層疊膜及其使用制造技術

本發明專利技術提供能夠容易且準確地對經三維安裝的半導體元件間的空間進行填充的層疊膜。本發明專利技術的層疊膜是用于對通過連接用構件而電連接的半導體元件間的空間進行填充的層疊膜，所述層疊膜具備在基材上層疊有粘合劑層的切割片和層疊在上述粘合劑層上的固化性膜，上述固化性膜在50～200℃下的最低熔融粘度為1×102Pa·s以上1×104Pa·s以下。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及層疊膜及其使用。
技術介紹
近年來，進ー步需要半導體裝置及其封裝的薄型化、小型化。因此，作為半導體裝置及其封裝，已在廣泛地利用通過倒裝片接合將半導體芯片等半導體元件安裝(倒裝片連接)在基板上而得的倒裝片型的半導體裝置。該倒裝片連接是以半導體芯片的電路面與基板的電極形成面相對的方式進行固定的連接方式。在倒裝片連接后，為了保護半導體元件表面、確保半導體元件與基板之間的連接可靠性，需要向半導體元件與基板之間的空間填充密封樹脂。作為這樣的密封樹脂，雖然廣泛使用的是液態的密封樹脂，但是利用液態的密封樹脂難以進行注入位置、注入量的調節。因此，還提出了使用片狀的密封樹脂對半導體元·件與基板之間的空間進行填充的技術(專利文獻I)。進而，以半導體元件的高密度集成化為目的，開發了使半導體元件在其厚度方向上層疊多段的三維安裝技術。作為用于三維安裝的半導體元件，例如，可舉出使形成于半導體元件的雙面的焊盤等連接用構件通過通孔進行電連接的、被稱為TSV(Through SiliconVia)形式的半導體元件等。通過按照下段(基板側)的半導體元件中的連接用構件與上段的半導體元件中的連接用構件的位置對應的方式預先形成連接用構件，從而能夠更容易且準確地進行三維安裝。專利文獻專利文獻I :日本特開平10-289969號公報
技術實現思路
專利技術所要解決的課題在對半導體元件進行三維安裝的情況下，與半導體元件與基板之間的樹脂密封相同，需要進行半導體元件間的空間的樹脂密封。但是，在使用液態的密封樹脂填充半導體元件間的空間的情況下，與向半導體元件與基板之間的空間的填充相比，更加難以調節注入位置、注入量，例如，若注入量過剩，則液態的密封樹脂從半導體元件間的空間溢出，附著于與填充空間相反側的表面或附著于基板。另外，在三維安裝的情況下，在以片狀的密封樹脂向半導體元件表面進行貼附時，不僅需要平面方向的位置對合，還需要高度方向(層疊方向)的位置對合，結果，使半導體裝置的制造エ藝變得復雜，難以實現高效化。進而，片狀的密封樹脂與液態的密封樹脂不同，無法在層疊半導體元件后對半導體元件間的空間的填充程度進行調節，因此，有時無法對該空間進行充分地填充。本專利技術的目的在于提供一種能夠容易且準確地對三維安裝后的半導體元件間的空間進行填充的層疊膜。本申請專利技術人等進行了深入的研究，結果發現通過采用下述構成而能夠實現上述目的，從而完成了本專利技術。S卩，為了解決上述的課題，本專利技術的層疊膜是用于對介由連接用構件進行電連接的半導體元件間的空間進行填充的層疊膜，所述層疊膜具備在基材上層疊有粘合劑層的切割片和層疊在上述粘合劑層上的固化性膜，上述固化性膜在50 200°C下的最低熔融粘度為 I X IO2Pa · s 以上 I X IO4Pa · s 以下。在本專利技術的層疊膜中，使固化性膜在50 200°C下的最低熔融粘度為IXlO2Pa^以上lX104Pa· s以下。由此，能夠使連接用構件容易地進入到固化性膜中。另外，能夠防止在半導體元件進行電連接時在固化性膜間出現空隙以及固化性膜從半導體元件間的空間中溢出。應予說明，最低熔融粘度的測定按照實施例中所述的步驟進行。在該層疊膜中，上述固化性膜優選由含有環氧樹脂和酚醛樹脂的膠粘劑組合物構成。上述膠粘劑組合物優選進一歩含有丙烯酸系共聚物。通過由這樣的材料構成固化性膜，從而能夠容易地對固化性膜的最低熔融粘度進行調整。本專利技術涉及用于對介由連接用構件進行了電連接的半導體元件間的空間進行填 充的上述層疊膜的使用，所述層疊膜的使用還包括使半導體晶片的形成有連接用構件的面與上述層疊膜的固化性膜進行貼合；對半導體晶片進行切割，形成半導體元件；從上述切割片上揀出上述固化性膜與上述半導體的層疊體；通過上述連接用構件將上述層疊體進行電連接，并且，使上述固化性膜間進行接合，然后，以上述固化性膜對半導體元件間的空間進行填充；上述連接用構件的高度Χ( μ m)與上述硬化膜的厚度Υ( μ m)滿足下述的關系，I. O ^ Y/X ^ I. 7o通過該層疊膜的上述使用，不產生固化性膜間的空隙和固化性膜從半導體元件間的空間中溢出，就能夠良好地對半導體元件間的空間進行填充。