浮球制造技術(shù)

本實用新型專利技術(shù)為一種浮球，其是于一底座結(jié)合有一上蓋，該底座與該上蓋之間形成有一容室，一磁鐵設(shè)置于該容室中，通過容室將該磁鐵確實定位，而可提供有穩(wěn)定的磁性。（*該技術(shù)在2020年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)是有關(guān)于液位檢測裝置，尤指一種可確實保持磁鐵的使用穩(wěn)定性的浮 球。
技術(shù)介紹
液位檢測裝置是裝設(shè)于飲水機、熱水瓶或咖啡機等產(chǎn)品中，用以檢測內(nèi)部水位高、低，并可提示使用者，以確保產(chǎn)品于使用上的安全性，例如液位檢測裝置可裝設(shè)熱水瓶中， 當(dāng)水位過低時，可發(fā)出警示，以告知使用者必須加水，避免產(chǎn)生空燒，而造成意外災(zāi)害的發(fā)生?，F(xiàn)有技術(shù)的液位檢測裝置主要設(shè)置有浮球與磁簧開關(guān)，通過浮球會隨著水位變化 而上、下位移，并與磁簧開關(guān)產(chǎn)生靠近感應(yīng)或遠(yuǎn)離不感應(yīng)，以通過磁簧開關(guān)使電路控制成為 導(dǎo)通或不導(dǎo)通，進(jìn)而形成開啟或關(guān)閉相關(guān)功能。上述的浮球主要結(jié)構(gòu)是具有兩塑膠殼體以及一環(huán)形磁鐵，該兩塑膠殼體之間是以 超音波熔接方式連接，兩塑膠殼體內(nèi)部相互連通并形成有一容置空間，該環(huán)形磁鐵是設(shè)置 于該容置空間中，然而，兩塑膠殼體的制程或組裝必須嚴(yán)格控制其公差，否則在超音波熔接 過程中，容易使環(huán)形磁鐵接觸到超音波而使得磁鐵損傷，而精密的制程與組裝需投入的成 本必然相對的提升，且環(huán)形磁鐵外層無包覆結(jié)構(gòu)的設(shè)計予以安裝容置，容易因外力而碎裂， 進(jìn)而造成液位檢測裝置的失效，故實有待加以改良的必要。
技術(shù)實現(xiàn)思路
有鑒于前述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本技術(shù)的目的在于提供一種浮球，其設(shè)計出可 將磁鐵確實定位，以提供穩(wěn)定的磁性效果。為達(dá)到前述的目的，本技術(shù)所設(shè)計的浮球，其包括有一底座、一上蓋以及一磁 鐵，其中該底座為一殼體，該殼體具有一外環(huán)壁及一內(nèi)環(huán)壁，該內(nèi)環(huán)壁位在該外環(huán)壁所圍 成的空間中，于殼體內(nèi)部且位在外環(huán)壁與內(nèi)環(huán)壁之間形成有一空間，而內(nèi)環(huán)壁所圍成的內(nèi) 部形成為一貫穿的通孔，且殼體上設(shè)有至少一結(jié)合部，該內(nèi)環(huán)壁在相鄰于外環(huán)壁的壁面上 具有一階級部；該上蓋具有一頂板，該頂板貫穿設(shè)有一穿孔，且頂板設(shè)有至少一連接部，該 連接部對應(yīng)并固定于結(jié)合部，另頂板底面連接有一環(huán)體，該環(huán)體形成有一容置槽，該容置槽 與內(nèi)環(huán)壁的階級部間形成有一容室，該上蓋設(shè)置于底座頂端，使底座的空間封閉；該磁鐵設(shè) 置于該容室中，且磁鐵依照容室的形狀設(shè)計。在本技術(shù)的一實施例中，其中該內(nèi)環(huán)壁的階級部是為一階級面，該階級面是 與環(huán)體的容置槽形成為半包覆式的容室。在本技術(shù)的一實施例中，其中該內(nèi)環(huán)壁的階級部是為一階級凹槽，該階級凹 槽是與環(huán)體的容置槽形成為完全包覆式的容室。在本技術(shù)的一實施例中，上述的結(jié)合部為凸緣；連接部為凹槽。