本發(fā)明專利技術(shù)的目的在于提供一種其氨基的保護(hù)基團(tuán)脫去后會(huì)生成氨基酸的氨基酸產(chǎn)生劑，以及使用該氨基酸產(chǎn)生劑和含有該氨基酸產(chǎn)生劑的聚硅氧烷組合物的用于形成被膜的組合物。本發(fā)明專利技術(shù)提供了含有（Ａ）成分、（Ｂ）成分和（Ｃ）成分的用于形成被膜的組合物。其中（Ａ）成分是下述式（１）所示的氨基的保護(hù)基團(tuán)脫去后會(huì)生成氨基酸的氨基酸產(chǎn)生劑，（Ｂ）成分是水解性硅烷、其水解物、其水解縮合物、或它們的混合物，（Ｃ）成分是溶劑。Ｄ－Ａ 式（１）（式中，Ｄ表示氨基的保護(hù)基團(tuán)，Ａ表示氨基酸去掉氨基的氫原子后所得的有機(jī)基團(tuán)。）。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及氨基酸產(chǎn)生劑和含有氨基酸產(chǎn)生劑的聚硅氧烷組合物。更詳細(xì)地說， 涉及留下羧基、保護(hù)了氨基的氨基酸產(chǎn)生劑，其通過加熱等處理，會(huì)脫去氨基的保護(hù)基團(tuán)而 生成氨基酸，還涉及使用了該氨基酸產(chǎn)生劑和含有該氨基酸產(chǎn)生劑的聚硅氧烷組合物的用 于形成被膜的組合物。
技術(shù)介紹
聚硅氧烷得益于其Si-O鍵而發(fā)揮出高透明性和高耐熱性，已研究了將其作為電 子器件、特別是固體成像元件的部件使用。在將聚硅氧烷用于電子器件中時(shí)，要經(jīng)過通過旋 轉(zhuǎn)涂布法等濕式工藝在任意的基板上形成被膜的工序，所以必須要變?yōu)榫酃柩跬榍迤帷４?外，聚硅氧烷在成膜后，一般要使用任意的烘烤儀器進(jìn)行烘烤。聚硅氧烷通過烘烤會(huì)使分子內(nèi)和分子間的Si-OH彼此縮聚，從而高分子量化而形 成結(jié)實(shí)的膜。但在Si-OH縮聚不完全時(shí)，在變成電子器件、特別是固體成像元件的部件之 后，在后續(xù)工序的高溫蝕刻試驗(yàn)等時(shí)殘留的Si-OH會(huì)再次縮聚、脫水而產(chǎn)生氣體，造成電子 器件的可靠性顯著降低。因此，要解決該問題就必須要消滅殘留的Si-OH。過去知道下述方法⑴進(jìn)行在高溫下長時(shí)間烘烤的工序，(2)在體系內(nèi)加入熱堿 性產(chǎn)生劑，并烘烤，從而促進(jìn)縮聚(參照專利文獻(xiàn)1)等。添加熱堿性產(chǎn)生劑的方法利用了 聚硅氧烷的Si-OH之間容易在堿性條件下發(fā)生縮聚的性質(zhì)，從而有效消滅殘留的Si-OH。迄 今為止所報(bào)道的熱堿性產(chǎn)生劑，是通過將作為顯示堿性的部位的伯胺或仲胺以活性較高的 狀態(tài)添加或添加叔胺，來促進(jìn)烘烤時(shí)進(jìn)行縮聚，但這樣會(huì)使聚硅氧烷清漆的冷凍、冷藏或室 溫下的存儲(chǔ)穩(wěn)定性變差。另一方面，已知聚硅氧烷清漆的存儲(chǔ)穩(wěn)定性是，一般在酸性區(qū)域pH值4附近不會(huì) 發(fā)生縮聚，是連水解也不進(jìn)行的穩(wěn)定區(qū)域。過去為了提高加入了熱堿性產(chǎn)生劑的體系內(nèi)的 聚硅氧烷清漆的存儲(chǔ)穩(wěn)定性，需要將PH值調(diào)節(jié)到4附近，為此使用在體系內(nèi)再添加草酸或 馬來酸等羧酸衍生物的方法。但添加熱堿性產(chǎn)生劑雖然會(huì)有效消滅殘留的Si-OH，但另一方面也會(huì)使聚硅氧烷 清漆的存儲(chǔ)穩(wěn)定性惡化。為此，需要在保持良好的聚硅氧烷清漆的存儲(chǔ)穩(wěn)定性的情況下，可以形成在制膜 和烘烤時(shí)顯著消滅Si-OH的聚硅氧烷膜的聚硅氧烷組合物。此外，已公開了含有聚硅氧烷和有機(jī)類交聯(lián)劑的固化性樹脂組合物(參照專利文 獻(xiàn)2 4)。