本發(fā)明專利技術(shù)的目的在于，提供一種尤其對配線部的結(jié)構(gòu)進(jìn)行改良，從而能夠減小配線電阻的經(jīng)時(shí)變化的輸入裝置。本發(fā)明專利技術(shù)的輸入裝置的特征在于，具備基板，該基板具有：基材；設(shè)置在基材表面的輸入?yún)^(qū)域的電極部；在位于所述輸入?yún)^(qū)域的外側(cè)的所述基材表面的非輸入?yún)^(qū)域中與所述電極部電連接的配線部，所述配線部(16)包括：由Cu構(gòu)成的配線主體層(29)；形成在所述配線主體層(29)的表面(29a)上，且膜厚比所述配線主體層(29)薄的由Cu合金構(gòu)成的表面保護(hù)層(30)。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及一種能夠檢測輸入坐標(biāo)位置的輸入裝置，尤其是涉及配線部的結(jié)構(gòu)。
技術(shù)介紹
在下述專利文獻(xiàn)中公開了與輸入裝置(觸摸面板)相關(guān)的專利技術(shù)。在輸入裝置設(shè)有對置的ー對基板，各基板間經(jīng)由粘合層而接合。在各基板的輸入?yún)^(qū)域形成有電極部，當(dāng)操作者通過手指或輸入筆對輸入裝置的表面進(jìn)行操作時(shí)，例如能夠根據(jù)靜電電容變化來對操作位置進(jìn)行檢測。在位于各基板的輸入?yún)^(qū)域的周圍的非輸入?yún)^(qū)域中圍繞有與形成在輸入?yún)^(qū)域的電極部電連接的配線部。如各專利文獻(xiàn)所記載那樣，配線部例如由Cu單層形成。Cu的電特性優(yōu)越，另外能夠?qū)⒉牧铣杀疽种频幂^為廉價(jià)。 但是，當(dāng)配線部由Cu單層形成時(shí)，氧化等的腐蝕進(jìn)展，配線電阻的經(jīng)時(shí)變化變大，存在無法獲得穩(wěn)定的配線電阻的問題。配線部的表面例如由光學(xué)透明粘合層(OCA)覆蓋。但是，即便由光學(xué)透明粘合層覆蓋配線部的表面，也完全無法防止住氧化等的腐蝕，另外，由于光學(xué)透明粘合層中所含有的物質(zhì)，也產(chǎn)生氧化的進(jìn)展或膜變質(zhì)，其結(jié)局是，無法獲得穩(wěn)定的配線電阻。另外，在配線部由Cu單層形成的情況下，可知在制造エ序中的濕式蝕刻處理時(shí)，基于側(cè)面蝕刻的后退量増大。由此，無法穩(wěn)定地形成具有規(guī)定的配線電阻的配線部。另外，在專利文獻(xiàn)I記載有在配線層的表面形成保護(hù)層的結(jié)構(gòu)(專利文獻(xiàn)I的“0041”欄等)，但即便形成保護(hù)層，也需要盡量地將材料成本抑制得較為廉價(jià)。另外，對于配線層和保護(hù)層分別采用不同的蝕刻液，如果需要2種液體的蝕刻液，則制造成本的上升，進(jìn)而制造エ序的復(fù)雜化成為問題。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開2008-65748號公報(bào)專利文獻(xiàn)2 :日本特開昭63-113585號公報(bào)專利文獻(xiàn)3 :日本特開2007-18226號公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
