顯示裝置及其形成方法,以及包含顯示裝置的電子裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術提供一種形成顯示裝置的方法，包含以下步驟：提供一基板，其包含驅動電路區及像素區；以半導體材料于基板上的驅動電路區中形成第一島及第二島；執行第一離子布植制程，以摻雜離子至第一島及第二島中；形成第一圖案化遮罩層于基板之上，以覆蓋第二島并暴露部分的第一島；以第一圖案化遮罩層為罩幕，執行第二離子布植制程，以形成第一源極／漏極區于第一島中；移除第一圖案化遮罩層；分別形成第一柵極及第二柵極于第一島及第二島之上；形成第二圖案化遮罩層于基板之上，以覆蓋第一島并暴露部分的第二島；以及以第二圖案化遮罩層及該第二柵極為罩幕，執行第三離子布植制程以形成一第二源極／漏極區于第二島中。

【技術實現步驟摘要】
,以及包含顯示裝置的電子裝置的制作方法
本專利技術關于顯示裝置的形成方法，特別是，關于可減少制程中所使用的 光罩數量的顯示裝置的形成方法。
技術介紹
低溫多晶珪(Low Temperature Polycrystalline Silicon)制程技術目前已廣泛 地運用在薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCD)的制造上。 一般來說，薄膜電晶體 具有多晶硅層作為其通道區域。在TFT-LCD制程中，形成多晶硅層的方法是 先形成非晶硅材料層于基板上，再執行準分子雷射退火制程，以使非晶硅層 轉變為多晶硅層。圖1A及1B繪示現有使用薄膜電晶體制程以形成顯示器的制造流程剖面 示意圖。參考圖1A，提供一基板120,其包含驅動電路區IOO及像素區110。 接著，形成氮化層130及氧化層132于基板120上。接著，在驅動電路區100 中形成多晶硅島140及142，并在像素區110中形成多晶硅島144,其中多晶 硅島140用以制造NMOS元件，而多晶硅島142用以制造PMOS元件。 一般 而言，形成多晶硅島140、 142、及144的方法可例如先形成非晶硅層，再利 用準分子雷射退火(excimer laser annealing)制程使非晶硅層再結晶為多晶硅 層，最后再利用現有的微影及蝕刻制程而形成多晶硅島140、 142、及144。接著，執行NMOS通道摻雜(channel doping)步驟，以調整所形成的NMOS 元件的臨界電壓。參考圖1B，使用光罩(圖未示)形成圖案化遮罩150于基板 120之上，以覆蓋多晶硅島142。接著，以圖案化遮罩150為罩幕，執行離子 布植步驟160，以植入離子(例如硼)至多晶硅島140及144中。一般來說，NMOS 通道摻雜步驟160所使用的離子布植的能量約在10KeV至15KeV之間，離 子濃度約為每立方厘米1.8ell至2.2el2個離子。由以上描述可了解到，在現有的TFT-LCD制程中，在進行NMOS的通 道摻雜步驟前，需要先使用一道光罩來形成覆蓋住PMOS的遮罩層。因此， 不僅制程所需時間較長，成本也較高。因此，需要提供一種顯示裝置的制造方法，可在不影響制程良率的情況 下，減少制程光罩數量。
技術實現思路
鑒于現有技術所存在的問題，本專利技術提供一種形成顯示裝置的方法，可 減少制程所需光罩數量，進而降低制程成本。根據本專利技術的實施例，提供了一種形成顯示裝置的方法。本專利技術的方法包含以下步驟提供一基板，其包含驅動電路區及像素區；以半導體材料于 基板上之驅動電路區中形成第一島及第二島；執4亍第一離子布植制程，以摻 雜離子至第一島及第二島中；形成第一圖案化遮罩層于基板之上，以覆蓋第 二島并暴露部分的第一島；以第一圖案化遮罩層為罩幕，執行第二離子布植 制程，以形成第一源極/漏極區于第一島中；移除第一圖案化遮罩層；分別形 成第一柵極及第二柵極于第一島及第二島之上；形成第二圖案化遮罩層于基 板之上，以覆蓋第一島并暴露部分的第二島；以及以第二圖案化遮罩層及該 第二柵極為罩幕，執行第三離子布植制程以形成第二源極/漏極區于第二島 中，其中第一島、第一源極/漏極區、第一通道區及第一柵極形成NMOS元件， 且第二島、第二源極/漏極區、第二通道區及第二4冊極形成PMOS元件。根據本專利技術的又一實施例，提供了一種形成顯示裝置的方法。