一種用于硅片鍍膜的承載裝置制造方法及圖紙

本實用新型專利技術公開了一種用于硅片鍍膜的承載裝置，包括石墨碳板，石墨碳板上設有至少１個承載位，所述承載位向內凹陷形成承載槽，承載槽的大小與硅片配合，承載槽的深度為０．３～０．７ｍｍ。本實用新型專利技術用于硅片鍍膜工藝，無需使用定位銷，不僅減少了定位銷這部分的成本，而且大大方便了操作，提高了工作效率。（*該技術在2020年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及在太陽能電池生產過程中使用的一種輔助工具，具體涉及一種用 于硅片鍍膜的承載裝置。
技術介紹
目前，常規能源的持續使用帶來了能源緊缺以及環境惡化等一系列經濟和社會問 題，發展太陽能電池是解決上述問題的途經之一。現有的制造晶體硅太陽電池的制造流程 為表面清洗及織構化、擴散、清洗刻蝕去邊、鍍膜、絲網印刷、燒結形成歐姆接觸、測試。其 中，鍍膜工序是指將硅片裝在承載裝置(如石墨載板)上，再放入鍍膜設備進行鍍膜的工 藝，例如采用常用的PECVD工藝。現有的用于硅片鍍膜的承載裝置一般都是一塊石墨碳板，其上設有一排或多排放 硅片的承載位，承載位四周設有定位孔；將硅片放到承載位之后，在定位孔內插入定位銷， 以避免硅片在腔內運行時發生移位，然后再進行鍍膜，定位銷是為了防止硅片因移位而發 生鍍膜異常現象。然而，由于石墨碳板需要定期清洗，清洗前需要人工將定位銷全部撥出，而定位銷 在插撥過程中易發生斷裂，這造成了定位銷需經常更換，不僅增加了制造成本，而且操作麻 煩，工作效率較低。
技術實現思路
本技術目的是提供一種用于硅片鍍膜的承載裝置。為達到上述目的，本技術采用的技術方案是一種用于硅片鍍膜的承載裝置， 包括石墨碳板，石墨碳板上設有至少1個承載位，所述承載位向內凹陷形成承載槽，承載槽 的大小與硅片配合，承載槽的深度為0. 3 0. 7mm。上文中，所述石墨碳板上一般設有一排或多排用于放置硅片的承載位，本實用新 型是在各個承載位均設置承載槽。承載槽的大小與硅片配合，以便將硅片順利的放入其中， 并能順利取出。優選的技術方案，所述承載槽的深度為0. 5mm。由于上述技術方案運用，本技術與現有技術相比具有的優點是1、本技術在石墨碳板的各個承載位設置了與硅片配合的承載槽，因而硅片可 以放置于承載槽內，因而無需使用定位銷，不僅減少了定位銷這部分的成本，而且大大方便 了操作，提高了工作效率。2、硅片可以直接放入本技術的承載槽內，避免了工藝點的產生，太陽能電池 片外觀得到了改善，并能提升太陽能電池的轉換效率。3、本技術結構簡單，便于制備，適于推廣應用。附圖說明圖1是本技術實施例一的結構示意圖；圖2是圖1的A-A剖視圖；圖3是圖2的B部放大圖。其中1、石墨碳板；2、承載槽。具體實施方式以下結合附圖及實施例對本技術作進一步描述實施例一參見圖1 3所示，一種用于硅片鍍膜的承載裝置，包括石墨碳板1，石墨碳板上設 有多個承載位，所述承載位向內凹陷形成承載槽2，承載槽的大小與硅片配合，承載槽的深 度為0. 5mmο上文中，所述石墨碳板上一般設有多排用于放置硅片的承載位，本技術是在 各個承載位均設置承載槽。承載槽呈方形，其大小與硅片配合，以便將硅片順利的放入其 中，并能順利取出。權利要求1.一種用于硅片鍍膜的承載裝置，包括石墨碳板(1)，石墨碳板上設有至少1個承載 位，其特征在于所述承載位向內凹陷形成承載槽(2)，承載槽的大小與硅片配合，承載槽 的深度為0. 3 0. 7mm。2.根據權利要求1所述的用于硅片鍍膜的承載裝置，其特征在于所述承載槽的深度 為 0. 5mmο專利摘要本技術公開了一種用于硅片鍍膜的承載裝置，包括石墨碳板，石墨碳板上設有至少1個承載位，所述承載位向內凹陷形成承載槽，承載槽的大小與硅片配合，承載槽的深度為0.3～0.7mm。本技術用于硅片鍍膜工藝，無需使用定位銷，不僅減少了定位銷這部分的成本，而且大大方便了操作，提高了工作效率。文檔編號H01L31/18GK201788990SQ20102026729公開日2011年4月6日 申請日期2010年7月22日 優先權日2010年7月22日專利技術者劉東續, 張春華, 章靈軍, 顧孝明 申請人:蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司, 阿特斯(中國)投資有限公司本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種用于硅片鍍膜的承載裝置，包括石墨碳板（１），石墨碳板上設有至少１個承載位，其特征在于：所述承載位向內凹陷形成承載槽（２），承載槽的大小與硅片配合，承載槽的深度為０．３～０．７ｍｍ。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：顧孝明，張春華，劉東續，章靈軍，
申請(專利權)人：蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司，阿特斯中國投資有限公司，
類型：實用新型
國別省市：32[中國|江蘇]