本發(fā)明專利技術(shù)的目的在于提供可控制圓角形狀不成為凸?fàn)钋铱芍圃炜煽啃愿叩陌雽?dǎo)體裝置的半導(dǎo)體芯片接合用粘接材料。本發(fā)明專利技術(shù)為一種半導(dǎo)體芯片接合用粘接材料，其中，用粘彈性測定裝置測得的25℃剪切彈性模量Gr為1×106Pa以上，用流變儀測得的直到軟纖料熔點(diǎn)為止的最低復(fù)數(shù)粘度η*min為5×101Pa·s以下，在140℃的溫度、1rad的變形量、1Hz的頻率下測得的復(fù)數(shù)粘度η*(1Hz)是在140℃的溫度、1rad的變形量、10Hz的頻率下測得的復(fù)數(shù)粘度η*(10Hz)的0.5～4.5倍。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及可控制圓角形狀不成為凸?fàn)钋铱芍圃炜煽啃愿叩陌雽?dǎo)體裝置的半導(dǎo)體芯片接合用粘接材料。另外，本專利技術(shù)還涉及由該半導(dǎo)體芯片接合用粘接材料形成的半導(dǎo)體芯片接合用粘接膜、使用了該半導(dǎo)體芯片接合用粘接材料或該半導(dǎo)體芯片接合用粘接膜的半導(dǎo)體裝置的制造方法、以及通過該半導(dǎo)體裝置的制造方法得到的半導(dǎo)體裝置。
技術(shù)介紹
近年來，為了應(yīng)對日益進(jìn)步的半導(dǎo)體裝置的小型化、高集成化，而多采用使用了具有由軟纖料等形成的連接端子(凸出)的半導(dǎo)體芯片的倒裝式安裝。在倒裝式安裝中，通常采用在借助凸出將具有多個凸出的半導(dǎo)體芯片連接于其它的半導(dǎo)體芯片或基板后，填充底層填料的方法。在這種填充底層填料的方法中，在底層填料 固化收縮時，或者在回焊試驗或冷熱循環(huán)試驗時，例如往往因半導(dǎo)體芯片與基板之間的線膨脹系數(shù)之差，而導(dǎo)致應(yīng)カ集中于底層填料的界面等，產(chǎn)生裂縫。因此，為了抑制裂縫的產(chǎn)生，例如在專利文獻(xiàn)I中記載了 在具備半導(dǎo)體元件、搭載該半導(dǎo)體元件的基板、和將形成于上述半導(dǎo)體元件的電路形成面密封的密封樹脂的半導(dǎo)體裝置中，設(shè)置將半導(dǎo)體元件外周側(cè)面覆蓋的側(cè)面覆蓋部。這種將半導(dǎo)體元件外周側(cè)面覆蓋的側(cè)面覆蓋部通常被稱為圓角。進(jìn)而，在專利文獻(xiàn)I中記載的半導(dǎo)體裝置中，為更可靠地抑制裂縫的產(chǎn)生，而提出了將距側(cè)面覆蓋部的電路形成面的高度設(shè)為規(guī)定范圍。另外，在專利文獻(xiàn)2中記載了 在電路基板與半導(dǎo)體芯片之間注入密封樹脂、并且將密封樹脂供給至半導(dǎo)體芯片的外周側(cè)部來形成圓角部而成的特定倒裝式半導(dǎo)體組件。在專利文獻(xiàn)2中記載的倒裝式半導(dǎo)體組件中，圓角部具有表面形成為從半導(dǎo)體芯片的外周側(cè)部的上緣開始朝向基板而延伸至外部的傾斜面的結(jié)構(gòu)。進(jìn)而，在專利文獻(xiàn)2中記載了 通過在半導(dǎo)體芯片的外周側(cè)部的上緣附近傾斜面與半導(dǎo)體芯片的外周側(cè)部所形成的傾斜角為50度以下，從而可抑制或減少因應(yīng)カ集中造成的裂縫的產(chǎn)生，可抑制半導(dǎo)體芯片破損。但是，在現(xiàn)有的方法中，問題在于形成圓角的エ序繁雜、或者通過圓角的形成也無法充分地抑制裂縫的產(chǎn)生。另ー方面，近年來，隨著推進(jìn)半導(dǎo)體芯片的小型化，凸出間的間距也變得越來越窄，另外與之相伴的是半導(dǎo)體芯片間、或半導(dǎo)體芯片與基板之間的間隙也變得越來越窄，所以問題還在于無法填充底層填料，或者在于填充需要長時間、或在填充時容易卷入空氣而容易產(chǎn)生空隙。因此，例如提出了如下的先涂布型安裝方法，S卩，利用粘接劑或粘接膜，將粘接劑層形成于具有多個凸出的晶片上的形成有凸出的面，然后將晶片連同粘接劑層進(jìn)行切割而制成各個半導(dǎo)體芯片，借助凸出將它們結(jié)合于其它的半導(dǎo)體芯片或基板的方法，因而需要的是亦可適用于這種先涂布型安裝方法、并且可充分抑制裂縫的產(chǎn)生的新型粘接劑或粘接膜。專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開2000-40775號公報專利文獻(xiàn)2 :國際公開第08/018557號小冊子