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開平6-145599號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開2006-96983號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本特開2008-7640號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4 日本特開2003-2^837號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)是鑒于上述現(xiàn)狀而完成的，所要解決的課題是，提供聚硅氧烷清漆的存儲(chǔ) 穩(wěn)定性良好，并且表現(xiàn)出促進(jìn)殘留的Si-OH縮聚的效果的、使用聚硅氧烷組合物的用于形 成被膜的組合物。此外，還提供可防止固化物的縫隙、破裂的使用聚硅氧烷組合物的用于形 成被膜的組合物。本專利技術(shù)人為了解決上述問題而進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)在聚硅氧烷中加入了氨 基酸產(chǎn)生劑的聚硅氧烷組合物，聚硅氧烷清漆的存儲(chǔ)穩(wěn)定性良好，會(huì)促進(jìn)烘烤時(shí)進(jìn)行縮聚， 且顯著減少Si-OH殘留，可有效作為用于形成被膜的組合物作為使用。此外還發(fā)現(xiàn)，在電子材料領(lǐng)域使用氨基酸產(chǎn)生劑時(shí)，會(huì)表現(xiàn)出新的作用效果。也就是說，作為本專利技術(shù)的觀點(diǎn)1，是一種氨基酸產(chǎn)生劑，可脫去保護(hù)基團(tuán)而生成氨 基酸。作為本專利技術(shù)的觀點(diǎn)2，是一種熱氨基酸產(chǎn)生劑，可借助熱脫去保護(hù)基團(tuán)而生成氨基酸。作為本專利技術(shù)的觀點(diǎn)3，是一種光氨基酸產(chǎn)生劑，可借助光脫去保護(hù)基團(tuán)而生成氨基酸。作為本專利技術(shù)的觀點(diǎn)4，是如觀點(diǎn)1 3的任一項(xiàng)所述的氨基酸產(chǎn)生劑，所述氨基酸 產(chǎn)生劑以下述式(1)表示D-A 式(1)式中，D表示氨基的保護(hù)基團(tuán)，A表示氨基酸去掉氨基的氫原子后所得的有機(jī)基 團(tuán)。作為本專利技術(shù)的觀點(diǎn)5，是如觀點(diǎn)4所述的氨基酸產(chǎn)生劑，所述氨基酸產(chǎn)生劑以下述 式(2)表示式中，D表示氨基的保護(hù)基團(tuán)，R1表示氫原子(n = 0時(shí))或亞烷基，R2表示單鍵、 亞烷基、或亞芳基，此外，R1和R2可以與彼此結(jié)合的氨基的氮原子一起形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)，T是單 鍵或(k+2L+n+m)價(jià)的有機(jī)基團(tuán)，該有機(jī)基團(tuán)是可以含有氨基、巰基或羰基的碳原子數(shù)1 10的烷基或碳原子數(shù)6 40的芳基，并且k是1 4的整數(shù)，L是0 2的整數(shù)，η是0 2的整數(shù)，m是1 4的整數(shù)。作為本專利技術(shù)的觀點(diǎn)6，是如觀點(diǎn)4所述的氨基酸產(chǎn)生劑，所述保護(hù)基團(tuán)D是具有烷氧基羰基結(jié)構(gòu)的酯化羧基殘基。作為本專利技術(shù)的觀點(diǎn)7，是如觀點(diǎn)4所述的氨基酸產(chǎn)生劑，所述保護(hù)基團(tuán)D是叔丁氧基羰基或9-芴基甲氧基羰基。Hn權(quán)利要求1.一種氨基酸產(chǎn)生劑，可脫去保護(hù)基團(tuán)而生成氨基酸。2.一種熱氨基酸產(chǎn)生劑，可借助熱脫去保護(hù)基團(tuán)而生成氨基酸。3.一種光氨基酸產(chǎn)生劑，可借助光脫去保護(hù)基團(tuán)而生成氨基酸。4.