導電層合體和使用該導電層合體而形成的觸控面板制造技術

本發明專利技術提供一種導電層合體，其對在將導電層合體加工形成用于觸控面板等的電極構件時的化學蝕刻中所使用的除去劑具有耐受性，對熱具有良好的耐久性。所述導電層合體的特征在于，在基材的至少一面從基材側層合有導電層和保護層，所述導電層包含具有由線狀結構體構成的網狀結構的導電成分，保護層的平均厚度t為100～1000nm。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及在包含由線狀結構體構成的導電成分的導電層上具有保護層的導電層合體。更詳細地說，本專利技術涉及一種導電層合體，對在將導電層合體加工形成用于觸控面板(touch panel)等的電極構件時的化學蝕刻中所使用的除去劑具有耐受性、對熱具有良好的耐久性。進而，涉及也可在液晶顯示屏、有機電致發光、電子紙等顯示器相關產品和太陽能電池模塊等所使用的電極構件上使用的導電層合體。
技術介紹
近年來，搭載觸控面板的移動電話、游戲機、個人電腦等得到了普及。觸控面板中使用了電極用導電構件，并且可進行復雜操作的觸控面板中將導電構件的導電層表面形成所期望的圖案來使用。作為所述用于觸控面板的導電構件，提出了在設置于高分子基材上的導電性薄膜層上、層合有由普通的高分子化合物形成的層的導電層合體(專利文獻I)、或層合有由具有氰基等含特定元素的官能團的高分子化合物形成的層的導電層合體(專利文獻2)。另外，提出了在設置于高分子基材上的含有球狀金屬微粒的導電層上、層合有與主成分的SiO2 一起將硅酮單體或硅酮低聚物作為粘結劑成分的層的導電層合體(專利文獻3)、或層合有由多官能單體的固化物形成的層的導電層合體(專利文獻4)。此外，還提出了在設置于高分子基材上的包含作為線狀結構體的碳納米管(以下簡稱為CNT)的導電層上層合有薄膜的硅涂層即二氧化硅層的導電層合體(專利文獻5)。另一方面，作為這些導電構件的圖案形成方法，一般使用激光消融法、應用了蝕刻液的化學蝕刻法(專利文獻6)。激光消融法由于對導電膜照射近紅外區域(NIR)激光將不要的部分除去，所以不需要抗蝕劑，即可進行高精度的圖案化，但是由于可適用的基材受到限定，而且成本高，處理速度慢，因而不適宜于大面積的加工。另一方面，化學蝕刻法中，例如提出了一種包含酸的蝕刻介質(專利文獻7)，利用該蝕刻介質通過絲網印刷等在導電構件上轉印上所期望的圖案(例如，線寬為幾十微米 幾毫米的直線圖案等)后，進行清洗，從而蝕刻介質所轉印的圖案部分被除去，得到圖案(例如，線寬為幾十微米 幾毫米的直線圖案等)，所以工序數目少，成本低，因而是有利的。還提出了基于納米線的透明導電體(專利文獻8) ο專利文獻I :日本特開2003-115221號公報專利文獻2 日本特開2007-276322號公報專利文獻3 日本專利第3442082號公報專利文獻4 :日本特開2001-243841號公報專利文獻5 日本專利第3665969號公報專利文獻6 :日本特開2001-307567號公報專利文獻7 :日本特表2009-503825號公報專利文獻8 :日本特表2009-505358號公報
技術實現思路
但是，如專利文獻I 3中記載的層合體的保護層所示，在導電層上層合的層是普通的高分子化合物、具有氰基等含特定元素的官能團的高分子化合物、以硅酮單體或硅酮低聚物作為成分的情況下，任一保護層對專利文獻7中所記載的包含酸的蝕刻介質都沒有耐受性。因此，保護層與導電層一起剝離、溶解，暴露出高分子基材，從而在其后的熱處理工序或觸控面板等的使用時的熱的作用下低聚物從基材中析出，光學特性顯著降低，或者產生下述各種問題所形成的圖案易于被視覺辨認而降低了顯示圖像的畫質；僅一部分發生了剝離、溶解的部分形成缺陷等。另外，如專利文獻4所示由多官能單體的固化物形成的層結合得較密，耐酸性良好，但在導電成分為金屬微粒那樣的非線狀結構體的情況下，由于金屬微粒也被致密地含在導電層內以進行導電，所以為了形成圖案，需要延長處理時間或增加酸濃度，結果，與專利文獻I 3同樣，保護層與導電層一起發生剝離、溶解，問題未能解決。