技術(shù)實現(xiàn)思路
專利技術(shù)所要解決的課題本專利技術(shù)的目的在于，提供可控制圓角形狀不成為凸?fàn)钋铱芍圃炜煽啃愿叩陌雽?dǎo)體 裝置的半導(dǎo)體芯片接合用粘接材料。另外，本專利技術(shù)的目的還在于，提供由該半導(dǎo)體芯片接合用粘接材料形成的半導(dǎo)體芯片接合用粘接膜、使用了該半導(dǎo)體芯片接合用粘接材料或該半導(dǎo)體芯片接合用粘接膜的半導(dǎo)體裝置的制造方法、以及通過該半導(dǎo)體裝置的制造方法得到的半導(dǎo)體裝置。解決課題的手段本專利技術(shù)為一種半導(dǎo)體芯片接合用粘接材料，其中，用粘弾性測定裝置測得的25°C剪切彈性模量Gr為I X IO6Pa以上，用流變儀測得的直到軟纖料熔點(diǎn)為止的最低復(fù)數(shù)粘度n*min為SXlO1Pa · s以下，在140°C的溫度、Irad的變形量、IHz的頻率下測得的復(fù)數(shù)粘度(IHz)是在140°C的溫度、Irad的變形量、IOHz的頻率下測得的復(fù)數(shù)粘度η * (IOHz)的O. 5 4. 5 倍。以下對本專利技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)敘述。通常，使用粘接劑或粘接膜而將預(yù)先形成有粘接劑層的半導(dǎo)體芯片與其它的半導(dǎo)體芯片或基板結(jié)合時，若要形成圓角，則該圓角的剖面圖的形狀容易形成為如圖2所示的凸?fàn)睢６遥屯範(fàn)顖A角而言，半導(dǎo)體芯片的側(cè)壁與圓角所形成的角度容易達(dá)到70°以上。本專利技術(shù)人等發(fā)現(xiàn)對于此類凸?fàn)顖A角而言，應(yīng)カ集中于凸部，容易發(fā)生半導(dǎo)體芯片的剝離或破裂，另ー方面，通過形成如圖I所示的非凸?fàn)顖A角，從而可抑制應(yīng)カ的集中，可制造可靠性高的半導(dǎo)體裝置。S卩，本專利技術(shù)人等發(fā)現(xiàn)通過將半導(dǎo)體芯片接合用粘接材料的25°C剪切彈性模量和粘度特性設(shè)為規(guī)定范圍，從而可形成非凸?fàn)顖A角，由此可制造可靠性高的半導(dǎo)體裝置，從而完成了本專利技術(shù)。在本說明書中，凸?fàn)顖A角是指在觀察圓角的剖面時，在端部具有如圖2所示的倒U字形的突出部的圓角。另ー方面，非凸?fàn)顖A角是指在觀察圓角的剖面時，在端部不具有如圖2所示的倒U字形的凸出部的圓角。需說明的是，圖I和圖2是表示使用半導(dǎo)體芯片接合用粘接材料3，介助凸出4將半導(dǎo)體芯片2結(jié)合于基板I上的狀態(tài)的一例的剖面圖。圖I表示形成非凸?fàn)顖A角的狀態(tài)，圖2表示形成凸?fàn)顖A角的狀態(tài)。如圖3所示，上述非凸?fàn)顑?yōu)選為半導(dǎo)體芯片的側(cè)壁與圓角所形成的角度Θ不足70。。對于本專利技術(shù)的半導(dǎo)體芯片接合用粘接材料而言，用粘彈性測定裝置測得的25°C剪切彈性模量Gr的下限為I X IO6Pa0若上述用粘弾性測定裝置測得的25°C剪切彈性模量Gr不足I X IO6Pa,則得到的半導(dǎo)體芯片接合用粘接材料容易產(chǎn)生折縫，例如在切割時會產(chǎn)生切削碎屑附著于半導(dǎo)體芯片接合用粘接材料等不良狀況。上述用粘弾性測定裝置測得的25°C剪切彈性模量Gr的優(yōu)選下限為3X IO6Pa,更優(yōu)選的下限為5X106Pa。上述用粘弾性測定裝置測得的25°C剪切彈性模量Gr的上限沒有特殊限定，但優(yōu)選上限為IX 108Pa。若上述用粘彈性測定裝置測得的25°C剪切彈性模量Gr超過IX IO8Pa,則在切割時半導(dǎo)體芯片接合用粘接材料的一部分往往會剝落飛散。