【技術實現步驟摘要】
本技術涉及電池，具體涉及一種二次電池、電池組及電子裝置。
技術介紹
1、目前由于圓柱具有生產工藝成熟、產量良品率高、加工成本低、安全性能和散熱性能好等優點，被廣泛應用于各行各業。
2、現有圓柱電池的端壁和電極組件間，以及端壁和極柱之間通過絕緣件絕緣，該絕緣件通常是一體式設計，而端壁和電極組件之間的絕緣需求、端壁和極柱之間的絕緣需求對絕緣件性能的要求有所區別，一體式的設計要實現根據不同需求進行結構設計和分別選材的難度較大、靈活性較差。
技術實現思路
1、鑒于以上現有技術的缺點，本技術提供一種二次電池、電池組及電子裝置，以改善結構設計和選材靈活性較差，無法滿足不同需求的技術問題。
2、為實現上述目的及其它相關目的，本技術提供一種二次電池，包括：殼體、電極組件、極柱和絕緣件；殼體包括端壁和圍繞端壁的側壁，端壁設置有極柱孔；電極組件設置于殼體內；極柱固定于端壁，極柱包括柱狀部和內凸緣，柱狀部貫穿極柱孔，內凸緣位于殼體內部，且由柱狀部向端壁的周緣延伸；絕緣件至少部分位于端壁面向殼體內部的一側，絕緣件包括分立的第一絕緣體和第二絕緣體，第一絕緣體圍繞柱狀部，且至少部分被夾持于內凸緣和端壁之間，第二絕緣體的至少部分圍繞設置于第一絕緣體，所述第一絕緣體和所述第二絕緣體隔絕所述電極組件和所述端壁。
3、上述技術方案中，將絕緣件設置為第一絕緣體和第二絕緣體的分體設計，可以實現對第一絕緣體和第二絕緣體的結構按照需求分別設計，且方便根據不同的結構、絕緣、耐熱性能的需求選則
4、在本技術二次電池一示例中，沿端壁的厚度方向，第一絕緣體和第二絕緣體在端壁的投影至少部分重合，第一絕緣體包括與第二絕緣體重合的第一重合部，第二絕緣體包括與第一絕緣體重合的第二重合部。
5、上述技術方案中，第一絕緣體和第二絕緣體在端壁的投影至少部分重合的部位為第一絕緣體和第二絕緣體搭接的部分，該設置一方面使二者之間產生一定的連接關系，提高安裝的穩定性，另一方面可以降低第一絕緣體和第二絕緣體徑向存在間隙而導致電極組件和端壁接觸的風險，提高第一絕緣體和第二絕緣體對端壁和電極組件的絕緣性能。
6、在本技術二次電池一示例中，第二重合部位于第一重合部和端壁之間。
7、上述技術方案中，第二重合部位于第一重合部和端壁之間，在內凸緣將第一絕緣體朝端壁壓緊的同時，第二絕緣體可以被第一絕緣體壓緊到端壁，提高第二絕緣體安裝的穩定性，進而提高安全性能。
8、在本技術二次電池一示例中，沿端壁的厚度方向，第一重合部和第二重合部重疊形成搭接部，第一絕緣體和/或第二絕緣體包括用于減少搭接部厚度的減薄結構。
9、上述技術方案中，減薄結構的設置可以減少搭接部的厚度，一方面提高了搭接部的平整性，另一方面減小搭接部對二次電池高度方向上的空間的占用。
10、在本技術二次電池一示例中，減薄結構包括設置于第一絕緣體的外周緣的第一減薄區，第一重合部位于第一減薄區。
11、上述技術方案中，通過在第一絕緣體的外周緣設置第一減薄區，一方面提高了搭接部的平整性，另一方面實現了減小搭接部對二次電池高度方向上的空間的占用。
12、在本技術二次電池一示例中，第一絕緣體面向端壁的一側的近外邊緣處設置有朝背離端壁的方向凹陷的第一臺階，以形成第一減薄區。
13、上述技術方案中，通過在第一絕緣體面向端壁的一側設置第一臺階以形成減薄區，使得第一絕緣體靠近電極組件的一側為平面，保證了內凸緣壓緊面的平整性，提高了內凸緣壓緊的穩定性。
14、在本技術二次電池一示例中，第一臺階包括圍繞柱狀部的第一側面和與第一側面的底端相接的第一底壁，第一側面與第一底壁之間的夾角為α，90°＜α＜180°。
15、上述技術方案中，將夾角設置在該范圍內可以緩解第一底壁和第一側面之間的應力集中，且在成型加工時便于脫模。