附圖說明圖I為表示本專利技術的一種實施方式所述的層疊膜的剖面示意圖。圖2為表示本專利技術的其他的實施方式所述的層疊膜的剖面示意圖。圖3為表示本專利技術的一種實施方式所述的半導體裝置的剖面示意圖。圖4為表示三維安裝有半導體芯片的半導體裝置的制造エ序的剖面示意圖。具體實施例方式(層疊膜)首先，對本實施方式所述的層疊膜進行如下說明。如圖I所示，層疊膜10具備在基材I上層疊有粘合劑層2的切割片(“切割片”的日語ダィシンゲシート)、和層疊在粘合劑層2上的固化性膜3。另外，如圖2所示，可以為僅在半導體晶片4的貼附部分形成固化性膜3’的構成。應予說明，在本說明書中，固化性膜3和固化性膜3’相當于固化性膜。(切割片)切割片具備基材I和層置于所述基材上的粘合劑層2。(基材)上述基材I為層疊膜10、11的強度基礎。例如可舉出低密度聚こ烯、直鏈狀聚こ烯、中密度聚こ烯、高密度聚こ烯、超低密度聚こ烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴，こ烯-こ酸こ烯酯共聚物、離聚物樹脂、こ烯_(甲基)丙烯酸共聚物、こ烯_(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、こ烯-丁烯共聚物、こ烯-己烯共聚物，聚氨酷、聚對苯ニ甲酸こニ醇酯、聚萘ニ甲酸こニ醇酯等聚酯，聚碳酸酷、聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺(紙)、玻璃、玻璃布、氟樹脂、聚氯こ烯、聚偏ニ氯こ烯、纖維素系樹脂、硅樹脂、金屬(箔)、紙等。應予說明，在通過放射線照射對粘合劑層2進行固化的情況下，基材I優選采用具有放射線透射性的基材。另外，作為基材I的材料，可舉出上述樹脂的交聯體等聚合物。上述塑料膜可以在無拉伸的狀態下使用，根據需要，還可以使用實施了單軸或雙軸的拉伸處理而得的材料。利用通過拉伸處理等而賦予了熱收縮性的樹脂片，通過在切割后使上述基材I進行熱收縮，從而能夠使粘合劑層2與固化性膜3、3’的粘接面積降低，實現半導體芯片的回收的容易 化。為了提高基材I的表面與鄰接的層的密合性、保持性等，可實施慣用的表面處理，例如可實施鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化放射線處理等化學的或物理的處理，基于底涂劑(例如后述的粘合物質)的涂布處理。上述基材I可適當選擇使用同種或不同種的基材，根據需要，可使用混合數種而得的基材。另外，為了對基材I賦予防靜電干擾能力，可以在上述基材I上設置包含金屬、合金、它們的氧化物等的厚30 500A左右的導電性物質的蒸鍍層?；腎可以為單層或2種以上的多層?；腎的厚度沒有特別限定，可適當地確定，但通常為5 200 μ m左右。(粘合劑層)作為在粘合劑層的形成中使用的粘合劑，沒有特別限定，例如可使用丙烯酸系粘合剤、橡膠系粘合劑等普通的壓敏性粘合劑。作為上述壓敏性粘合剤，從半導體晶片或玻璃等忌避污染的電子部件的借助超純水或醇等有機溶劑的潔凈清洗性等方面出發，優選以丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物(base polymer)的丙烯酸系粘合劑。作為上述丙烯酸系聚合物，可舉出以丙烯酸酯為主要単體本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種層疊膜，其是用于對通過連接用構件而電連接的半導體元件間的空間進行填充的層疊膜，所述層疊膜具備在基材上層疊有粘合劑層的切割片和層疊在所述粘合劑層上的固化性膜，所述固化性膜在50～200℃下的最低熔融粘度為1×102Pa·s以上1×104Pa·s以下。

【技術特征摘要】
2011.06.22 JP 2011-1384381.一種層疊膜，其是用于對通過連接用構件而電連接的半導體元件間的空間進行填充的層疊膜， 所述層疊膜具備在基材上層疊有粘合劑層的切割片和層疊在所述粘合劑層上的固化性膜， 所述固化性膜在50 200°C下的最低熔融粘度為I X IO2Pa *s以上I X IO4Pa *s以下。2.根據權利要求I所述的層疊膜，其中，所述固化性膜由含有環氧樹脂和酚醛樹脂的膠粘劑組合物構成。3.根據權利要求2所述的層疊膜，其中，所述膠粘劑組合物進一步包含丙烯酸系共聚 物...

【專利技術屬性】
技術研發人員：小田高司，高本尚英，千歲裕之，
申請(專利權)人：日東電工株式會社，
類型：發明
國別省市：