本發明專利技術提供一種表面處理裝置及方法，包含有傳送裝置及涌泉座。傳送裝置用以傳輸基板，且涌泉座分別與對應的傳送裝置組配形成第一積液空間，各涌泉座設置有注液口，注液口連通對應的第一積液空間，且第一積液空間可積存由注液口所注入的處理液，藉由傳送裝置所傳輸的基板其下表面可接觸處理液，進行基板的表面處理工藝。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及ー種基板，尤其涉及針對基板的單ー個面進行處理的裝置及方法。
技術介紹
現代科技產品中半導體設備的應用相當廣泛，尤其是通訊、計算機、網絡、光電相關等電子設備中，半導體的硅基板存在是不可或缺的，而隨著市場對這些電子產品的需求日益増加，如何快速、有效率的改良半導體的生產エ藝并提供足供應付市場需求的半導體組件是各家廠商努力的目標。在一般半導體生產エ藝中，會依硅基板應用所需的設計條件不同而エ藝各有差異，其中有濕式化學蝕刻エ藝，此種濕エ藝有多種エ藝上的應用，例如，光阻劑剝除、氮化硅及氧化硅的去除等。一般而言，濕式化學蝕刻的硬設備包括用以進行主蝕刻反應(main etch process)、中介清洗(intermediary wash)、漂洗(rinse),及干燥(drying)等多個處理工藝。而濕式蝕刻エ藝中有一種蝕刻方式是將娃基板浸入蝕刻液中，使蝕刻液同時將娃基板的上下兩個表面同時進行蝕刻，另外ー種蝕刻方式則是針對硅基板的單ー個表面進行蝕刻エ藝，且不對基板上除了欲蝕刻表面以外的面進行處理，為達成此目的，在エ藝中蝕刻液只能觸及被指定蝕刻的表面，若非指定面的表面受蝕刻液沾染影響時，會影響到半導體組件的整體功能性，甚至可能會導致的部分范圍無法使用而必須放棄，所以硅基板進行單ー個面的蝕刻エ藝時，如何有效避免蝕刻液沾染波及非指定蝕刻的表面，成為業界一直關注的議題?，F有技術中，對硅基板單ー個面進行蝕刻時避免非指定蝕刻面沾染到蝕刻液的方法有多種，有的技術是另附加保護層(如光阻劑或黏膠)于硅基板非指定蝕刻的面上，以避免エ藝中侵蝕液的沾染，然而此法于蝕刻完成后必須多一道清除保護層的エ藝，不僅増加エ藝上的繁瑣，同時若清除不完全時還可能有殘膠而造成硅基板表面的污染，或者是在清除保護層的過程中而使基板產生刮傷，十分不便。有鑒于此，如何針對上述現有針對基板單ー個面的蝕刻方法及裝置所存在的缺點進行研發改良，讓使用者能夠更方便使用且制作成本降到最低，實為相關業界所需努力研發的目標。
技術實現思路
為了解決上述現有技術不盡理想之處，本專利技術提供了ー種基板表面處理蝕刻裝置，包含多個傳送裝置及涌泉座，多個傳送裝置用以傳輸基板，基板具有下表面。涌泉座分別間隔排列，井分別與對應的傳送裝置組配形成有第一積液空間，且各涌泉座設置有注液ロ，而各注液ロ分別連通對應的第一積液空間，且各第一積液空間可積存由各注液ロ所注入的處理液，藉此，經由各傳送裝置所傳輸的基板的下表面可接觸處理液。因此，本專利技術的主要目的是提供ー種基板表面處理裝置，此種基板表面處理裝置藉由涌泉座與傳送裝置所形成的第一積液空間，使基板的下表面藉由傳送裝置傳送經過涌泉座時與處理液接觸進行處理，達到處理基板指定單ー個面的效果。本專利技術的再一目的在是提供ー種基板表面處理裝置，涌泉座與傳送裝置所形成的第一積液空間，于涌泉座設置注液ロ而持續將處理液注入第一積液空間，以有效保持第一積液空間內的處理液濃度，因此可達到提升基板表面處理均勻度的目的。此外，本專利技術再提供ー種基板表面處理方法，包含提供多個傳送裝置；提供至少ー個涌泉座，各涌泉座分別間隔排列，并設置有注液ロ，且各涌泉座可與對應的傳送裝置組配形成有第一積液空間；執行注液步驟，由各注液ロ將處理液注入至第一積液空間；執行表面處理步驟，由各傳送裝置傳送基板依序通過各第一積液空間，以使各基板的下表面接觸處理液。 因此，本專利技術的主要目的是提供ー種基板表面處理方法，此種基板表面處理方法藉由傳送裝置將基板傳送通過涌泉座，再利用涌泉座與傳送裝置之間形成第一積液空間積存處理液，并使基板的下表面接觸處理液以進行基板下表面的處理，達到處理基板單ー個面的效果。本專利技術的再一目的是提供ー種基板表面處理方法，涌泉座與傳送裝置所形成的第ー積液空間，于涌泉座設置注液ロ而持續將處理液注入第一積液空間，以有效保持第一積液空間內的處理液濃度，因此可達到提升基板表面處理均勻度的目的。