16、在本技術二次電池一示例中，沿端壁的徑向，內凸緣的外邊緣到極柱的軸線的距離為x，第一側面遠離第一底壁的邊到極柱的軸線的距離為y，x與y的差為a，a的絕對值的范圍為0～3mm。
17、上述技術方案中，將a的絕對值設置在0～3mm范圍內，可以實現第二重合部與內凸緣在徑向上的距離更近，使得第二重合部受到更大的來自于內凸緣的壓緊力，有利于提高絕緣件的密封性能。
18、在本技術二次電池一示例中，沿端壁的徑向，第二重合部的內側面與第一側面的外邊沿的距離為b，b的范圍為0.2mm～3mm。
19、上述技術方案中，將b設置在0.2mm～3mm的范圍，當極柱進行鉚接時，第一絕緣體因受到徑向力而沿徑向變形，該設置改善了第一絕緣體沿徑向壓縮變形時不會對第二絕緣體造成過大的壓力導致第二絕緣體的邊緣翹起。
20、在本技術二次電池一示例中，沿端壁的徑向，第二重合部的內側面與第一側面的外邊沿的距離為b，第二絕緣體的外邊緣與殼體的內壁的距離為c，其中b＜c。
21、上述技術方案中，第一側面的外邊沿可以起到限定第二絕緣體沿端壁的徑向的移動，通過b＜c的設置，可以實現限制第二絕緣體的外周緣的一側觸碰到殼體的內壁，避免第二絕緣體相對的另一側無法起到隔絕電極組件和端壁的效果，以達到較好的絕緣效果。
22、在本技術二次電池一示例中，第一減薄區的厚度為i，第一臺階的深度為k，其中，i與i+k的比值的范圍為：0.2≤i/(i+k)≤0.8。
23、上述技術方案中，該厚度的第一減薄區既具有較高的強度、利于成型的同時可以減少在二次電池高度方向上的空間的占用。
24、在本技術二次電池一示例中，減薄結構包括設置于第二絕緣體的內周緣的第二減薄區，第二重合部位于第二減薄區，第二絕緣體面向電極組件的一側的內周設置有朝向端壁的方向凹陷的第二臺階，以形成第二減薄區。
25、上述技術方案中，通過在第二絕緣體的內周緣設置第二減薄區，一方面提高了搭接部的平整性，另一方面實現了減小搭接部對二次電池高度方向上的空間的占用，另外，第二絕緣體的第二臺階能夠與第一絕緣體的第一臺階相對設置，第一臺階的第一側面和第二臺階的第二側面可以互相起到限位的作用，可以提高裝配時第一絕緣體和第二絕緣體的對中性。另一方面，使得第二絕緣體靠近端壁的一側具有較好的平整性，進一步減小了絕緣件對二次電池高度方向上的空間的占用。
26、在本技術二次電池一示例中，第二絕緣體還包括環繞并連接第二減薄區的過渡部，第二絕緣體背離端壁的一側設置有朝靠近端壁方向凹陷的第三臺階，以形成過渡部，過渡部的平均厚度大于第二減薄區的平均厚度。
27、上述技術方案中，過渡部的設置可以改善由于第二絕緣體在徑向上壁厚突變出現缺膠的問題，也可以緩解第二臺階應力集中的問題。
28、在本技術二次電池一示例中，第二絕緣體的外周緣設置本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種二次電池，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的二次電池，其特征在于，沿所述端壁的厚度方向，所述第一絕緣體和所述第二絕緣體在所述端壁的投影至少部分重合，所述第一絕緣體包括與所述第二絕緣體重合的第一重合部，所述第二絕緣體包括與所述第一絕緣體重合的第二重合部。
3.根據權利要求2所述的二次電池，其特征在于，所述第二重合部位于所述第一重合部和所述端壁之間。
4.根據權利要求2所述的二次電池，其特征在于，沿所述端壁的厚度方向，所述第一重合部和所述第二重合部重疊形成搭接部，所述第一絕緣體和/或所述第二絕緣體包括用于減少所述搭接部厚度的減薄結構。