在本技術(shù)的一實施例中，其中該底座是具有一底板，該底板是貫穿設(shè)有一穿孔，于底板外緣連接有該外環(huán)壁，穿孔孔緣連接有該內(nèi)環(huán)壁，該穿孔與內(nèi)環(huán)壁的通孔相互連 通；該上蓋是與底座相互結(jié)合形成為圓柱體，且該容室是呈環(huán)形；該磁鐵是呈環(huán)形。本技術(shù)所提供的浮球，可以獲得的優(yōu)點及功效增進(jìn)至少包括1.本技術(shù)的底座與上蓋分別設(shè)置有相對應(yīng)的結(jié)合部與連接部，相較于現(xiàn)有技 術(shù)于制程及組裝上不容許有誤差，本技術(shù)于制程及組裝上較為便利。2.由于磁鐵是被包覆于底座與上蓋所形成的容室中，故于熔接過程中，可確保磁 鐵不會接觸到超音波而受到損傷。3.磁鐵在不慎碎裂時，由于受到容室的包覆限制，使得磁鐵得以維持形狀，進(jìn)而仍 然可提供有穩(wěn)定的磁性。附圖說明圖1為本技術(shù)第一實施例的立體外觀圖；圖2為本技術(shù)第一實施例的分解圖；圖3為本技術(shù)第一實施例的剖面圖；圖4為本技術(shù)第二實施例的剖面圖；圖5為本技術(shù)使用狀態(tài)圖。具體實施方式請參閱圖1至圖3所示，本技術(shù)的浮球，其包括有一底座(10)、一上蓋(20)以 及一磁鐵(30)，其中該底座(10)為一殼體，該殼體具有一外環(huán)壁(11)及一內(nèi)環(huán)壁(12)，該內(nèi)環(huán)壁 (12)位在該外環(huán)壁(11)所圍成的空間中，于殼體內(nèi)部且位在外環(huán)壁(11)與內(nèi)環(huán)壁(12)之 間形成有一空間(13)，而內(nèi)環(huán)壁(12)所圍成的內(nèi)部形成為一貫穿的通孔，且殼體上設(shè)有至 少一結(jié)合部(14)，如圖所示的具體實施例該結(jié)合部(14，14A)可具有兩個，分別位于該外環(huán) 壁(11)頂端以及該內(nèi)環(huán)壁(12)頂端，兩結(jié)合部(14，14A)可為凸緣，且內(nèi)環(huán)壁(12)在相鄰 于外環(huán)壁的壁面上具有一階級部(121)，另底座(10)的殼體具有一底板(15)，該底板(15) 貫穿設(shè)有一穿孔(151)，于底板(15)外緣連接有外環(huán)壁(11)，于穿孔(151)孔緣連接有內(nèi) 環(huán)壁(12)，該穿孔(151)與內(nèi)環(huán)壁(12)的通孔相互連通；該上蓋(20)具有一頂板(21)，該頂板(21)貫穿設(shè)有一穿孔(211)，且頂板(21)設(shè) 有至少一連接部(212)，如圖所示的具體實施例為設(shè)有兩連接部(212，212A)，該兩連接部 (212，212A)對應(yīng)于結(jié)合部(14)設(shè)置，分別位于頂板(21)外緣以及位于頂板(21)上設(shè)有穿 孔(211)的孔緣處，且連接部(212，212A)可設(shè)計為呈內(nèi)凹狀的凹槽，另頂板(21)底面突出 連接有一環(huán)體(22)，該環(huán)體(22)為一中空柱體且其底端端面凹設(shè)形成有一容置槽(221)；該磁鐵(30)可呈環(huán)形，或配合內(nèi)環(huán)壁(12)及環(huán)體(22)的外部形狀而呈方形或其 它形狀等。