一種晶體硅制絨前的清洗劑及清洗方法技術

本發明專利技術提供了一種晶體硅制絨前的清洗劑及清洗方法，該清洗劑包括以下組分：0.1wt%~5wt%的氫氧化鈉；1wt%~8wt%的過氧化氫；余量為水。本發明專利技術將待處理的晶體硅置于上述清洗劑中，依次進行第一超聲處理和第二超聲處理，完成對晶體硅的清洗。本發明專利技術提供的清洗方法僅經過兩次超聲處理即可實現對晶體硅制絨前的清洗，步驟少，操作簡單，易于控制，有利于效率的提高。而且，本發明專利技術提供的清洗劑能夠較徹底的實現對晶體硅的清洗，有利于后續制絨工序的進行。實驗結果表明，采用本發明專利技術提供的清洗劑和清洗方法對晶體硅進行清洗后制絨，得到的絨面晶體硅的合格率得到了提高、對光的反射率得到了降低，提高了絨面晶體硅的性能。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及晶體硅太陽能電池
，尤其涉及。
技術介紹
在能源和生態環境的雙重危機的背景下，太陽能等可再生能源越來越受到人們的重視。太陽能既是一種一次能源，又是可再生能源，它資源豐富，既無需運輸，又對環境無任何污染，是清潔能源，為人類創造了一種新的生活形態，使社會進入了一個節約能源少污染的時代。在對太陽能的利用方面，太陽能電池的研究開發工作得到了人們的高度重視，其中單晶硅太陽能電池由于其相對高的效率和低的成本而備受關注。 單晶硅太陽能電池制備過程中的重要環節之一就是單晶硅制絨，通過對單晶硅的表面制絨，在硅片表面會形成類似金字塔型的絨面結構，這種絨面結構可以有效地降低硅片表面對入射光的反射率，減少入射光的反射，提高太陽能電池對入射光的吸收，從而可以大大提高電池的轉換效率。目前已有的單晶硅制絨方法有化學腐蝕法、反應離子刻蝕法、光刻法和機械刻槽法等，其中化學腐蝕法因成本低、生產率高且方法簡單，一直在單晶硅太陽能電池產業上被廣泛地應用。在制絨前對硅片的清洗是太陽能電池生產中的第一道工序，其主要作用是驅除硅片表面的雜質損傷層和油脂、松香、蠟等有機污染，損傷層是在硅片切割過程中形成的表面(IOym左右)晶格畸變，具有較高的表面復合。傳統的前處理工藝是將待處理的晶體硅在第一超聲槽中超聲，超聲溫度為65度，去除晶體硅表面油脂、松香、蠟等有機污染；然后再將晶體硅在第二超聲槽超聲時間3分鐘，超聲溫度為50度；再將經過第二超聲的晶體硅置于水槽中在常溫下清洗3分鐘；然后再將得到的晶體硅置于盛有質量濃度為5%的氫氧化鈉的去損槽中清洗I分鐘，清洗溫度為80度，去除晶體硅表面的機械損傷層；最后將得到的晶體硅置于水槽中清洗I分鐘，清洗溫度為45度。然而，現有技術中這種傳統的前處理工藝步驟繁瑣，操作復雜，不利于效率的提高。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供，采用本專利技術提供的清洗劑和清洗方法對晶體硅制絨前進行清洗時，步驟少，操作簡單，有利于效率的提高。本專利技術提供了一種晶體硅制絨前的清洗劑，包括以下組分O. lwt% 5wt%的氫氧化鈉；lwt% 8wt%的過氧化氫；余量為水。優選的，包括O. 5wt% lwt%的氫氧化鈉。 優選的，包括I. 5wt°/T5wt%的過氧化氫。優選的，所述氫氧化鈉的純度大于等于98%。優選的，所述過氧化氫為電子級。本專利技術提供了一種晶體硅制絨前的清洗方法，包括以下步驟將晶體硅置于上述技術方案所述的清洗劑中，進行第一超聲處理；將所述進行第一超聲處理后的晶體硅在上述技術方案所述的清洗劑中進行第二超聲處理。優選的，所述第一超聲處理的溫度為55°C 75°C ；所述第一超聲處理的時間為120iT480S。優選的，所述第二超聲處理的溫度為40°C 60°C ；·所述第二超聲處理的時間為90s 390s。優選的，所述進行第二超聲處理后還包括以下步驟將所述進行第二超聲處理后的晶體硅進行水洗，完成對晶體硅的清洗。優選的，所述水洗的時間為90s 420s。本專利技術提供了，該清洗劑包括以下組分O. lwt°/T5wt%的氫氧化鈉；lwt°/T8wt%的過氧化氫；余量為水。本專利技術將待處理的晶體硅置于上述清洗劑中，依次進行第一超聲處理和第二超聲處理，完成對晶體硅的清洗。本專利技術提供的清洗方法僅經過兩次超聲處理即可實現對晶體硅制絨前的清洗，步驟少，操作簡單，過程易于控制，有利于效率的提聞。