多功能內(nèi)存接口電路制造技術(shù)

本實用新型專利技術(shù)公開了一種多功能內(nèi)存接口電路，包括：信號輸入端、信號接收電路、檢測電路、控制電路、偏置發(fā)生電路和信號輸出端，所述信號輸入端、信號接收端、控制電路依次電性連接，所述檢測電路并聯(lián)在信號接收電路上，所述控制電路與偏置發(fā)生電路控制連接，所述偏置發(fā)生電路與信號輸出端電性連接。通過上述方式，本實用新型專利技術(shù)多功能內(nèi)存接口電路能夠降低生產(chǎn)成本，運行狀況穩(wěn)定，能夠提供多種內(nèi)存接口的支持。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及電子電路領(lǐng)域，特別是涉及一種多功能內(nèi)存接口電路。
技術(shù)介紹
隨著半導(dǎo)體制造工藝的不斷提升，芯片設(shè)計能力的不斷提高，各類處理器的功能也在急劇提升，對內(nèi)存的容量、速度都提出了更高的要求。內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展，從SDRSDARM, MOBILE SDRAM,發(fā)展到 DDR, DDR2, Mobile DDR,到現(xiàn)在正在批量推出的 DDR3SDRAM，其容量和速度都在呈線性增長，對于MOBILE SDRAM的應(yīng)用，除了性能以外，功耗的控制，也至關(guān)重要。對于多數(shù)SoC來說，其性能也在不但提升，對內(nèi)存容量和速度的需求也在 不斷提升，從早期的對SDR SDRAM的需求到現(xiàn)在的對DDR2，DDR3的需求。但是作為電子設(shè)備的一個非常基木的要求就是向前的兼容性，這樣能保持以前開發(fā)的固件，軟件，輔助器件等仍能與新的產(chǎn)品配合，在產(chǎn)品不斷升級的過程中，不失去市場和應(yīng)用。內(nèi)存就是一個非常典型的例子。為了保持兼容性，許多SoC芯片都要求其內(nèi)存接口 IP能夠支持多種接口標(biāo)準(zhǔn)，如SDR SDRAM, DDRl, DDR2，有些甚至要求能夠支持mobile SDRAM, mobileDDR等，這樣能使一個芯片用于多個平臺。要支持多個接口標(biāo)準(zhǔn)，最簡單的做法是將幾個不同的接口拼在一起，但是這樣做，不僅面積劇增，而且會因為輸入輸出的負(fù)載變大而增大功耗、降低性能。面積的增加，會導(dǎo)致一連串的問題，包括成本增加、良率下降、芯片的集成變得更復(fù)雜甚至不可能。不僅如此，因為不同的內(nèi)存接口標(biāo)準(zhǔn)還采用不同的1/0電壓，所以需采用不同的供電網(wǎng)絡(luò)，這樣一來會增加芯片成本，還會導(dǎo)致潛在的芯片失敗，所以多模接口的設(shè)計不能是一個簡單的疊加。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本技術(shù)主要解決的技術(shù)問題是提供一種多功能內(nèi)存接口電路，能夠降低生產(chǎn)成本,運行狀況穩(wěn)定,能夠提供多種內(nèi)存接口的支持。為解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)采用的一個技術(shù)方案是提供一種多功能內(nèi)存接口電路，包括信號輸入端、信號接收電路、檢測電路、控制電路、偏置發(fā)生電路和信號輸出端，所述信號輸入端、信號接收端、控制電路依次電性連接，所述檢測電路并聯(lián)在信號接收電路上，所述控制電路與偏置發(fā)生電路控制連接，所述偏置發(fā)生電路與信號輸出端電性連接。在本技術(shù)一個較佳實施例中，所述偏置發(fā)生電路與信號輸出端之間還連接有比較器。在本技術(shù)一個較佳實施例中，所述信號接收電路包括單元信號接收器和差動信號接收器。在本技術(shù)一個較佳實施例中，所述偏置發(fā)生電路包括帶PMOS管的上拉路徑偏置電路和帶NMOS管的下拉路徑偏置電路。在本技術(shù)一個較佳實施例中，所述輸入信號端上還并聯(lián)有保護(hù)電路。本技術(shù)的有益效果是本技術(shù)多功能內(nèi)存接口電路能夠降低生產(chǎn)成本，運行狀況穩(wěn)定，能夠提供多種內(nèi)存接口的支持。附圖說明圖I是本技術(shù)多功能內(nèi)存接口電路一較佳實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖中各部件的標(biāo)記如下1、信號輸入端，2、信號接收電路，3、檢測電路，4、控制電路，5、偏置發(fā)生電路，6、信號輸出端，7、比較器，8、保護(hù)電路。