本發明專利技術提供一種微型天線的輻射組件,包含一用以傳遞訊號的饋入部、二個互相鏡射于一鏡射線且間隔排列的第一幅射結構,及一鏈接該等第一幅射結構的第二幅射結構。每一第一幅射結構具有沿著一條實質地平行該鏡射線的直線且間隔排列的一第一線路與一第二線路,及一連接該第一線路與該第二線路的第三線路。該第二幅射結構具有兩相交于該等第一幅射結構的第二線路的延伸線段的第一線路及一連接該等第一線路的第二線路。該饋入部電連接在該第一輻射結構的第一線路的遠離該鏡射線的一末端。本發明專利技術的功效即在利用布設該輻射組件中的該等第一幅射結構及該第二幅射結構的鏈接方式達到微型化并兼顧輻射效率。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及關于一種天線的輻射組件,更具體地說,涉及一種微型天線的輻射組件。
技術介紹
無線通信產品在近十年來越形多樣化并廣泛的被應用于生活中,為達到使用上的便利性就必須要輕薄美觀且便于攜帶,所以相關微型化的天線設計陸續被提出。該微型化天線一般是指天線結構的空間尺寸遠小于操作波長,理論研究指出該種微型化的天線其輻射電阻小且輻射效率較低。參閱圖I,是美國公告專利號US Pat. No. 5,892,490的彎折線(meander line)天 線。該彎折線天線包含一基部12 (base member)及一條設置在該基部12內連續彎折用以共振的輻射導線U。若要以此種方式達到微型化的目的,則該輻射導線11就必須彎折越多次且密集地布設在更小的面積中,使得該輻射導線11中任兩相平行且相鄰的該等導線段111上的電流反向,且隨著彎折次數越多,則該等分別形成在兩相鄰且平行的導線段111上的反向電流距離就越近,而每兩反向的電流距離越近則由該兩個電流產生的遠場輻射相消的情形就會越嚴重,進而造成該天線輻射效率過低。當天線輻射效率越低時,不但可能產生通訊不穩定的現象,且采用此天線的產品也會越耗能,所以必須常充電,進而造成使用者的不便。為了能在更小的空間中設計出性能較佳的天線,另外還有如圖2將天線的輻射導線I采用如希爾伯特曲線(Hilbert curve)的幾何圖形算法碎形維度(fractaldimension)延伸的方式,此種方法的代表如美國公告專利號US Pat. No. 7,148,805、USPat. No. 7,164,386、US Pat. No. 7,202,822、US Pat. No. 7,554,490,及美國公開專利申請號US2007/0152886 等天線。該種可填滿一平面2的希爾伯特曲線可不相交錯的通過該平面2中每一個等面積的分割單元21且形成一具碎形維度的圖案,所以理論上采用此種希爾伯特曲線作為該輻射導線11的設計方式可使天線達到無限微型化的功效,但實際應用上采用此種希爾伯特曲線設計的天線卻會產生隨著特定面積中所布設的輻射導線11的長度增加,而使該輻射導線11相鄰且平行成對的該等導線段111的數目也越多且越靠近;此外,該種輻射導線11成形的方式也會使得位于每一成對的該等導線段111上的電流振幅近似但相位相反。當兩振幅相等但相位相反的電流距離越近時,該兩個反向電流在遠場輻射相消而導致輻射效率降低的問題就會越嚴重,所以為了兼顧通訊產品規范的輻射效率,該種縮小化的方式就受到了限制。此外,包含該希爾伯特曲線在內的幾種碎形維度結構的天線的特性也在參考文獻I中被實驗及討論,該參考文獻I說明隨著碎形維度與遞歸(iteration)次數的增加,該等碎形維度結構的天線的福射效率及質量因子(quality factor)則會降低,其中尤以希爾伯特曲線設計的天線結構最為嚴重,且該共振頻率與幾何維度的固定關系也限制了此類型天線設計時的自由度(degree of freedom)。參考文獻 I :J. M. Gonz alez and J. Romeu, ^Onthe inf luence of fractal dimension on radiation efficiency and quality factorof self-resonant prefractal wire monopoles,,,2003 IEEE International Symposiumon Antennas and Propagation and USNC/CNC/URSI North American Radio ScienceMeeting, vol. 4,pp. 214-217,June,2003.
