聚對二甲基苯沉積系統技術方案

本發明專利技術的聚對二甲基苯沉積系統包括彼此依次連結的一蒸發管、一裂解管、一純化儲氣槽、一沉積腔體、一冷凝機以及一真空泵，其中，裂解管與純化儲氣槽彼此連結的位置具有一第一高度，純化儲氣槽與沉積腔體彼此連結的位置具有一第二高度，且第一高度大于第二高度，純化儲氣槽還設置有一載氣導入口、一氣體流量控制器、一熱油循環加熱裝置及一泄壓控制閥門，且氣體流量控制器連結于載氣導入口。由此，可達到方便控制氣體流量并提高鍍膜質量的目的。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種聚對二甲基苯沉積系統，尤其涉及一種可方便控制氣體流量并提高鍍膜質量的聚對二甲基苯沉積系統。
技術介紹
高分子聚對二甲基苯沉積系統的原理是將一種二聚物置放于真空環境下，經由蒸發、高溫裂解為單分子并重新鍵結后，將聚對二甲基苯以高分子的型態沉積于基材表面。請參閱圖1，其是現有的聚對二甲基苯沉積系統的架構圖，如圖所示的沉積系統9，首先是將聚對二甲基苯的粉末放入蒸發管91并啟動機械式真空泵95使整個沉積系統9保持低真空狀態，并開始加熱到150°C以上，促使聚對二甲基苯蒸發為氣態并進入裂解管92中；之后，裂解管92的溫度達650°C以上，氣態聚對二甲基苯進入時會被高溫裂解為單分子型態的聚對二甲基苯；然后，高溫的氣態聚對二甲基苯會被噴射到沉積室的腔體93中，使得聚對二甲基苯開始重新鍵結成為高分子型態的聚對二甲基苯并附著于基材(圖未示)表面上，但是此時的氣態聚對二甲基苯并非已完全附著于腔體93或基材表面，所以在真空泵95前需設置一冷凍捕捉器94來捕捉殘余的聚對二甲基苯并使其冷凝于冷卻棒上，以避免殘余的聚對二甲基苯氣體沉積于真空泵95或影響泵油質量。如上所述，傳統高分子聚對二甲基苯沉積系統9因未對腔體93加熱，所以腔體93溫度大約在25°C左右，這使得聚對二甲基苯開始重新鍵結成為高分子型態的聚對二甲基苯并附著于基材表面上，此時氣態聚對二甲基苯也會同時附著于腔體93，造成保養及撕取時影響制程的潔凈度及維修時間。此外，傳統高分子聚對二甲基苯沉積系統9中，在高溫的氣態聚對二甲基苯被噴射到腔體93時，噴射的流場因無適當的導引而會呈現混亂狀態，影響整個腔體93因為位置不同而造成附著于基材表面上的膜厚均勻性及粗糙度等的差異性。再者，傳統高分子聚對二甲基苯沉積系統9的沉積率及材料使用率會因為被鍍物(基材)的溫度而改變，換言之，當被鍍物無適當的溫度控制時，會影響被鍍物的質量。
技術實現思路
本專利技術的聚對二甲基苯沉積系統包括彼此依次連結的一蒸發管、一裂解管、一純化儲氣槽、一沉積腔體、一冷凝機以及一真空泵，其中，裂解管與純化儲氣槽彼此連結的位置具有一第一高度，純化儲氣槽與沉積腔體彼此連結的位置具有一第二高度，且第一高度大于第二高度，純化儲氣槽還設置有一載氣導入口、一氣體流量控制器、一熱油循環加熱裝置及一泄壓控制閥門，且氣體流量控制器連結于載氣導入口。因此，通過純化儲氣槽的設計可實現儲蓄功能，并可由此實時提供源源不絕 的純凈與穩定的聚對二甲基苯氣體以供應沉積腔體，達到連續快速大面積的鍍膜需求。此外，通過純化儲氣槽及其載氣導入口、氣體流量控制器、熱油循環加熱裝置與泄壓控制閥門的結構設計，可達到方便控制聚對二甲基苯氣體流量并提高鍍膜質量的目的。換言之，載氣導入口與氣體流量控制器可用于管理載氣流量及控制推動純化儲氣槽內的聚對二甲基苯氣體，從而達到控制聚對二甲基苯的氣體流量以精準控制被鍍物(基材)上沉積膜厚的目的；通過熱油循環加熱裝置，可防止聚對二甲基苯的單體分子在純化儲氣槽內進行沉積；通過泄壓控制閥門，當壓力過大時其可自動打開并將多余的聚對二甲基苯氣體導入冷凝機進行捕捉及收集。