太赫茲波產(chǎn)生裝置、相機、成像裝置和測量裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)涉及太赫茲波產(chǎn)生裝置、相機、成像裝置和測量裝置。該太赫茲波產(chǎn)生裝置的特征在于，具備：產(chǎn)生脈沖光的第1光源和第2光源；和天線，其被由上述第1光源和上述第2光源產(chǎn)生的脈沖光照射從而產(chǎn)生太赫茲波，上述天線具有隔著間隔而對置配置的一對電極，上述第1光源和上述第2光源被構(gòu)成為，相互錯開時刻來對上述一對電極間照射脈沖光。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及太赫茲波產(chǎn)生裝置、相機、成像裝置和測量裝置。
技術(shù)介紹
近年來，具有IOOGHz以上、30THz以下的頻率的電磁波即太赫茲波受到關(guān)注。太赫茲波例如能夠用于成像、分光測量等的各測量、無損檢測等。產(chǎn)生該太赫茲波的太赫茲波產(chǎn)生裝置具備產(chǎn)生具有近P秒(數(shù)百f秒)左右的脈沖寬度的光脈沖(脈沖光)的光源裝置、和通過被照射由光源裝置產(chǎn)生的光脈沖而產(chǎn)生太赫茲波的天線(例如參照專利文獻I)。另外，在現(xiàn)有的太赫茲波產(chǎn)生裝置中，從一個光源裝置向天線的一對電極的電極間照射光脈沖。 但是，在上述現(xiàn)有的太赫茲波產(chǎn)生裝置中，具有如下的缺點，即只能產(chǎn)生具有一定的頻率分布的太赫茲波。專利文獻I :日本特開2006 - 10319號公報
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于，提供一種能夠調(diào)整太赫茲波的頻率分布的太赫茲波產(chǎn)生裝置、相機、成像裝置以及測量裝置。上述的目的通過下述的本專利技術(shù)來實現(xiàn)。本專利技術(shù)的太赫茲波產(chǎn)生裝置的特征在于，具備產(chǎn)生脈沖光的第I光源和第2光源；和天線，其被由上述第I光源和上述第2光源產(chǎn)生的脈沖光照射而產(chǎn)生太赫茲波，上述天線具有隔著間隔而對置配置的一對電極，上述第I光源和上述第2光源被構(gòu)成為，相互錯開時刻來對上述一對電極間照射脈沖光。由此，能夠容易且可靠地調(diào)整太赫茲波的頻率分布。在本專利技術(shù)的太赫茲波產(chǎn)生裝置中，優(yōu)選上述脈沖光的照射時刻的錯開量小于該脈沖光的脈沖寬度。由此，能夠容易且可靠地調(diào)整太赫茲波的頻率分布。在本專利技術(shù)的太赫茲波產(chǎn)生裝置中，優(yōu)選上述第I光源和上述第2光源分別是半導體激光器。由此，能夠提供小型且簡易的太赫茲波產(chǎn)生裝置。在本專利技術(shù)的太赫茲波產(chǎn)生裝置中，優(yōu)選上述第I光源和上述第2光源被一體化。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)太赫茲波產(chǎn)生裝置的小型化。本專利技術(shù)的太赫茲波產(chǎn)生裝置的特征在于，具備產(chǎn)生脈沖光的第I光源、第2光源、第3光源和第4光源；和天線，其被由上述第I光源、上述第2光源、上述第3光源和上述第4光源產(chǎn)生的脈沖光照射而產(chǎn)生太赫茲波，上述天線具有隔著間隔而對置配置的第I 一對電極和第2 —對電極，上述第I光源和上述第2光源被構(gòu)成為，相互錯開時刻來對上述第I一對電極間照射脈沖光，上述第3光源和上述第4光源被構(gòu)成為，相互錯開時刻來對上述第2 —對電極間照射脈沖光,從上述第I光源發(fā)出的脈沖光和從上述第2光源發(fā)出的脈沖光中的至少一個、與從上述第3光源發(fā)出的脈沖光和從上述第4光源發(fā)出的脈沖光中的至少一個的相位不同。由此，能夠容易且可靠地調(diào)整太赫茲波的頻率分布，還能夠變更太赫茲波的射出方向。在本專利技術(shù)的太赫茲波產(chǎn)生裝置中，優(yōu)選為，對上述第I 一對電極間照射的脈沖光的照射時刻的錯開量小于該脈沖光的脈沖寬度，對上述第2 —對電極間照射的脈沖光的照射時刻的錯開量小于該脈沖光的脈沖寬度。由此，能夠容易且可靠地調(diào)整太赫茲波的頻率分布。