采用本專利技術提供的清洗劑對晶體硅進行清洗時，氫氧化鈉驅除了晶體硅表面的機械損傷層；過氧化氫具有較強的氧化性，能夠把有機物、無機物等雜質氧化成高價離子和氧化物而清除，因此，本專利技術提供的清洗劑能夠較徹底的實現對晶體硅的清洗，有利于后續制絨工序的進行；而且，本專利技術提供的清洗劑不會產生含氮的污染物，從而不會對環境造成污染；本專利技術提供的清洗劑成本較低，降低了晶體硅太陽能電池的生產成本。實驗結果表明，采用本專利技術提供的清洗劑和清洗方法對晶體硅進行清洗后制絨，得到的絨面晶體硅的合格率得到了提高、對光的反射率得到了降低，提高了絨面晶體硅的性能。具體實施例方式本專利技術提供了一種晶體硅制絨前的清洗劑，包括以下組分O. lwt% 5wt%的氫氧化鈉；lwt% 8wt%的過氧化氫；余量為水。本專利技術提供一種晶體硅制絨前的清洗劑，采用本專利技術提供的清洗劑對晶體硅進行制絨前的清洗時，步驟少，操作簡單，易于控制，有利于效率的提高。而且，采用本專利技術提供的清洗劑對晶體硅清洗后進行制絨，得到的絨面晶體硅的合格率較高，反射率較小，提高了絨面晶體硅的性能。 本專利技術提供的晶體硅制絨前的清洗劑包括O. lwt9T5wt%的氫氧化鈉，優選為O.5wt°/Tlwt%。在本專利技術中，氫氧化鈉能夠清洗掉晶體娃表面的機械損傷，有利于后續步驟中制絨的進行，而且得到的絨面結構大小適中，在保證低的反射率的前提下，有利于印刷電極燒結時形成良好的接觸。本專利技術對所述氫氧化鈉沒有特殊的限制，采用本領域技術人員熟知的氫氧化鈉即可，在本專利技術中，所述氫氧化鈉優選為分析純的氫氧化鈉，即純度大于等于98%的氫氧化鈉。本專利技術提供的晶體硅制絨前的清洗劑包括lwt9T8wt%的過氧化氫，優選為I.5wt9T5wt%。過氧化氫具有很強的氧化性，在本專利技術中，過氧化氫可以把有機物、無機物等雜質氧化成高價離子和氧化物而清除，而且能夠較徹底地清除完全。采用本專利技術提供的清洗劑對晶體硅進行制絨前的清洗，有利于后續步驟中制絨的進行，而且得到的絨面結構大小適中，在保證低的反射率的前提下，有利于印刷電極燒結時形成良好的接觸。本專利技術對所述過氧化氫沒有特殊的限制，采用本領域技術人員熟知的過氧化氫即可，在本專利技術中，所述過氧化氫優選為電子級；所述過氧化氫優選為過氧化氫水溶液，即雙氧水，采用本領域技術人員熟知的雙氧水即可，在本專利技術中，所述雙氧水的質量濃度優選為25°/Γ35%，更優選為30°/Γ32%;所述雙氧水的體積能夠使上述質量濃度的雙氧水在清洗劑中過氧化氫的質量濃度為lwt% 8wt%即可。本專利技術提供的晶體硅制絨前的清洗劑的余量為水，將上述技術方案所述的氫氧化鈉和過氧化氫混合均勻，實現對晶體硅的清洗。本專利技術對所述水沒有特殊的限制，采用本領 域技術人員熟知的水即可，在本專利技術中，所述水優選為純水。采用本專利技術提供的清洗劑對晶體硅進行制絨前的清洗時，能夠較徹底的除去晶體硅表面的機械損傷和有機污染等，有利于后續制絨工藝的進行，而且得到的絨面晶體硅的合格率得到了提高，對光的反射率得到了降低，提高了絨面晶體硅的性能。而且，本專利技術提供的清洗劑不會產生含氮污染物，環保。本專利技術提供了一種晶體硅制絨前的清洗方法，包括以下步驟將晶體硅置于上述技術方案所述的清洗劑中，進行第一超聲處理；將所述進行第一超聲處理后的晶體硅在上述技術方案所述的清洗劑中進行第二超聲處理。本專利技術首先將待處理的晶體硅置于上述技術方案所述的清洗劑中進行第一超聲處理。本專利技術對所述超聲的方法沒有特殊的限定，采用本領域技術人員熟知的超聲的技術方案即可，在本專利技術中，優選將上述技術方案所述的清洗劑置于第一超聲槽中，將待處理的晶體硅置于盛有清洗劑的第一超聲槽中進行第一超聲處理；所述第一超聲處理的溫度優選為55°C 75°C，更優選為60°C "70°C ;所述第一超聲處理的時間優選為120s 480s，更優選為 150s 1本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種晶體硅制絨前的清洗劑，包括以下組分：0.1wt%~5wt%的氫氧化鈉；1wt%~8wt%的過氧化氫；余量為水。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：汪琴霞，
申請(專利權)人：浚鑫科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：