再者，裂解管與純化儲氣槽彼此連結的位置所具有的第一高度大于純化儲氣槽與沉積腔體彼此連結的位置所具有的第二高度，亦即相對于整體聚對二甲基苯沉積系統的安裝面(例如地面)而言，裂解管與純化儲氣槽彼此連結的位置(進氣口)在純化儲氣槽上方，純化儲氣槽與沉積腔體彼此連結的位置(出氣口)在純化儲氣槽低于裂解管與純化儲 氣槽彼此連結的位置(進氣口)，例如在純化儲氣槽的中間以下位置，因此，在整個氣化系統中所產生的沉積物或是較大的分子在經過純化儲氣槽時會留置在純化儲氣槽底部，如此可實現聚對二甲基苯氣體的純化功能。上述的純化儲氣槽與沉積腔體之間可連結有一控制閥門，其可實現管路斷開功能，以便純化儲氣槽進行維護。上述的結構還可包括附接于沉積腔體的一冷凝器，其可產生低溫現象而將設置于沉積腔體內的被鍍物(基材)低溫化處理，如此可增加沉積率及材料使用率，達到快速成膜及節省材料的效果。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它的附圖。圖I為現有聚對二甲基苯沉積系統的架構圖；圖2為本專利技術較佳實施例的系統架構圖；圖3為本專利技術較佳實施例的純化儲氣槽的側視圖；其中，附圖標記為1、聚對二甲基苯沉積系統；11、蒸發管；12、裂解管；13、純化儲氣槽；131、載氣導入口 ；132、氣體流量控制器；133、熱油循環加熱裝置；134、泄壓控制閥門；14、沉積腔體；15、冷凝機；16、真空泵；17、另一蒸發管；18、冷凝器；191、控制閥門；192、控制閥門；193、控制閥門；194、控制閥門；2、安裝面；9、沉積系統；91、蒸發管；92、裂解管；93、腔體；94、冷凍捕捉器；95、真空泵；H、第一高度；h、第二高度。具體實施例方式下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動的前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。請同時參閱圖2及圖3，其中圖2為本專利技術較佳實施例的系統架構圖，圖3為本專利技術較佳實施例的純化儲氣槽的側視圖。于圖式中顯示有一聚對二甲基苯沉積系統1，且此聚對二甲基苯沉積系統I包括彼此依次連結的一蒸發管11、一裂解管12、一純化儲氣槽13、一沉積腔體14、一冷凝機15以及一真空泵16。如圖3所示，裂解管12與純化儲氣槽13彼此連結的位置具有一第一高度H，純化儲氣槽13與沉積腔體14彼此連結的位置具有一第二高度h，且第一高度H大于第二高度h，亦即相對于整體聚對二甲基苯沉積系統I的安裝面2 (例如地面)而言，裂解管12與純化儲氣槽13彼此連結的位置(進氣口)在純化儲氣槽13上方，純化儲氣槽13與沉積腔體14彼此連結的位置(出氣口)在純化儲氣槽13低于裂解管12與純化儲氣槽13彼此連結的位置(進氣口)，例如在純化儲氣槽13的中間以下位置。此外，純化儲氣槽13還設置有一載氣導入口 131、一氣體流量控制器132、一熱油循環加熱裝置133及一泄壓控制閥門134，且氣體流量控制器132連結于載氣導入口 131。 于本實施例中，上述的結構還包括附接于沉積腔體14的一冷凝器18，且蒸發管11與裂解管12之間還連結有一控制閥門191，同樣地，裂解管12與純化儲氣槽13之間還連結有一控制閥門192，純化儲氣槽13與沉積腔體14之間還連結有一控制閥門193。又于本實施例中，上述的聚對二甲基苯沉積系統I還具有另一蒸發管17，此另一蒸發管17連結于裂解管12，且此另一蒸發管17與裂解管12之間還連結有一控制閥門194。因此，利用前述設計，可采取并聯方式及多口方式將聚對二甲基苯的材料進行氣化，換言之，蒸發管11與另一蒸發管17各自具有獨立的控制閥門191、194，如此可不斷的裝填聚對二甲基苯的材料進行氣化，得到可連續的氣化源。如上所述本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：林明達，
申請(專利權)人：拉奇企業有限公司，
類型：發明
國別省市：