口連通密封腔，密封腔設(shè)有出口。所述密封腔設(shè)有出口設(shè)置在靶頭上。所述靶芯之穿入靶材的部分外周還套設(shè)有輔助環(huán)，輔助環(huán)的外徑小于處于靶材內(nèi)的密封腔之內(nèi)徑。所述磁塊按靶芯外周均勻分布，且采用高磁和低磁相互間隔的分布。本技術(shù)設(shè)計(jì)靶芯旋轉(zhuǎn)，且設(shè)有冷卻降溫結(jié)構(gòu)，從而使濺射更均勻，及時(shí)給靶降溫，提升鍍膜效果，獲得更優(yōu)產(chǎn)品。本技術(shù)再一優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，科學(xué)合理，投資成本低，維護(hù)檢修十分方便，安裝、使用方便，大大提高了設(shè)備的運(yùn)行率和可操作性。附圖說明附圖I為本技術(shù)的較佳實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖；附圖2為圖I之實(shí)施例結(jié)構(gòu)靶材部分?jǐn)嗝娼Y(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式以下結(jié)合附圖對(duì)本技術(shù)進(jìn)一步說明參閱圖1、2所示，本技術(shù)所述的磁控濺射鍍膜機(jī)的磁控濺射靶，包括有靶頭I和靶材2，靶頭I設(shè)有可轉(zhuǎn)動(dòng)的靶芯3，靶芯3 —端伸出靶頭I而穿入靶材2內(nèi)中部，并于靶芯3之穿入靶材2的部分外周分布有磁塊4，靶芯3的穿入端頭定位在靶材2端部的絕緣座上；圖2所示，磁塊4按靶芯3外周均勻分布，且采用高磁和低磁的所述靶材2的一端通過法蘭5與靶頭I軸向銜接在一起，恰使靶材2內(nèi)腔與靶頭I內(nèi)腔形成連通的密封腔6，靶芯3位于密封腔6中；所述靶芯3的內(nèi)部還設(shè)有冷卻通道31，冷卻通道31的入口 311連通到靶頭I外接冷卻液，冷卻液為冷卻水；而冷卻通道31的出口 312位于靶芯3之穿入靶材2的一端端頭，冷卻通道31的出 口 312連通密封腔6 ;密封腔6設(shè)有出口 61 ;密封腔的出口61設(shè)置在靶頭I上。實(shí)施時(shí)，通過電機(jī)驅(qū)動(dòng)靶芯3旋轉(zhuǎn)，磁塊4跟隨旋轉(zhuǎn)，使靶材2上的磁場(chǎng)更均勻，由此使濺射鍍膜更均勻。冷卻通道31的入口 311通過接頭接冷卻水，使冷卻水進(jìn)入靶芯3內(nèi)部流動(dòng)，再從冷卻通道31的出口 312流向密封腔6，再從密封腔的出口 61輸出循環(huán)，由此實(shí)現(xiàn)冷卻水及時(shí)把磁控濺射過程中會(huì)產(chǎn)生的熱量帶走，達(dá)到給靶降溫，提升鍍膜效果，獲得更優(yōu)產(chǎn)品。本實(shí)施例中，靶芯3之穿入靶材2的部分外周還套設(shè)有輔助環(huán)7，輔助環(huán)7的外徑小于處于靶材2內(nèi)的密封腔6之內(nèi)徑，輔助環(huán)7具有輔助定位，防止靶芯3旋轉(zhuǎn)晃動(dòng)，確保磁塊4與靶材2之間的間距，獲得穩(wěn)定的磁控效果。本技術(shù)的靶材2通過法蘭5與靶頭I軸向銜接在一起，具有拆換性，可方便的更換靶材料，滿足生產(chǎn)需要；結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，科學(xué)合理，投資成本低，維護(hù)檢修十分方便，安裝、使用方便，大大提高了設(shè)備的運(yùn)行率和可操作性。圖2所示，本實(shí)施例中，磁塊4按靶芯3外周均勻分布，且采用高磁和低磁相互間隔的分布，成本低。當(dāng)然，以上圖示僅為本技術(shù)的較佳實(shí)施例，并非以此限定本技術(shù)的實(shí)施范圍，故，凡是依照本技術(shù)之原理做等效變化或修飾，均應(yīng)涵蓋于本技術(shù)的保護(hù)范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.