一種高性能MEMS熱電堆紅外探測器結構及其制備方法技術

本發明專利技術涉及一種高性能MEMS熱電堆紅外探測器結構及其制備方法，其包括襯底；襯底上設有釋放阻擋帶，釋放阻擋帶內具有熱隔離腔體，熱隔離腔體的正上方設有黒硅紅外吸收區，黒硅紅外吸收區位于釋放阻擋帶上；黒硅紅外吸收區的外側設有若干熱電堆，黒硅紅外吸收區外側的若干熱電堆相互串接后電連接成一體；熱電堆的探測冷端通過第一熱導通電隔離結構及所述第一熱導通電隔離結構下方的熱傳導體與襯底相連；熱電堆的探測熱端通過第二熱導通電隔離結構與黒硅紅外吸收區相接觸，第二熱導通電隔離結構位于釋放阻擋帶上。本發明專利技術結構簡單易于實現，便于單片集成，響應率及探測率高，與CMOS工藝兼容，適用范圍廣，安全可靠。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種高性能MEMS熱電堆紅外探測器結構，包括襯底（101）；其特征是：所述襯底（101）上設有釋放阻擋帶（2），所述釋放阻擋帶（2）內具有熱隔離腔體（1403），所述熱隔離腔體（1403）的正上方設有黒硅紅外吸收區（7），所述黒硅紅外吸收區（7）位于釋放阻擋帶（2）上；黒硅紅外吸收區（7）的外側設有若干熱電堆，黒硅紅外吸收區（7）外側的若干熱電堆相互串接后電連接成一體；所述熱電堆對應鄰近黒硅紅外吸收區（7）的一端形成探測熱端，熱電堆對應遠離黒硅紅外吸收區（7）的一端形成探測冷端；熱電堆的探測冷端通過第一熱導通電隔離結構（1）及所述第一熱導通電隔離結構（1）下方的熱傳導體（303）與襯底（101）相連，熱傳導體（303）位于熱隔離腔體（1403）的外部，并位于釋放阻擋帶（2）及襯底（101）之間，第一熱導通電隔離結構（1）嵌置于釋放阻擋帶（2）內；熱電堆的探測熱端通過第二熱導通電隔離結構（5）與黒硅紅外吸收區（7）相接觸，第二熱導通電隔離結構（5）位于釋放阻擋帶（2）上。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：毛海央，陳媛婧，歐文，明安杰，
申請(專利權)人：江蘇物聯網研究發展中心，
類型：發明
國別省市：