在本專利技術(shù)的太赫茲波產(chǎn)生裝置中，優(yōu)選為，從上述第I光源發(fā)出的脈沖光以及從上述第2光源發(fā)出的脈沖光、和從上述第3光源發(fā)出的脈沖光以及從上述第4光源發(fā)出的 脈沖光的相位互不相同的脈沖光彼此的錯開量小于該脈沖光的脈沖寬度。由此，能夠容易且可靠地變更太赫茲波的射出方向。在本專利技術(shù)的太赫茲波產(chǎn)生裝置中，優(yōu)選為上述第I光源、上述第2光源、上述第3光源和上述第4光源分別是半導體激光器。由此，能夠提供小型且簡易的太赫茲波產(chǎn)生裝置。在本專利技術(shù)的太赫茲波產(chǎn)生裝置中，優(yōu)選為上述第I光源、上述第2光源、上述第3光源和上述第4光源被一體化。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)太赫茲波產(chǎn)生裝置的小型化。在本專利技術(shù)的太赫茲波產(chǎn)生裝置中，優(yōu)選為上述第I 一對電極中的一個與上述第2一對電極中的一個電連接。由此，能夠提供簡易的太赫茲波產(chǎn)生裝置。本專利技術(shù)的相機的特征在于，具備產(chǎn)生太赫茲波的太赫茲波產(chǎn)生裝置；和太赫茲波檢測裝置，其對從上述太赫茲波產(chǎn)生裝置射出、并透過對象物或被對象物反射的太赫茲波進行檢測，上述太赫茲波產(chǎn)生裝置具備產(chǎn)生脈沖光的第I光源以及第2光源；和天線，其被由上述第I光源和上述第2光源產(chǎn)生的脈沖光照射而產(chǎn)生太赫茲波，上述天線具有隔著間隔而對置配置的一對電極，上述第I光源和上述第2電源被構(gòu)成為，相互錯開時刻來對上述一對電極間照射脈沖光。由此，能夠提供具有上述本專利技術(shù)的效果的相機。本專利技術(shù)的成像裝置的特征在于，具備產(chǎn)生太赫茲波的太赫茲波產(chǎn)生裝置；太赫茲波檢測裝置，其對從上述太赫茲波產(chǎn)生裝置射出、并透過對象物或被對象物反射的太赫茲波進行檢測；和圖像形成部，其根據(jù)上述太赫茲波檢測裝置的檢測結(jié)果來生成上述對象物的圖像，上述太赫茲波產(chǎn)生裝置具備產(chǎn)生脈沖光的第I光源以及第2光源；和天線，其被由上述第I光源和上述第2光源產(chǎn)生的脈沖光照射而產(chǎn)生太赫茲波，上述天線具有隔著間隔而對置配置的一對電極，上述第I光源和上述第2光源被構(gòu)成為，相互錯開時刻來對上述一對電極間照射脈沖光。由此，能夠提供具有上述本專利技術(shù)的效果的成像裝置。本專利技術(shù)的測量裝置的特征在于，具備產(chǎn)生太赫茲波的太赫茲波產(chǎn)生裝置；太赫茲波檢測裝置，其對從上述太赫茲波產(chǎn)生裝置射出、并透過對象物或被對象物反射的太赫茲波進行檢測；和測量部，其根據(jù)上述太赫茲波檢測裝置的檢測結(jié)果來對上述對象物進行測量，上述太赫茲波產(chǎn)生裝置具備產(chǎn)生脈沖光的第I光源以及第2光源；和天線，其被由上述第I光源和上述第2光源產(chǎn)生的脈沖光照射而產(chǎn)生太赫茲波，上述天線具有隔著間隔而對置配置的一對電極，上述第I光源和上述第2光源被構(gòu)成為，相互錯開時刻來對上述一對電極間照射脈沖光。由此，能夠提供具有上述本專利技術(shù)的效果的測量裝置。附圖說明圖I是示意性地表示本專利技術(shù)的太赫茲波產(chǎn)生裝置的第I實施方式的立體圖。圖2是圖I所示的太赫茲波產(chǎn)生裝置的光源裝置的截面立體圖。圖3是圖2中的A — A線的截面圖。 圖4是圖2中的B — B線的截面圖。圖5是示意性表示本專利技術(shù)的太赫茲波產(chǎn)生裝置的第2實施方式的立體圖。圖6是圖5所示的太赫茲波產(chǎn)生裝置的光源裝置的截面立體圖。圖7是示意性地表示本專利技術(shù)的太赫茲波產(chǎn)生裝置的第3實施方式的立體圖。圖8是示意性地表示本專利技術(shù)的太赫茲波產(chǎn)生裝置的第4實施方式中的光源單元的俯視圖。圖9是示意性地表示本專利技術(shù)的太赫茲波產(chǎn)生裝置的第5實施方式中的光源裝置的俯視圖。圖10是示意性地表示本專利技術(shù)的太赫茲波產(chǎn)生裝置的第6實施方式中的光源裝置的俯視圖。圖11是表示本專利技術(shù)的成像裝置的實施方式的框圖。圖12是表示圖11所示的成像裝置的太赫茲波檢測裝置的俯視圖。圖13是表示對象物的太赫茲頻帶中的頻譜的圖表。圖14是表示對象物的物質(zhì)A、B和C的分布的圖像的圖。圖15是表示本專利技術(shù)的測量裝置的實施方式的框圖。