而且，即使如專利文獻4所示導電成分為作為線狀結構體的CNT，在將耐酸性差的二氧化硅層以不損害導電性的程度的薄膜的形式層合的情況下問題也同樣未能解決。鑒于所述現有技術的背景，本專利技術中，盡管保護層為不損害導電性的薄膜，但是通過相對于在化學蝕刻中使用的除去劑，改良導電層和保護層，從而試圖改善蝕刻后的層合體對熱的耐久性。為了解決上述課題，本專利技術采用如下構成。即，(I) 一種導電層合體，在基材的至少一面層合有具有由線狀結構體構成的網狀結構的導電層、和保護層，保護層的平均厚度t為100 IOOOnm ；(2)設定將含有酸成分且pH為2. O的除去劑于130°C下涂布在保護層上3分鐘時的保護層的除去厚度為X，則保護層具有比X厚的部分和比X薄的部分；(3)上述保護層是使用不含下述任一物質的高分子化合物而形成的，S元素、P元素、金屬元素、金屬離子、構成官能團的N元素；(4)上述保護層的表面的純水接觸角為80°以上且油酸接觸角為13°以上；(5)上述高分子化合物具有交聯結構；(6)上述線狀結構體為銀納米線，并且保護層為不含下述任一物質的多官能丙烯酸類高分子化合物或者多官能甲基丙烯酸類高分子化合物，S元素、P元素、金屬元素、金屬離子、構成官能團的N元素；(7)上述線狀結構體為碳納米管，并且保護層為不含下述任一物質的多官能丙烯酸類高分子化合物或者多官能甲基丙烯酸類高分子化合物，S元素、P元素、金屬元素、金屬離子、構成官能團的N元素；(8)在上述保護層中含有兩種以上光引發劑，各自的最大吸收波長值之差為20nm以上；(9)從保護層側入射時的基于JIS K7361-1 (1997年)的全光線透過率為80%以上；(10) 一種酸處理導電層合體，其是通過將含有酸成分且pH為2. O的除去劑于130°C下涂布在上述任一項所述的導電層合體的保護層上3分鐘而得到的，該酸處理導電層合體具有導電區域和非導電區域，在所述非導電區域中除去了導電成分，且存在導電成分的不殘存除去痕；(11) 一種觸控面板，其是使用⑴ (10)所述的導電層合體而形成的。另外，本專利技術的導電層合體優選用于觸控面板用途。而且，本專利技術的導電層合體也優選用于液晶顯示屏、有機電致發光、電子紙等顯示器相關產品和太陽能電池模塊等所使用的電極構件。根據本專利技術，通過在基材的至少一面從基材側層合包含導電成分的導電層和特定的保護層，所述導電成分具有由線狀結構體構成的網狀結構，從而可以提供導電層合體，盡管保護層為不損害導電性的薄膜，但是該導電層合體對在化學蝕刻中使用的含有酸成分的除去劑具有耐受性，從而對熱具有良好的耐久性。附圖說明圖I是本專利技術的導電層合體的截面示意圖的一例。圖2是從本專利技術的導電層合體的導電層側觀察的線狀結構體的示意圖的一例。圖3是表不作為本專利技術一方式的觸控面板的一例的截面不意圖。圖4是本專利技術的線狀結構體附近的截面示意圖的一例。圖5是流化床立式反應裝置的簡圖。具體實施例方式本專利技術的導電層合體中在基材的至少一面從基材側層合有導電層和保護層，所述導電層包含具有由線狀結構體構成的網狀結構的導電成分，其中保護層的平均厚度t為100 lOOOnm。需要說明的是，由于導電成分由線狀結構體構成，所以在線狀結構體的量為一定量以下的情況下，有可能在面內分布有不存在線狀結構體的區域，然而即使存在所述區域，如果線狀結構體在面內連續一致地存在，形成網，從而可在任意的2點間顯示導電性，則設定為形成了導電層。即，在上述情況下，將線狀結構體形成的層狀區域(也包含散在的不存在線狀結構體的區域)定義為導電層。而且，在上述情況下，在不存在線狀結構體的區域中，有時形成保護本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：佐藤義和，渡邊修，關口廣樹，真多淳二，
申請(專利權)人：東麗株式會社，
類型：發明
國別省市：