技術實現思路
本專利技術要解決的技術問題在于,針對現有技術的天線輻射效率過低和天線縮小化受到限制的缺陷,因此,本專利技術的目的,即在提供第一種可以達到縮小化并兼顧輻射效率的微型天線的輻射組件設計,并擁有較佳的設計自由度。于是,本專利技術解決其技術問題所采用的技術方案是提供一種微型天線的輻射組件,該輻射組件為導體材質制成,并包含一用以傳遞訊號的饋入部、二個互相鏡射于一鏡射線且間隔排列的第一幅射結構,及一鏈接該等第一幅射結構的第二幅射結構。每一第一幅射結構具有沿著一條實質地平行該鏡射線的直線且間隔排列的一第一線路與一第二線路,及一連接該第一線路與該第二線路的第三線路。該第一線路具有一 U型單元,該U型單元具有至少一個開口朝實質地平行該鏡射線方向的U形線段,該饋入部電連接在該U型單元的一末端;該第二線路具有一 U型單元及一延伸線段,該U型單元具有至少一個開口朝實質地平行該鏡射線方向的U形線段,該延伸線段自該U型單元的一末端朝遠離該開口的方向延伸;該第三線路具有一位于該第一線路及該第二線路間的U型單元及兩連接線段,該U型單元具有至少一個開口朝實質地垂直該鏡射線方向的U形線段,該等連接線段分別自該U型單元的兩末端朝遠離該U型單元的方向反向延伸,而與該第一線路相對于該饋入線段的一側及該第二線路相對于該延伸線段的一側相交。該第二幅射結構與該等第一幅射結構的第二線路的延伸線段相交。上述本專利技術所述的微型天線的輻射組件,其中,該第一線路的U型單元的該末端是遠離該鏡射線,該第一線路的U型單元還具有一與該鏡射線鄰近的末端,該第二線路的U型單元的該末端是遠離該鏡射線,該第二線路的U型單元還具有一與該鏡射線鄰近的末端,該第一線路還具有一自其U型單元的鄰近該鏡射線的末端延伸的連接線段,該第二線路還具有一自其U型單元的鄰近該鏡射線的末端延伸的連接線段,該第三線路的該等連接線段分別與該第一線路的連接線段及該第二線路的連接線段相交。上述本專利技術所述的微型天線的輻射組件,其中,該第二幅射結構具有單一弧狀線路,該弧狀線路與該等第一幅射結構的第二線路的延伸線段相交。上述本專利技術所述的微型天線的輻射組件,其中,該第二幅射結構具有垂直該鏡射線的單一直線路,該直線路與該等第一幅射結構的第二線路的延伸線段相交。上述本專利技術所述的微型天線的輻射組件,其中,該第二幅射結構具有兩相連接且鏡射于該鏡線的第一線路,且該等第一線路分別相交于該等第一幅射結構的第二線路的延伸線段。上述本專利技術所述的微型天線的輻射組件,其中,該第二輻射結構還具有一與該等一線路相交的第二線路。上述本專利技術所述的微型天線的輻射組件,其中,該第二輻射結構的第二線路具有、一 U型單元及兩連接線段,該U型單元具有至少一個開口朝實質地平行該鏡射線方向的U形線段,該等連接線段分別自該U型單元的兩末端朝垂直并遠離該鏡射線的方向反向延伸。上述本專利技術所述的微型天線的輻射組件,其中,該第二線路的U型單元具有多個U形線段,且兩相連接的U形線段的開口互為反向。上述本專利技術所述的微型天線的輻射組件,其中,該第二線路的U型單元具有單個U形線段。上述本專利技術所述的微型天線的輻射組件,其中,該第二輻射結構的每一第一線路具有一平行于該鏡射線,且與該等第一幅射結構的第二線路的連接線段相交的縱向連接線段。上述本專利技術所述的微型天線的輻射組件,其中,該第二輻射結構的的第二線路具有一與該等縱向連接線段相交的橫向連接線段。上述本專利技術所述的微型天線的輻射組件,其中,該第一線路的U型單元具本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
【專利技術屬性】
技術研發人員:吳宗達,劉家港,
申請(專利權)人:深圳市嘉瑨電子科技有限公司,
類型:發明
國別省市:
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