上述各構(gòu)件的組合，上蓋(20)是設(shè)置于底座(10)頂端，使連接部(212)結(jié)合固定 于結(jié)合部(14)，環(huán)體(22)內(nèi)側(cè)面貼合于內(nèi)環(huán)壁(12)外側(cè)面，并將底座(10)的空間(13)封 閉而形成為氣室，以提供浮球可浮于水面上，于環(huán)體(22)的容置槽(221)與內(nèi)環(huán)壁(12)的 階級部(121)間形成有一容室(23)，該容室(23)可呈環(huán)形，磁鐵(30)是設(shè)置于容室(23)中，且磁鐵(30)是依照容室(23)的形狀設(shè)計，另連接部(212)與結(jié)合部(14)的結(jié)合方式 可以超音波熔接、熱熔接、雷射焊接、氫離子焊接或膠合等方式，另底座(10)與上蓋(20)可 相互結(jié)合形成為圓柱體、球體或立方體等。本技術(shù)的磁鐵(30)被包覆于底座(10)與上蓋(20)之間，而獲得良好的保護(hù) 與定位，且當(dāng)磁鐵(30)有碎裂發(fā)生時，由于受到容室(23)的限制而得以維持其外形，藉此 可保持穩(wěn)定的磁性。請參閱圖5所示，本技術(shù)是配合一作動桿(40)組成一液位檢測裝置，該作動 桿(40)內(nèi)部設(shè)置有磁簧開關(guān)(41)，是將該液位檢測裝置設(shè)置于容納有液體的容器(50)中， 通過本技術(shù)的浮球會隨著水位變化而上、下位移，且磁鐵(30)會與磁簧開關(guān)(41)產(chǎn) 生感應(yīng)作用，而磁簧開關(guān)(41)可控制電路成為導(dǎo)通或不導(dǎo)通，以達(dá)到開啟或關(guān)閉等相關(guān)功 能，由于本技術(shù)的磁鐵(30)可確實保持磁性，使得液位檢測裝置于使用上更加穩(wěn)定。請參閱圖1至圖3所示，為本技術(shù)第一 實施例，其中該內(nèi)環(huán)壁(12)的階級部 (121)為一階級面，該階級面與環(huán)體(22)的容置槽(221)形成為半包覆式的容室(23)。請參閱圖4所示，為本技術(shù)第二實施例，其中相互結(jié)合的底座(IOA)與上蓋 (20A)，該底座(IOA)的內(nèi)環(huán)壁(12A)的階級部(121A)為一階級凹槽，該階級凹槽與該上 蓋(20A)的側(cè)壁(22A)的容置槽(221A)組合形成為一完全包覆式的容室(23A)，藉該容室 (23A)可供磁鐵(30A)的安裝容置。以上公開的僅為本技術(shù)的幾個具體實施例，但本技術(shù)并非局限于此，任 何本領(lǐng)域的技術(shù)人員能思之的變化，都應(yīng)落在本技術(shù)的保護(hù)范圍內(nèi)。權(quán)利要求本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點】
一種浮球，其特征在于，包括有一底座、一上蓋以及一磁鐵，其中：該底座為一殼體，該殼體具有一外環(huán)壁及一內(nèi)環(huán)壁，該內(nèi)環(huán)壁位在該外環(huán)壁所圍成的空間中，于殼體內(nèi)部且位在外環(huán)壁與內(nèi)環(huán)壁之間形成有一空間，而內(nèi)環(huán)壁所圍成的內(nèi)部形成為一貫穿的通孔，且殼體上設(shè)有至少一結(jié)合部，該內(nèi)環(huán)壁在相鄰于外環(huán)壁的壁面上具有一階級部；該上蓋具有一頂板，該頂板貫穿設(shè)有一穿孔，且頂板設(shè)有至少一連接部，該連接部對應(yīng)并固定于結(jié)合部，另頂板底面連接有一環(huán)體，該環(huán)體形成有一容置槽，該容置槽與內(nèi)環(huán)壁的階級部間形成有一容室，該上蓋設(shè)置于底座頂端，使底座的空間封閉；該磁鐵設(shè)置于該容室中，且磁鐵依照容室的形狀設(shè)計。

【技術(shù)特征摘要】
...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：吳定國，
申請(專利權(quán))人：上海凡宜科技電子有限公司，桓達(dá)科技股份有限公司，
類型：實用新型
國別省市：31[中國|上海]