具體實施方式以下結(jié)合附圖對本技術(shù)的較佳實施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本技術(shù)的優(yōu)點和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本技術(shù)的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。請參閱圖1，一種多功能內(nèi)存接口電路，包括信號輸入端I、信號接收電路2、檢測電路3、控制電路4、偏置發(fā)生電路5和信號輸出端6，所述信號輸入端I、信號接收端2、控制電路4依次電性連接，所述檢測電路3并聯(lián)在信號接收2電路上，所述控制電路4與偏置發(fā)生電路控5制連接，所述偏置發(fā)生電路5與信號輸出端6電性連接。另外，所述偏置發(fā)生電路5與信號輸出端之間6還連接有比較器7。另外，所述信號接收電路2包括單元信號接收器和差動信號接收器。另外，所述偏置發(fā)生電路5包括帶PMOS管的上拉路徑偏置電路和帶NMOS管的下拉路徑偏置電路。另外，所述輸入信號端6上還并聯(lián)有保護(hù)電路8。區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本專利技術(shù)多功能內(nèi)存接口電路，能夠降低生產(chǎn)成本，運行狀況穩(wěn)定，能夠提供多種內(nèi)存接口的支持。以上所述僅為本技術(shù)的實施例，并非因此限制本技術(shù)的專利范圍，凡是利用本技術(shù)說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的
，均同理包括在本技術(shù)的專利保護(hù)范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種多功能內(nèi)存接口電路，其特征在于，包括信號輸入端、信號接收電路、檢測電路、控制電路、偏置發(fā)生電路和信號輸出端，所述信號輸入端、信號接收端、控制電路依次電性連接，所述檢測電路并聯(lián)在信號接收電路上，所述控制電路與偏置發(fā)生電路控制連接，所述偏置發(fā)生電路與信號輸出端電性連接。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多功能內(nèi)存接口電路，其特征在于，所述偏置發(fā)生電路與信號輸出端之間還連接有比較器。3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多功能內(nèi)存接口電路，其特征在于，所述信號接收電路包括單元信號接收器和差動信號接收器。4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多功能內(nèi)存接口電路，其特征在于，所述偏置發(fā)生電路包括帶PMOS管的上拉路徑偏置電路和帶NMOS管的下拉路徑偏置電路。5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多功能內(nèi)存接口電路，其特征在于，所述輸入信號端上還并 聯(lián)有保護(hù)電路。專利摘要本技術(shù)公開了一種多功能內(nèi)存接口電路，包括信號輸入端、信號接收電路、檢測電路、控制電路、偏置發(fā)生電路和信號輸出端，所述信號輸入端、信號接收端、控制電路依次電性連接，所述檢測電路并聯(lián)在信號接收電路上，所述控制電路與偏置發(fā)生電路控制連接，所述偏置發(fā)生電路與信號輸出端電性連接。通過上述方式，本技術(shù)多功能內(nèi)存接口電路能夠降低生產(chǎn)成本，運行狀況穩(wěn)定，能夠提供多種內(nèi)存接口的支持。文檔編號G11C7/10GK202650539SQ20122023338公開日2013年1月2日 申請日期2012年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月23日專利技術(shù)者陳 峰 申請人:常州芯奇微電子科技有限公司本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點】
一種多功能內(nèi)存接口電路，其特征在于，包括：信號輸入端、信號接收電路、檢測電路、控制電路、偏置發(fā)生電路和信號輸出端，所述信號輸入端、信號接收端、控制電路依次電性連接，所述檢測電路并聯(lián)在信號接收電路上，所述控制電路與偏置發(fā)生電路控制連接，所述偏置發(fā)生電路與信號輸出端電性連接。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳峰，
申請(專利權(quán))人：常州芯奇微電子科技有限公司，
類型：實用新型
國別省市：