對此，本專利技術(shù)就是用于解決上述現(xiàn)有的課題而作出的，其目的在于，提供一種尤其對配線部的結(jié)構(gòu)進(jìn)行改良，從而能夠減小配線電阻的經(jīng)時(shí)變化的輸入裝置。進(jìn)而，本專利技術(shù)的目的在于，提供一種能夠減小基于側(cè)面蝕刻的后退量，并且蝕刻液通過I種液體即足夠的輸入裝置的制造方法。本專利技術(shù)提供一種輸入裝置，其特征在干，具備基板，該基板具有基材；設(shè)置在基材表面的輸入?yún)^(qū)域的電極部；在位于所述輸入?yún)^(qū)域的外側(cè)的所述基材表面的非輸入?yún)^(qū)域中與所述電極部電連接的配線部，所述配線部包括由Cu構(gòu)成的配線主體層；形成在所述配線主體層的表面上，且膜厚比所述配線主體層薄的由Cu合金構(gòu)成的表面保護(hù)層。由此，能夠抑制對于配線部的氧化等的腐蝕，與配線部由Cu單層形成的現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠?qū)⑴渚€電阻的經(jīng)時(shí)變化抑制得較小。另外，通過表面保護(hù)層由Cu合金形成，能夠?qū)⒉牧铣杀疽种频幂^低。在本專利技術(shù)中，優(yōu)選的是，所述表面保護(hù)層由CuNi合金形成。此時(shí)，優(yōu)選的是，CuNi合金中所占的Ni組成比為5wt% 35wt%的范圍內(nèi)。由此,能夠更加有效地減小配線電阻的經(jīng)時(shí)變化，從而能夠構(gòu)成具有穩(wěn)定的配線電阻的配線部。另外，更優(yōu)選的是，Ni組成比為15wt% 25wt%的范圍內(nèi)。由此，能夠更加有效地將配線電阻的經(jīng)時(shí)變化抑制得較小。另夕卜，能夠減小基于側(cè)面蝕刻的最大后退量，進(jìn)而，能夠使蝕刻速率比較變大，從而能夠縮短加工時(shí)間，并使生產(chǎn)性提高。另外，在本專利技術(shù)中，能夠優(yōu)選適用于所述配線部的表面由光學(xué)透明粘合層覆蓋的結(jié)構(gòu)中。根據(jù)本專利技術(shù)的配線部的結(jié)構(gòu)，在配線部的表面由光學(xué)透明粘合層覆蓋的狀態(tài)下，能夠?qū)ρ趸鹊母g進(jìn)行適當(dāng)?shù)匾种?，從而能夠有效地抑制配線電阻的經(jīng)時(shí)變化。另外，本專利技術(shù)提供一種輸入裝置的制造方法，其特征在干，該輸入裝置具備基板該基板具有基材；設(shè)置在基材表面的輸入?yún)^(qū)域的電極部；在位于所述輸入?yún)^(qū)域的外側(cè)的所述基板表面的非輸入?yún)^(qū)域中與所述電極部電連接的配線部，該制造方法包括在所述非輸入?yún)^(qū)域的基材表面上形成有Cu層，且在所述Cu層的表面上形成有膜厚比所述Cu層薄的Cu合金層的エ序；用于在Cu合金層的表面上形成所述配線部的掩模層的エ序；將未由所述掩模層覆蓋的Cu合金層及Cu層連續(xù)地通過濕式蝕刻除去，從而形成包括由Cu形成的配線主體層和在所述配線主體層的表面上由Cu合金形成的表面保護(hù)層的所述配線部的エ序；將所述掩模層除去的エ序。根據(jù)本專利技術(shù)的制造方法，通過將配線部形成為由Cu構(gòu)成的配線主體層和由Cu合金構(gòu)成的表面保護(hù)層的層疊結(jié)構(gòu)，能夠使基于側(cè)面蝕刻的后退量與由Cu單層形成時(shí)相比變小。另外，在本專利技術(shù)中，能夠在濕式蝕刻吋，將Cu合金層及Cu層通過I種液體的蝕刻液連續(xù)地進(jìn)行蝕刻，從而能夠抑制制造成本，并抑制制造エ序的復(fù)雜化。另外，在本專利技術(shù)中，優(yōu)選的是，該制造方法還包括在基材表面的整體上形成導(dǎo)電層之后，在所述導(dǎo)電層的表面整體上形成有所述Cu層，進(jìn)而在所述Cu層的表面整體上形成有Cu合金層的エ序； 通過濕式蝕刻在所述非輸入?yún)^(qū)域中來形成包括由Cu構(gòu)成的所述配線主體層和由Cu合金構(gòu)成的表面保護(hù)層的所述配線部的エ序，將形成在所述輸入?yún)^(qū)域的所述導(dǎo)電層保留成所述電極部的形狀，并且將形成在所述非輸入?yún)^(qū)域的所述導(dǎo)電層保留在所述配線部下，并將不需要的所述導(dǎo)電層除去的エ序。