磁控濺射鍍膜機(jī)的磁控濺射靶，包括有靶頭(I)和靶材(2)，其特征在于靶頭(I)設(shè)有可轉(zhuǎn)動(dòng)的靶芯(3 )，靶芯(3 ) —端伸出靶頭(I)而穿入靶材(2 )內(nèi)中部，并于靶芯(3 )之穿入革El材(2)的部分外周分布有磁塊(4);所述祀材(2)的一端通過法蘭(5)與祀頭(I)軸向銜接在一起，恰使靶材(2)內(nèi)腔與靶頭(I)內(nèi)腔形成連通的密封腔(6)，靶芯(3)位于密封腔(6 )中；所述靶芯(3 )的內(nèi)部還設(shè)有冷卻通道(31)，冷卻通道(31)的入口( 311)連通到靶頭(I)外接冷卻液；而冷卻通道(31)的出口(312)位于靶芯(3)之穿入靶材(2)的一端端頭，冷卻通道(31)的出口(312)連通密封腔(6)，密封腔(6)設(shè)有出口(61)。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁控濺射鍍膜機(jī)的磁控濺射靶，其特征在于所述密封腔(6)設(shè)有出口(61)設(shè)置在靶頭(I)上。3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁控濺射鍍膜機(jī)的磁控濺射靶，其特征在于靶芯(3)之穿入靶材(2)的部分外周還套設(shè)有輔助環(huán)(7)，輔助環(huán)(7)的外徑小于處于靶材(2)內(nèi)的密封腔(6)之內(nèi)徑。4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁控濺射鍍膜機(jī)的磁控濺射靶，其特征在于所述磁塊(4)按靶芯(3 )外周均勻分布，且采用高磁和低磁相互間隔的分布。專利摘要本技術(shù)涉及真空鍍膜
，尤其是磁控濺射鍍膜機(jī)的磁控濺射靶，包括有靶頭和靶材，靶頭設(shè)有可轉(zhuǎn)動(dòng)的靶芯，靶芯一端伸出靶頭而穿入靶材內(nèi)中部，并于靶芯之穿入靶材的部分外周分布有磁塊；所述靶材的一端通過法蘭與靶頭軸向銜接在一起，恰使靶材內(nèi)腔與靶頭內(nèi)腔形成連通的密封腔，靶芯位于密封腔中；所述靶芯的內(nèi)部還設(shè)有冷卻通道，冷卻通道的入口連通到靶頭外接冷卻液；而冷卻通道的出口位于靶芯之穿入靶材的一端端頭，冷卻通道的出口連通密封腔，密封腔設(shè)有出口。本技術(shù)設(shè)計(jì)靶芯旋轉(zhuǎn)，且設(shè)有冷卻降溫結(jié)構(gòu)，從而使濺射更均勻，及時(shí)給靶降溫，提升鍍膜效果，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，科學(xué)合理，投資成本低。文檔編號(hào)C23C14/35GK202658220SQ201220236358公開日2013年1月9日 申請(qǐng)日期2012年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月24日專利技術(shù)者趙銘 申請(qǐng)人:廣東友通工業(yè)有限公司本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
磁控濺射鍍膜機(jī)的磁控濺射靶，包括有靶頭（1）和靶材（2），其特征在于：靶頭（1）設(shè)有可轉(zhuǎn)動(dòng)的靶芯（3），靶芯（3）一端伸出靶頭（1）而穿入靶材（2）內(nèi)中部，并于靶芯（3）之穿入靶材（2）的部分外周分布有磁塊（4）；所述靶材（2）的一端通過法蘭（5）與靶頭（1）軸向銜接在一起，恰使靶材（2）內(nèi)腔與靶頭（1）內(nèi)腔形成連通的密封腔（6），靶芯（3）位于密封腔（6）中；所述靶芯（3）的內(nèi)部還設(shè)有冷卻通道（31），冷卻通道（31）的入口（311）連通到靶頭（1）外接冷卻液；而冷卻通道（31）的出口（312）位于靶芯（3）之穿入靶材（2）的一端端頭，冷卻通道（31）的出口（312）連通密封腔（6），密封腔（6）設(shè)有出口（61）。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：趙銘，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：廣東友通工業(yè)有限公司，
類型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：