附圖說明圖I,為本專利技術基板表面處理裝置示意圖；圖2A，為本專利技術涌泉座立體示意圖；圖2B,為本專利技術多個第一翼板與ー個基座組合不意圖；圖3，為本專利技術包含第二翼板示意圖；圖4A,為本專利技術設置隔片不意圖；圖4B，為本專利技術設置隔片另ー實施態樣示意圖；圖5A,為本專利技術設置阻隔條不意圖；圖5B，為本專利技術設置阻隔條另ー實施態樣示意圖；圖6，為本專利技術基板表面處理方法流程圖。主要組件符號說明基板表面處理裝置I基板10下表面101處理液100傳送裝置11涌泉座12注液ロ121第一翼板122基座123擋板124第二翼板125排液ロ126第一積液空間13第二積液空間14隔片15隔片一端151 隔片ー側152隔片另ー側153阻隔條1具體實施例方式由于本專利技術公開ー種，以下文中所対照的附圖，表達與本專利技術特征有關的結構示意，并未亦不需要依據實際尺寸完整繪制，事先聲明。首先請參考圖I，本專利技術第一實施例提供ー種基板表面處理裝置I，包含有多個傳送裝置11及至少ー個涌泉座12。傳送裝置11可用來傳輸基板10，其所傳送的基板10具有下表面101 ;涌泉座12分別間隔排列，井分別與對應的傳送裝置11組配形成第一積液空間13，且各涌泉座12設置有注液ロ 121，各注液ロ 121分別與其對應的第一積液空間13連通，而注液ロ 121可提供基板10表面處理時所需的處理液100，當注液ロ 121在每單位時間內所注入的處理液100的流量大于處理液100排出第一積液空間13的量時，則剛注入的處理液100會積存于第一積液空間13中，而先前注入的處理液100則溢流出第一積液空間13，藉此，傳送裝置11傳送基板10通過涌泉座12時下表面101便可直接或間接地接觸處理液100，以進行基板10下表面101的處理工藝。當然，由于注液ロ 121持續將尚未接觸基板10的處理液100注入第一積液空間13，而接觸過基板10的處理液100則溢流或排出該第一積液空間13，進而可有效保持第一積液空間13內的處理液100濃度，因此可達到提升基板10表面處理均勻度的目的。請ー并參考圖2A，更進一歩地，該涌泉座12包含有第一翼板122及基座123，第一翼板122連設于基座123的ー側,故第一積液空間13可藉由傳送裝置11、第一翼板122及基座123組配形成。再者，在本專利技術各實施例中所述的涌泉座12中，還可以包含至少ー檔板124，各檔板124分別設置于基座123的端部，使得文件板124與傳送裝置11、第一翼板122及基座123形成第一積液空間13，藉由檔板124的設置而可提升該第一積液空間13的積液能力。此外,在本專利技術另一實施例中，涌泉座12亦可以為多個第一翼板122與一個基座123的組合(請參考圖2B)，各第一翼板122分別間隔地排列且連設于基座123上，并藉由第一翼板122與其所對應的傳送裝置11及該基座13組配形成第一積液空間13，在基座123可設置有排液ロ 126，藉以將多余的處理液103排出涌泉座12。請參考圖3，涌泉座12在基座123相對于第一翼板122的一側可進一步再設置第ニ翼板125，第二翼板125連設于基座123上，同時藉由第二翼板125、傳送裝置11及基座123可形成第二積液空間14，當然，第一積液空間13內的處理液100亦會流至該第二積液空間14而匯積于其內，而得以減緩第一本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種基板表面處理裝置，包含：多個傳送裝置，傳輸至少一基板，該基板具有一下表面；及至少一涌泉座，各涌泉座分別間隔排列，并分別與對應的傳送裝置組配形成有一第一積液空間，且各涌泉座設置有至少一注液口，而所述注液口分別連通對應的第一積液空間，且所述第一積液空間可積存由所述注液口所注入的處理液；藉此經由所述傳送裝置所傳輸的基板的下表面可接觸處理液。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：張書省，蔡嘉雄，劉仕偉，茹振宗，
申請(專利權)人：均豪精密工業股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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