由此，能夠以簡單且規(guī)定的圖案形狀來形成電極部及配線部。另外，在本專利技術(shù)中，優(yōu)選的是，所述Cu合金層由CuNi合金層形成。此時(shí)，優(yōu)選的是，CuNi合金中所占的Ni組成比為5wt% 35wt%的范圍內(nèi)。進(jìn)而,更優(yōu)選的是,Ni組成比為15wt% 25wt%的范圍內(nèi)。由此，在采用能夠?qū)u層進(jìn)行蝕刻的蝕刻液來對CuNi合金層進(jìn)行蝕刻之際,能夠抑制蝕刻速率極端變小的情況,從而能夠通過I種液體的蝕刻液對Cu層和CuNi合金層進(jìn)行適當(dāng)?shù)匚g刻處理。另外，能夠抑制制造過程中的氧化等的腐蝕，從而能夠有效地減小基于側(cè)面蝕刻的后退量。專利技術(shù)效果根據(jù)本專利技術(shù)的輸入裝置，能夠抑制對于配線部的氧化等的腐蝕，從而與配線部由Cu單層形成的現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠?qū)⑴渚€電阻的經(jīng)時(shí)變化抑制得較小。另外，通過表面保護(hù)層由Cu合金形成，能夠?qū)⒉牧铣杀疽种频幂^低。·另外，根據(jù)本專利技術(shù)的輸入裝置的制造方法，通過將配線部形成為由Cu構(gòu)成的配線主體層和由Cu合金構(gòu)成的表面保護(hù)層的層疊結(jié)構(gòu)，能夠使基于側(cè)面蝕刻的后退量變小。另夕卜，在對于Cu合金層及Cu層進(jìn)行濕式蝕刻處理時(shí)，能夠通過I種液體的蝕刻液來連續(xù)地進(jìn)行蝕刻，能夠抑制制造成本，從而能夠抑制制造エ序的復(fù)雜化。附圖說明圖I是本實(shí)施方式的輸入裝置的分解立體圖。圖2是將圖I所示的輸入裝置形成組裝的狀態(tài)且從沿著A-A線切斷的箭頭方向觀察時(shí)的局部放大縱向剖視圖。圖3是本實(shí)施方式中的配線部的局部放大縱向剖視圖。圖4是不同于圖2的實(shí)施方式中的輸入裝置的部分縱向剖視圖。圖5(a) (b)是表示本實(shí)施方式中的配線部的制造方法的エ序圖，圖5(c)是用于說明基于側(cè)面蝕刻的后退量的局部放大縱向剖視圖。圖6是在配線部由Cu單層形成的現(xiàn)有例中用于說明側(cè)面蝕刻的說明圖(局部放大縱向剖視圖)。圖7是實(shí)驗(yàn)樣品的俯視圖。圖8是采用圖7的實(shí)驗(yàn)樣品而示出配線部由Cu單層形成的現(xiàn)有例中的試驗(yàn)時(shí)間和電阻比的關(guān)系的曲線圖。圖9是采用圖7的實(shí)驗(yàn)樣品而示出配線部由Cu層/CuNi層形成的實(shí)施例中的試驗(yàn)時(shí)間和電阻比的關(guān)系的曲線圖。圖10是采用圖7的實(shí)驗(yàn)樣品而示出配線部由Cu層/CuNi層形成的實(shí)施例中的Ni組成比和電阻比的關(guān)系的曲線圖。圖11是表示CuNi合金的Ni組成比和蝕刻速率的關(guān)系的曲線圖。圖12是本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：橋本秀幸，佐藤清，頓所雅弘，五十嵐一聰，
申請(專利權(quán))人：阿爾卑斯電氣株式會社，
類型：
國別省市：
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