5.根據權利要求4所述的二次電池，其特征在于，所述減薄結構包括設置于所述第一絕緣體的外周的第一減薄區，所述第一重合部位于所述第一減薄區。
6.根據權利要求5所述的二次電池，其特征在于，所述第一絕緣體面向所述端壁的一側的外周設置有朝背離所述端壁的方向凹陷的第一臺階，以形成所述第一減薄區。
7.根據權利要求6所述的二次電池，其特征在于，所述第一臺階包括圍繞所述柱狀部的
8.根據權利要求7所述的二次電池，其特征在于，沿所述端壁的徑向，所述內凸緣的外邊緣到所述極柱的軸線的距離為x，所述第一側面遠離所述第一底壁的邊到所述極柱的軸線的距離為y，x與y的差為a，a的絕對值的范圍為0～3mm。
9.根據權利要求7所述的二次電池，其特征在于，沿所述端壁的徑向，所述第二重合部的內邊緣與所述第一側面遠離所述第一底壁的邊的距離為b，b的范圍為0.2mm～3mm。
10.根據權利要求7所述的二次電池，其特征在于，沿所述端壁的徑向，所述第二重合部的內邊緣與所述第一側面遠離所述第一底壁的邊的距離為b，所述第二絕緣體的外邊緣與所述殼體的內壁的距離為c，其中b＜c。
11.根據權利要求6所述的二次電池，其特征在于，所述第一減薄區的厚度為i，所述第一臺階的深度為k，其中，i與i+k的比值的范圍為：0.2≤i/(i+k)≤0.8。
12.根據權利要求6所述的二次電池，其特征在于，所述減薄結構包括設置于所述第二絕緣體的內周的第二減薄區，所述第二重合部位于所述第二減薄區，所述第二絕緣體面向所述電極組件的一側的內周設置有朝向所述端壁的方向凹陷的第二臺階，以形成所述第二減薄區。
13.根據權利要求12所述的二次電池，其特征在于，所述第二絕緣體還包括環繞并連接所述第二減薄區的過渡部，所述第二絕緣體背離所述端壁的一側設置有朝向所述端壁方向凹陷的第三臺階，以形成所述過渡部，所述過渡部的平均厚度大于所述第二減薄區的平均厚度。
14.根據權利要求13所述的二次電池，其特征在于，所述第二絕緣體的外周設置有第三減薄區，所述第二絕緣體面向所述端壁的一側設置有朝背離所述端壁的方向凹陷的第四臺階，以形成所述第三減薄區。
15.根據權利要求14所述的二次電池，其特征在于，所述第二絕緣體還包括多個第四減薄區，所述第四減薄區包括在所述第二絕緣體厚度方向的至少一側設置的第一凹部，多個所述第四減薄區呈放射狀間隔分布于所述第三減薄區和所述過渡部之間的區域，每相鄰兩個所述第一凹部之間形成有第一凸部。
16.根據權利要求15所述的二次電池，其特征在于，所述第四減薄區包括在所述第二絕緣體靠近所述端壁的一側設置的第一凹部，沿所述第二絕緣體的徑向，所述第四減薄區與所述第三減薄區之間形成有至少一個第二凸部。
17.根據權利要求16所述的二次電池，其特征在于，所述第二凸部有多個，多個所述第二凸部圍繞所述第三減薄區設置，每相鄰兩個所述第二凸部之間形成有第二凹部。
18.根據權利要求15至17中任何一項所述的二次電池，其特征在于，所述第四減薄區的數量大于等于四個。
19.根據權利要求2所述的二次電池，其特征在于，沿所述端壁的徑向，所述第二絕緣體的外邊緣與所述殼體的內壁的距離為c，所述第一重合部的長度為d，其中d＞c。
20.根據權利要求1所述的二次電池，其特征在于，所述第一絕緣體包括設置于所述極柱孔內的第一部分和設置于所述內凸緣與所述端壁間的第二部分，沿所述端壁的厚度方向，所述內凸緣和所述第二部分在所述端壁上的投影至少部分重合。
21.根據權利要求1所述的二次電池，其特征在于，所述第一絕緣體的耐熱性為240℃～350℃，所述第二絕緣體的耐熱性為100℃～200℃。
22.根據權利要求1所述的二次電池，其特征在于，所...