如權(quán)利要求1 3的任一項(xiàng)所述的氨基酸產(chǎn)生劑，所述氨基酸產(chǎn)生劑以下述式(1) 表不D-A式⑴式中，D表示氨基的保護(hù)基團(tuán)，A表示氨基酸去掉氨基的氫原子后所得的有機(jī)基團(tuán)。5.如權(quán)利要求4所述的氨基酸產(chǎn)生劑，所述氨基酸產(chǎn)生劑以下述式(2)表示6.如權(quán)利要求4所述的氨基酸產(chǎn)生劑，所述保護(hù)基團(tuán)D是具有烷氧基羰基結(jié)構(gòu)的酯化 羧基殘基。7.如權(quán)利要求4所述的氨基酸產(chǎn)生劑，所述保護(hù)基團(tuán)D是叔丁氧基羰基或9-芴基甲氧基幾基。8.如權(quán)利要求1 3的任一項(xiàng)所述的氨基酸產(chǎn)生劑，所述氨基酸產(chǎn)生劑是選自下述式 (2-1) 式0-22)中的至少一種化合物，式中D表示氨基的保護(hù)基團(tuán)。9.一種用于形成被膜的組合物，含有權(quán)利要求1 8的任一項(xiàng)所述的氨基酸產(chǎn)生劑。10.一種用于形成被膜的組合物，含有(A)成分、(B)成分和(C)成分，(A)成分權(quán)利要求1 8的任一項(xiàng)所述的氨基酸產(chǎn)生劑，(B)成分水解性硅烷、其水解物、其水解縮合物或它們的混合物，(C)成分溶劑。11.如權(quán)利要求10所述的用于形成被膜的組合物，所述⑶成分是選自下述式(3)和 下述式中的至少一種水解性硅烷、其水解物、其水解縮合物或它們的混合物，R3aSi(R4)4^a 式(3)式中，R3表示具有烷基、芳基、鹵化烷基、鹵化芳基、鏈烯基或環(huán)氧基、丙烯酰基、甲基丙 烯酰基、巰基、氨基、羧基、磷酸基、酰胺基、硝基、酰基、磺基、氰基、或它們的組合的有機(jī)基 團(tuán)，并且其通過Si-C鍵與硅原子結(jié)合，此外，R4表示烷氧基、酰氧基或鹵原子，a表示O 3 的整數(shù)，〔R5cSi (R6)3J2Yb 式⑷式中，R5表示具有烷基、芳基、鹵化烷基、鹵化芳基、鏈烯基或環(huán)氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巰基、氨基、羧基、磷酸基、酰胺基、硝基、酰基、磺基、氰基或它們的組合的有機(jī)基 團(tuán)，并且其通過Si-C鍵與硅原子結(jié)合，此外，R6表示烷氧基、酰氧基或鹵原子，Y表示亞烷基 或亞芳基，b表示整數(shù)0或1，c表示整數(shù)0或1。12.如權(quán)利要求11所述的用于形成被膜的組合物， 所述(B)成分是選自上述式(3)的 a為0 2時(shí)的至少一種水解性硅烷、其水解物、其水解縮合物或它們的混合物。13.如權(quán)利要求10 12的任一項(xiàng)所述的用于形成被膜的組合物，還含有作為(D)成分 的交聯(lián)性化合物。14.如權(quán)利要求13所述的用于形成被膜的組合物，(D)成分含有分子內(nèi)具有至少2個(gè) 下述式(D-I)所示官能團(tuán)的交聯(lián)性化合物，-CH2-O-R1 式(D-I)式中，R1表示氫原子或碳原子數(shù)1 10的烷基。15.如權(quán)利要求本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種氨基酸產(chǎn)生劑，可脫去保護(hù)基團(tuán)而生成氨基酸。
【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：加藤拓，小林淳平，高野聰子，作本直樹，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：日產(chǎn)化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國別省市：JP[日本]
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