銪摻雜硼酸釓鈣發光材料、制備方法及其應用技術

一種銪摻雜硼酸釓鈣發光材料，其化學式為Ca4GdO(BO3)3:xEu3+，其中0.0007≤x≤0.014。該銪摻雜硼酸釓鈣發光材料制成的發光薄膜的電致發光光譜(EL)中，在615nm波長區有很強的發光峰，能夠應用于薄膜電致發光顯示器中。本發明專利技術還提供該銪摻雜硼酸釓鈣發光材料的制備方法銪摻雜硼酸釓鈣發光薄膜、其制備方法及薄膜電致發光器件。

【技術實現步驟摘要】
銪摻雜硼酸釓鈣發光材料、制備方法及其應用
本專利技術涉及ー種銪摻雜硼酸釓鈣發光材料、其制備方法、銪摻雜硼酸釓鈣發光薄膜、其制備方法及薄膜電致發光器件。背景技木薄膜電致發光顯示器(TFELD)由于其主動發光、全固體化、耐沖擊、反應快、視角大、適用溫度寬、エ序簡單等優點，已引起了廣泛的關注，且發展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，開發多波段發光的材料，是該課題的發展方向。 硼酸鹽是稀土離子發光一類很好的基質材料，但是，可應用于薄膜電致發光顯示器的銪摻雜硼酸禮韓發光材料，仍未見報道。
技術實現思路
基于此，有必要提供ー種可應用于薄膜電致發光器件的銪摻雜硼酸釓鈣發光材料、其制備方法、銪摻雜硼酸釓鈣發光薄膜、其制備方法及使用該銪摻雜硼酸釓鈣發光材料的薄膜電致發光器件。ー種銪摻雜硼酸釓鈣發光材料，其化學式為Ca4GdO (BO3) 3: xEu3+，其中0. 0007 彡 X 彡 0. 014。在優選的實施例中，X為0. 0035。—種銪摻雜硼酸釓鈣發光材料的制備方法，包括以下步驟步驟一、根據Ca4GdO(BO3)3XEu3+各元素的化學計量比稱取CaO，Gd2O3,B2O3和Eu2O3粉體并混合均勻，其中0. 0007 ^ X ^ 0. 014 ;步驟ニ、將混合均勻的粉體在900°C 1300°C下燒結0. 5小時 5小時即得到所述銪摻雜硼酸釓鈣發光材料。在優選的實施例中，X為0. 0035。在優選的實施例中，步驟ニ中將混合均勻的粉體在1250°C下燒結3小時。ー種銪摻雜硼酸釓鈣發光薄膜，該銪摻雜硼酸釓鈣發光薄膜的材料的化學通式為Ca4Gd0(B03)3:xEu3+，其中 Ca4GdO(BO3)3 是基質，Eu 元素是激活元素，0. 0007 く x 彡 0. 014。在優選的實施例中，X為0. 0035。ー種銪摻雜硼酸釓鈣發光薄膜的制備方法，包括以下步驟步驟一、根據Ca4Gd0(B03)3xEu3+各元素的化學計量比稱取CaO，Gd2O3, B2O3和Eu2O3粉體并混合均勻在900°C 1300°C下燒結0. 5小時 5小時制成靶材，其中0. 0007 ^ x ^ 0. 014 ;步驟ニ、將步驟一中得到的靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設置為I. 0X10_3Pa I. 0X10_5Pa ;步驟三、調整磁控濺射鍍膜エ藝參數為基靶間距為45mm 95mm,磁控派射工作壓強0. 2Pa 4Pa,工作氣體的流量為IOsccm 35sccm,襯底溫度為250°C 750°C ;接著進行制膜，得到薄膜樣品；步驟四、將步驟三中得到的薄膜樣品于500°C 800°C下真空退火處理Ih 3h，得到所述銪摻雜硼酸釓鈣發光薄膜。在優選的實施例中，步驟一中X為0.0035 ;步驟ニ中真空度為5.0X10_4Pa;步驟三中，基靶間距為6Omm，磁控濺射工作壓強2Pa，工作氣體為氬氣，工作氣體的流量為25sCCm，襯底溫度為500°C ;步驟四中，薄膜樣品于600°C下真空退火處理2h。。ー種薄膜電致發光器件，該薄膜電致發光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發光層以及陰極層，所述發光層的材料為銪摻雜硼酸釓鈣發光材料，該銪摻雜硼酸釓鈣發光材料的化學式為 Ca4GdO (BO3) 3:xEu3+，其中 0. 0007 ^ x ^ 0. 014。上述銪摻雜硼酸釓鈣發光材料(Ca4Gd0(B03)3:xEu3+)制成的發光薄膜的電致發光光譜(EL)中，在615nm波長區有很強的發光峰，能夠應用于薄膜電致發光顯示器。