【技術特征摘要】
1.一種二次電池，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的二次電池，其特征在于，沿所述端壁的厚度方向，所述第一絕緣體和所述第二絕緣體在所述端壁的投影至少部分重合，所述第一絕緣體包括與所述第二絕緣體重合的第一重合部，所述第二絕緣體包括與所述第一絕緣體重合的第二重合部。
3.根據權利要求2所述的二次電池，其特征在于，所述第二重合部位于所述第一重合部和所述端壁之間。
4.根據權利要求2所述的二次電池，其特征在于，沿所述端壁的厚度方向，所述第一重合部和所述第二重合部重疊形成搭接部，所述第一絕緣體和/或所述第二絕緣體包括用于減少所述搭接部厚度的減薄結構。
5.根據權利要求4所述的二次電池，其特征在于，所述減薄結構包括設置于所述第一絕緣體的外周的第一減薄區，所述第一重合部位于所述第一減薄區。
6.根據權利要求5所述的二次電池，其特征在于，所述第一絕緣體面向所述端壁的一側的外周設置有朝背離所述端壁的方向凹陷的第一臺階，以形成所述第一減薄區。
7.根據權利要求6所述的二次電池，其特征在于，所述第一臺階包括圍繞所述柱狀部的第一側面和與所述第一側面的底端相接的第一底壁，所述第一側面與所述第一底壁之間的夾角為α，90°＜α＜180°。
8.根據權利要求7所述的二次電池，其特征在于，沿所述端壁的徑向，所述內凸緣的外邊緣到所述極柱的軸線的距離為x，所述第一側面遠離所述第一底壁的邊到所述極柱的軸線的距離為y，x與y的差為a，a的絕對值的范圍為0～3mm。
9.根據權利要求7所述的二次電池，其特征在于，沿所述端壁的徑向，所述第二重合部的內邊緣與所述第一側面遠離所述第一底壁的邊的距離為b，b的范圍為0.2mm～3mm。
10.根據權利要求7所述的二次電池，其特征在于，沿所述端壁的徑向，所述第二重合部的內邊緣與所述第一側面遠離所述第一底壁的邊的距離為b，所述第二絕緣體的外邊緣與所述殼體的內壁的距離為c，其中b＜c。
11.根據權利要求6所述的二次電池，其特征在于，所述第一減薄區的厚度為i，所述第一臺階的深度為k，其中，i與i+k的比值的范圍為：0.2≤i/(i+k)≤0.8。
12.根據權利要求6所述的二次電池，其特征在于，所述減薄結構包括設置于所述第二絕緣體的內周的第二減薄區，所述第二重合部位于所述第二減薄區，所述第二絕緣體面向所述電極組件的一側的內周設置有朝向所述端壁的方向凹陷的第二臺階，以形成所述第二減薄區。
13.根據權利要求12所述的二次電池，其特征在于，所述第二絕緣體還包括環繞并連接所述第二減薄區的過渡部，所述第二絕緣體背離所述端壁的一側設置有朝向所述端壁方向凹陷的第三臺階，以形成所述過渡部，所述過渡部的平均厚度大于所述第二減薄區的平均厚度。
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【專利技術屬性】
技術研發人員：王振，
申請(專利權)人：株式會社AESC日本，
類型：新型
國別省市：
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