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本實用新型涉及一種低損傷高鈍化的太陽能電池，具有太陽能電池硅片，所述的太陽能電池硅片正面具有厚度為5～20nm的SiO2薄膜層，所述的SiO2薄膜層正面具有厚度為30～50nm折射率為2.3～2.7的第一氮化硅薄膜層，所述的第一氮化硅薄膜層...該專利屬于常州天合光能有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過常州天合光能有限公司授權(quán)不得商用。