圖16是表示本專利技術(shù)的相機的實施方式的框圖。具體實施例方式下面根據(jù)附圖所示的優(yōu)選實施方式來詳細說明本專利技術(shù)的太赫茲波產(chǎn)生裝置、相機、成像裝置以及測量裝置。第I實施方式圖I是示意性地表示本專利技術(shù)的太赫茲波產(chǎn)生裝置的第I實施方式的立體圖，圖2是圖I所示的太赫茲波產(chǎn)生裝置的光源裝置的截面立體圖，圖3是圖2中的A — A線的截面圖，圖4是圖2中的B — B線的截面圖。另外，在圖I中，放大表示了由虛線包圍的部分。如圖I所示那樣，太赫茲波產(chǎn)生裝置I具備基板181 ;設(shè)置在基板181上的裝載(sub-mount)基板182 ;光源單元10，其設(shè)置于裝載基板182，且具有并排設(shè)置的2個光源裝置3a和3b，并且產(chǎn)生出射的時本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種太赫茲波產(chǎn)生裝置，其特征在于，具備：第1光源和第2光源，產(chǎn)生脈沖光；和天線，被由所述第1光源和所述第2光源產(chǎn)生的脈沖光照射而產(chǎn)生太赫茲波，所述天線具有隔著間隔而對置配置的一對電極，所述第1光源和所述第2光源被構(gòu)成為，相互錯開時刻來對所述一對電極間照射脈沖光。

【技術(shù)特征摘要】
2011.06.24 JP 2011-1410891.一種太赫茲波產(chǎn)生裝置，其特征在于，具備 第I光源和第2光源,產(chǎn)生脈沖光；和 天線，被由所述第I光源和所述第2光源產(chǎn)生的脈沖光照射而產(chǎn)生太赫茲波， 所述天線具有隔著間隔而對置配置的一對電極， 所述第I光源和所述第2光源被構(gòu)成為，相互錯開時刻來對所述一對電極間照射脈沖光。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的太赫茲波產(chǎn)生裝置，其特征在于， 所述脈沖光的照射時刻的錯開量小于該脈沖光的脈沖寬度。3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的太赫茲波產(chǎn)生裝置，其特征在于， 所述第I光源和所述第2光源分別是半導體激光器。4.根據(jù)權(quán)利要求I 3中的任意一項所述的太赫茲波產(chǎn)生裝置，其特征在于， 所述第I光源和所述第2光源被一體化。5.一種太赫茲波產(chǎn)生裝置，其特征在于，具備 第I光源、第2光源、第3光源和第4光源,產(chǎn)生脈沖光；和 天線，被由所述第I光源、所述第2光源、所述第3光源和所述第4光源產(chǎn)生的脈沖光照射而產(chǎn)生太赫茲波， 所述天線具有隔著間隔而對置配置的第I一對電極和第2 —對電極， 所述第I光源和所述第2光源被構(gòu)成為，相互錯開時刻來對所述第I 一對電極間照射脈沖光， 所述第3光源和所述第4光源被構(gòu)成為，相互錯開時刻來對所述第2 —對電極間照射脈沖光， 從所述第I光源發(fā)出的脈沖光和從所述第2光源發(fā)出的脈沖光中的至少一個、與從所述第3光源發(fā)出的脈沖光和從所述第4光源發(fā)出的脈沖光中的至少一個的相位不同。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太赫茲波產(chǎn)生裝置，其特征在于， 對所述第I一對電極間照射的脈沖光的照射時刻的錯開量小于該脈沖光的脈沖寬度，對所述第2 —對電極間照射的脈沖光的照射時刻的錯開量小于該脈沖光的脈沖寬度。7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的太赫茲波產(chǎn)生裝置，其特征在于， 從所述第I光源發(fā)出的脈沖光以及從所述第2光源發(fā)出的脈沖光、和從所述第3光源發(fā)出的脈沖光以及從所述第4光源發(fā)出的脈沖光的相位互不相同的脈沖光彼此的錯開量小于該脈沖光的脈沖寬度。8.根據(jù)權(quán)利要求5 7中的任意一項所述的太赫茲波產(chǎn)生裝置，...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：富岡纮斗，
申請(專利權(quán))人：精工愛普生株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：