一種低損傷高鈍化的太陽能電池制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)涉及一種低損傷高鈍化的太陽能電池，具有太陽能電池硅片，所述的太陽能電池硅片正面具有厚度為5～20nm的SiO2薄膜層，所述的SiO2薄膜層正面具有厚度為30～50nm折射率為2.3～2.7的第一氮化硅薄膜層，所述的第一氮化硅薄膜層正面具有厚度為35～50nm折射率為1.8～2.0的第二氮化硅薄膜層。本實(shí)用新型專利技術(shù)提高了電池片的鈍化效果，減弱了PECVD對晶體硅表面損傷，降低對太陽波長的反射，提高對光的吸收率，從而提高電池效率。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及ー種低損傷高鈍化的太陽能電池。
技術(shù)介紹
目前普通晶體硅電池正面主要采用氮化硅做減反反射層以及氮化硅中所含氫做鈍化，由于氫在高溫下容易以氣體態(tài)溢出，所以并不能很好起到鈍化效果，從而使氮化硅鈍化效果較差。在用PECVD沉積氮化硅過程中由于固定硅烷以及氨氣流量造成生成的氮化硅折射率単一，不利于降低電池片的反射率
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種低損傷高鈍化的太陽能電池，提聞減反射效果，提聞電池效率。本技術(shù)解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種低損傷高鈍化的太陽能電池，其特征在于具有太陽能電池硅片，所述的太陽能電池硅片正面具有厚度為5 20nm的SiO2薄膜層，所述的SiO2薄膜層正面具有厚度為30 50nm折射率為2. 3 2. 7的第一氮化硅薄膜層，所述的第一氮化硅薄膜層正面具有厚度為35 50nm折射率為I. 8 2. O的第二氮化娃薄膜層。進(jìn)ー步地，所述的第二氮化硅薄膜層、第一氮化硅薄膜層制作時(shí)所需的硅烷及氨氣流量比例不同。本技術(shù)的有益效果是不同折射率的氮化硅有利于降低在較寬波長范圍內(nèi)的反射率，增加晶體硅對光的吸收，提高電池效率。不同折射率的氮化硅薄膜可以在同一步驟操作完成，有利于節(jié)省成本，適用于大規(guī)模生產(chǎn)。本技術(shù)提高了電池片的鈍化效果，減弱了 PECVD對晶體硅表面損傷，降低對太陽波長的反射，提高對光的吸收率，從而提高電池效率。以下結(jié)合附圖對本技術(shù)進(jìn)ー步說明。圖I是本技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖；其中1.太陽能電池硅片，2. SiO2薄膜層，3.第一氮化硅薄膜層，4.第二氮化硅薄膜層。具體實(shí)施方式現(xiàn)在結(jié)合附圖對本技術(shù)作進(jìn)ー步的說明。這些附圖均為簡化的示意圖僅以示意方式說明本技術(shù)的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本技術(shù)有關(guān)的構(gòu)成。如圖I所示，一種低損傷高鈍化的太陽能電池，具有太陽能電池硅片1，太陽能電池硅片I正面具有厚度為5 20nm的SiO2薄膜層2，SiO2薄膜層2正面具有厚度為30 50nm折射率為2. 3 2. 7的第一氮化硅薄膜層3，第一氮化硅薄膜層3正面具有厚度為35 50nm折射率為I. 8 2. O的第二氮化娃薄膜層4。第二氮化娃薄膜層4、第一氮化娃薄膜層3制作時(shí)所需的硅烷及氨氣流量比例不同。本技術(shù)的低損傷高鈍化的太陽能電池的制作方法為在擴(kuò)散以及后清洗后的太陽能電池硅片I正面采用熱氧化或者CVD等方法生成ー層厚度為5 20nm的SiO2膜層2，在SiO2薄膜層2上面采用PECVD沉積ー層厚度為30 50nm折射率為2. 3 2. 7第一氮化硅薄膜層3，然后通過改變硅烷以及氨氣流量比例生成ー層厚度為35 50nm折射率為I. 8 2. O的第二氮化硅薄膜層4。通過改變硅烷以及氨氣流量比例，促使薄膜反射曲線有兩個(gè)以及多個(gè)反射低點(diǎn)，從而促使太陽能電池硅片I在較寬波長內(nèi)有較低的反射率。本技術(shù)中SiO2薄膜層2的作用(I)提高太陽能電池硅片I中晶體硅表面晶格完整性，減少晶體硅表面缺陷態(tài)密度，提高鈍化效果； (2)減少用PECVD沉積氣化娃中聞能量尚子對晶體娃表面損傷,有利于保護(hù)晶體娃表面的破壞。第一氮化硅薄膜層3與第二氮化硅薄膜層4形成的雙層氮化硅結(jié)構(gòu)的作用(I)不同折射率氮化硅薄膜層有利于降低在較寬波長范圍內(nèi)的反射率，增加晶體硅對光的吸收，提高電池效率。(2)不同折射率的氮化硅薄膜層可以在同一步驟操作完成，有利于節(jié)省成本，適用于大規(guī)模生產(chǎn)。本技術(shù)中SiO2薄膜層2鈍化性能最強(qiáng)，并制備較為簡単，能快速生成，能保證晶體硅晶格結(jié)構(gòu)完整性，提高鈍化效果。晶體硅上面有SiO2薄膜層2的保護(hù)能避免PECVD制備氣化娃時(shí)對晶體娃的損傷，減少晶體娃表面缺陷密度，從而有利于提聞電池效率。本技術(shù)中不同折射率的氮化硅有利于降低在較寬波長范圍內(nèi)的反射率，増加晶體硅對光的吸收，提高電池效率。不同折射率的氮化硅薄膜可以在同一步驟操作完成，有利于節(jié)省成本，適用于大規(guī)模生產(chǎn)。本專利技術(shù)提高了電池片的鈍化效果，減弱了 PECVD對晶體娃表面損傷，降低對太陽波長的反射，提聞對光的吸收率，從而提聞電池效率。以上述依據(jù)本技術(shù)的理想實(shí)施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項(xiàng)技術(shù)技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行多祥的變更以及修改。本項(xiàng)技術(shù)的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種低損傷高鈍化的太陽能電池，其特征在于：具有太陽能電池硅片（1），所述的太陽能電池硅片（1）正面具有厚度為5～20nm的SiO2薄膜層（2），所述的SiO2薄膜層（2）正面具有厚度為30～50nm折射率為2.3～2.7的第一氮化硅薄膜層（3），所述的第一氮化硅薄膜層（3）正面具有厚度為35～50nm折射率為1.8～2.0的第二氮化硅薄膜層（4）。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種低損傷高鈍化的太陽能電池，其特征在于具有太陽能電池硅片(1)，所述的太陽能電池硅片(I)正面具有厚度為5 20nm的SiO2薄膜層(2)，所述的SiO2薄膜層(2)正 面具...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張勇，
申請(專利權(quán))人：常州天合光能有限公司，
類型：實(shí)用新型
國別省市：