本專利技術的 方法包含以下步驟提供一基板，其包含驅動電路區及像素區；于基板上之 驅動電路區中形成第一多晶硅島及第二多晶^f圭島，且于基板上的像素區中形 成像素多晶硅島；執行第一離子布植制程，以4參雜離子至第一多晶硅島、第 二多晶硅島、及像素多晶硅島中；形成第一圖案化遮罩層于基板之上，以覆 蓋第二多晶硅島、并暴露部分的第一多晶硅島及部分的像素多晶硅島；以第 一圖案化遮罩層為罩幕，執行N型離子布植制程，以形成第一源極/漏極區于 第一多晶硅島中、及形成像素源極/漏極區及下電極于像素多晶硅島中；移除 第 一圖案化遮罩層；分別形成第 一柵極及第二柵極于第一多晶硅島及第二多 晶硅島之上，且形成像素電極及上電極于像素多晶硅島之上；形成第二圖案 化遮罩層于基板之上，以覆蓋第一多晶硅島及^f象素多晶硅島且暴露部分的第 二多晶硅島；以及以第二圖案化遮罩層及第二柵極為罩幕，執行P型離子布 植制程以形成第二源極/漏極區于第二多晶硅島中。根據本專利技術的另一實施例，提供了一種電子裝置。此電子裝置包含以前述方法所形成的顯示裝置，以及耦接至顯示裝置的輸入單元，其中輸入單元 用以控制顯示裝置顯示圖像。本專利技術的其他方面，部分將在后續說明中陳述，而部分可由說明中輕易 得知，或可由本專利技術的實施而得知。本專利技術的各方面將可利用后附的權利要 求中所特別指出的元件及組合而理解并達成。需了解，前述的
技術實現思路
及下 列詳細說明均僅作舉例之用，并非用以限制本專利技術。附圖說明圖1A及1B繪示現有顯示器的制造流程剖面示意圖； 圖2A-2H繪示本專利技術的顯示器的制造流程剖面示意圖； 圖3A及3B分別顯示在不同離子布植條件下進行通道摻雜步驟后所形成 的NMOS及PMOS的臨界電壓的量測結果；以及圖4為根據本專利技術所繪示的電子裝置的示意圖。主要元件符號說明100馬區動電3各區110像素區120基板130氮化層131氧化層140、 142、 144多晶硅島150圖案化遮罩160離子布植201馬區動電3各區202像素區210基板220氮化層222氧化層2244冊才及絕纟彖層226絕緣層228介電層230、 240、 250多晶硅島232、 252 源才及/漏極區234、 254 通道區236、 246、 256、 257 柵極 255 下電極 258 上電極260、 262、 264 離子布才直270、 272 圖案化遮罩 280 4妄觸開口 285 導電層 290 介層孔 295 像素電才及 400 電子裝置 410 顯示裝置 420 輸入單元具體實施例方式本專利技術提供一種顯示裝置的制造方法，可在不影響制程良率下減少光罩 數量，以增進產能并降低成本。為了使本專利技術的敘述更加詳盡與完備，可參 照下列描述并配合圖2A至圖4的圖式。然而以下實施例中所迷的裝置、元 件及方法步驟，僅用以說明本專利技術，并非用以限制本專利技術的范圍。在本專利技術的方法中形成在基板上的各層結構，可以經由本領域技術人員 所熟知的方法來執行，例如沉積法(deposition),化學氣相沉積法(chemical vapor deposition)或原子層沉積法(atomic layer deposition (ALD))等。在圖2A-2H所示的實施例中，本專利技術提供一種使用薄膜電晶體制程形成 顯示裝置的方法。參考圖2A，本專利技術方法包含提供一基板210，其可以為絕 緣基板，例如為玻璃或塑膠基板。基板210包含驅動電路區200及像素區202。 接著，形成氮化層220及氧化層222于基板210上，其中氮化層220及氧化 層222的厚度可以依制程的設計而有不同的變化，以達到例如保護基板210 等目的。接著，于氧化層222之上，形成多晶硅島230及240于驅動電路區200中，且形成多晶硅島250于像素區202中。在此實施例中，多晶硅島230用 以制造NMOS元件，而多晶硅島240系用以制造PMOS元件。形成多晶硅島 230、 本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種形成顯示裝置的方法，包含以下步驟：　提供一基板，該基板包含驅動電路區及像素區；　以半導體材料于該基板上的該驅動電路區中形成第一島及第二島；　執行第一離子布植制程，以摻雜離子至該第一島及該第二島中；　形成第一圖案化 遮罩層于該基板之上，以覆蓋該第二島并暴露部分的該第一島；　以該第一圖案化遮罩層為罩幕，執行第二離子布植制程，以形成第一源極／漏極區于該第一島中；　移除該第一圖案化遮罩層；　分別形成第一柵極及第二柵極于該第一島及該第二島之上 ；　形成第二圖案化遮罩層于該基板之上，以覆蓋該第一島且暴露部分的該第二島；以及　以該第二圖案化遮罩層及該第二柵極為罩幕，執行第三離子布植制程以形成第二源極／漏極區于該第二島中；　其中該第一島、該第一源極／漏極區、該第一通道 區、及該第一柵極形成ＮＭＯＳ元件，且該第二島、該第二源極／漏極區、該第二通道區及該第二柵極形成ＰＭＯＳ元件。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：林宗彥，彭智宏，鄔前鵬，蔡善宏，葉怡君，
申請(專利權)人：統寶光電股份有限公司，
類型：發明
國別省市：71[中國|臺灣]