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本實用新型涉及一種低損傷高鈍化的太陽能電池,具有太陽能電池硅片,所述的太陽能電池硅片正面具有厚度為5~20nm的SiO2薄膜層,所述的SiO2薄膜層正面具有厚度為30~50nm折射率為2.3~2.7的第一氮化硅薄膜層,所述的第一氮化硅薄膜層...該專利屬于常州天合光能有限公司所有,僅供學(xué)習(xí)研究參考,未經(jīng)過常州天合光能有限公司授權(quán)不得商用。