附圖說明圖I為ー實施方式的薄膜電致發光器件的結構示意圖； 圖2為實施例I制備的銪摻雜硼酸釓鈣發光薄膜的電致發光譜圖；圖3為實施例I制備的銪摻雜硼酸釓鈣發光薄膜的XRD圖具體實施方式下面結合附圖和具體實施例對銪摻雜硼酸釓鈣發光材料、其制備方法、銪摻雜硼酸釓鈣發光薄膜、其制備方法及薄膜電致發光器件進ー步闡明。ー實施方式的銪摻雜硼酸釓鈣發光材料，其化學式為Ca4GdO(BO3) 3:xEu3+，其中0.0007 彡 X 彡 0. 014，優選的，X 為 0. 0035。該銪摻雜硼酸禮I丐發光材料中Ca4GdO(BO3)3是基質,Eu元素是激活元素,在615nm波長區有很強的發光峰，能夠應用于薄膜電致發光顯示器。上述銪摻雜硼酸釓鈣發光材料的制備方法，包括以下步驟步驟511、根據0&46(10出03)3^￡113+各元素的化學計量比稱取0&0，Gd2O3, B2O3和Eu2O3粉體并混合均勻，其中0. 0007彡X彡0. 014。該步驟中，優選的，X為0. 0035。可以理解，該步驟中也可稱取CaO，Gd2O3, B2O3和Eu2O3粉體并混合均勻，其中CaO的質量百分含量為35% 50% ,Gd2O3的質量百分含量為20% 40% ,Eu2O3的質量百分含量為0. I 2%，余量為B203。優選的，CaO的質量百分含量為46%，Gd2O3的質量百分含量為33%，Eu2O3的質量百分含量為0. 5%。步驟S12、將混合均的粉體在900°C 1300°C下燒結0. 5小時 5小時即可得到目標產物。該步驟中，優選的在1250°C下燒結3小時。ー實施方式的銪摻雜硼酸釓鈣發光薄膜，該銪摻雜硼酸釓鈣發光薄膜的材料的化學通式為Ca4GdO(BO3)3XEu3+,其中Ca4GdO(BO3)3是基質，Eu元素是激活元素，0.0007 彡 X 彡 0. 014。優選的，X為 0. 0035。上述銪摻雜硼酸釓鈣發光薄膜的制備方法，包括以下步驟步驟S21、根據Ca4GdO(BO3)3 = XEu3+各元素的化學計量比稱取CaO，Gd2O3, B2O3和Eu2O3粉體并混合均勻在900°C 1300°C下燒結0. 5小時 5小時制成靶材，其中0.0007 彡 X 彡 0. 014。該步驟中，優選的，X為0. 0035。可以理解，該步驟中也可稱取CaO，Gd2O3, B2O3和Eu2O3粉體并混合均勻，其中CaO的質量百分含量為35% 50% ,Gd2O3的質量百分含量為20% 40% ,Eu2O3的質量百分含量為0. I 2%，余量為B203。優選的，CaO的質量百分含量為46%，Gd2O3的質量百分含量為33%，Eu2O3的質量百分含量為0. 5%。步驟S22、將步驟S21中得到的靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設置為I. OX 10_3Pa I. OX 10_5Pa。該步驟中，優選的，真空度為5X10_4Pa。 步驟S23、調整磁控濺射鍍膜エ藝參數為基靶間距為45mm 95mm，磁控濺射工作壓強0. 2Pa 4Pa，工作氣體的流量為IOsccm 35sccm，襯底溫度為250°C 750°C ;接著進行制膜，得到薄膜樣品。該步驟中，優選的基靶間距為60mm，磁控濺射工作壓強2Pa，工作氣體為氬氣，エ作氣體的流量為25SCCm，襯底溫度為500°C。步驟S24、將步驟S23中得到的薄膜樣品于500°C 800°C下真空退火處理Ih 3h，得到化學通式為Ca4GdO(BO3)3:xEu3+，其中Ca4GdO(BO3)3是基質，Eu元素是激活元素，0.0007 彡 X 彡 本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種銪摻雜硼酸釓鈣發光材料，其特征在于：其化學式為Ca4GdO(BO3)3:xEu3+，其中0.0007≤x≤0.014。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：周明杰，王平，陳吉星，馮小明，
申請(專利權)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技術有限公司，
類型：發明
國別省市：