上述用粘弾性測定裝置測得的25°C剪切彈性模量Gr的更優(yōu)選的上限為5 X IO7Pa0在本說明書中，用粘弾性測定裝置測得的25°C剪切彈性模量Gr是指使本專利技術(shù)的半導(dǎo)體芯片接合用粘接材料形成膜狀而測得的值。上述用粘弾性測定裝置測定25°C剪切彈性模量Gr的方法沒有特殊限定，例如可列舉出使用動態(tài)粘弾性測定裝置DVA-200 (IT計測 器公司制)等粘弾性測定裝置，對厚600 μ m、寬6_、長10_的膜進(jìn)行剪切測定的方法等。本專利技術(shù)的半導(dǎo)體芯片接合用粘接材料用流變儀測得的直到軟纖料熔點(diǎn)為止的最低復(fù)數(shù)粘度niin的上限為SXlO1Pa* S。若上述用流變儀測得的直到軟纖料熔點(diǎn)為止的最低復(fù)數(shù)粘度η *min超過SXlO1Pa · s，則在結(jié)合時，軟纖料容易被半導(dǎo)體芯片接合用粘接材料沖走，得不到穩(wěn)定的導(dǎo)通。上述用流變儀測得的直到軟纖料熔點(diǎn)為止的最低復(fù)數(shù)粘度n*min的優(yōu)選上限為4. SXlO1Pa · S，更優(yōu)選的上限為4X IO1Pa · S，進(jìn)ー步優(yōu)選的上限為S-OXlO1Pa · S。上述用流變儀測得的直到軟纖料熔點(diǎn)為止的最低復(fù)數(shù)粘度n*min的下限沒有特殊限定，但優(yōu)選下限為SXKT1Pa · S。若上述用流變儀測得的直到軟纖料熔點(diǎn)為止的最低復(fù)數(shù)粘度niin不足SXKT1Pa* S，則在結(jié)合時咬入而得的空隙往往殘留于粘接劑層。上述用流變儀測得的直到軟纖料熔點(diǎn)為止的最低復(fù)數(shù)粘度n*min的更優(yōu)選的下限為IPa · 本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】2010.04.13 JP 2010-0921511.一種半導(dǎo)體芯片接合用粘接材料，其特征在于，用粘彈性測定裝置測得的25°C剪切彈性模量Gr為IXlO6Pa以上，用流變儀測得的直到軟纖料熔點(diǎn)為止的最低復(fù)數(shù)粘度n min為SXlO1Pa-s以下，在140°C的溫度、Irad的變形量、IHz的頻率下測得的復(fù)數(shù)粘度n*(lHz)是在140°C的溫度、Irad的變形量、IOHz的頻率下測得的復(fù)數(shù)粘度n*(10Hz)的.0.5 4. 5 倍。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體芯片接合用粘接材料，其特征在于，含有環(huán)氧化合物、和具有能夠與所述環(huán)氧化合物反應(yīng)的官能團(tuán)的高分子化合物，所述具有能夠與環(huán)氧化合物反應(yīng)的官能團(tuán)的高分子化合物的重均分子量為5萬以下。3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的半導(dǎo)體芯片接合用粘接材料，其特征在于，用于預(yù)先將粘接劑層搭載于晶片、半導(dǎo)體芯片或基板的倒裝式安裝。4.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，是使用了權(quán)利要求I、2或3所述的半導(dǎo)體芯片接合用粘接材料的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 在權(quán)利要求1、2或3所述的半導(dǎo)體芯片接合用粘接材料中添加溶劑，將由此...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：竹田幸平，石澤英亮，金千鶴，畠井宗宏，西村善雄，岡山久敏，
申請(專利權(quán))人：積水化學(xué)工業(yè)株式會社，
類型：
國別省市：
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