【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及一種表面覆膜的單晶硅片。
技術(shù)介紹
隨著太陽能電池市場(chǎng)的快速成長(zhǎng)，單晶硅在對(duì)光的吸收過程中，有一部分光會(huì)因?yàn)閱尉Ч璞旧淼姆垂馐沟霉獗环瓷涑鋈ィ瑥亩沟脤?duì)光的利用率較低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種對(duì)光利用率高的表面覆膜的單晶硅片。 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)為一種表面覆膜的單晶硅片，該單晶硅片包括硅片本體，硅片本體包括吸光面與背面；其中，所述的吸光面上覆有一層氮化硅膜。其中，所述的氮化娃膜的厚度為73nnT77nm。采用在吸光面上覆一層氮化硅膜，尤其是這層氮化硅膜的厚度在73nnT77nm之間，使得這層氮化硅膜呈深藍(lán)色，對(duì)光的折射率在I. 9-2. I之間；減少對(duì)光的反射,增加了單晶娃片對(duì)光的吸收，從而提聞了轉(zhuǎn)換效率。附圖說明圖I是本技術(shù)實(shí)施例產(chǎn)品的側(cè)視圖。具體實(shí)施方式請(qǐng)參閱圖1，一種表面覆膜的單晶硅片，該單晶硅片包括硅片本體1，硅片本體的一面為吸光面2與另一面為背面，吸光面2上覆有I層厚度在73nnT77nm之間的氮化硅膜3。采用在吸光面上覆一層氮化硅膜，尤其是這層氮化硅膜的厚度在73nnT77nm之間，使得這層氮化硅膜呈深藍(lán)色，對(duì)光的折射率在I. 9-2. I之間；減少對(duì)光的反射,增加電池片對(duì)光的吸收，從而提聞轉(zhuǎn)換效率。權(quán)利要求1.一種表面覆膜的單晶硅片，該單晶硅片包括硅片本體，硅片本體包括吸光面與背面；其特征在于所述的吸光面上覆有一層氮化硅膜。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種表面覆膜的單晶硅片，其特征在于所述的氮化硅膜的厚度為 73nnT77nm。專利摘要本技術(shù)涉及一種表面覆膜的單晶硅片，該單晶硅片包括硅片本體，硅片本...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種表面覆膜的單晶硅片，該單晶硅片包括硅片本體，硅片本體包括吸光面與背面；其特征在于：所述的吸光面上覆有一層氮化硅膜。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：周日發(fā)，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：浙江奧博新能源有限公司，
類型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：
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