【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)是關(guān)于半導(dǎo)體裝置，特別是關(guān)于場(chǎng)板結(jié)構(gòu)。
技術(shù)介紹
1、以氮化鎵為主(gan-based)的半導(dǎo)體材料具有許多卓越的材料特性，例如高抗熱性、寬能隙(band-gap)、以及高電子飽和速率。因此，以氮化鎵為主的半導(dǎo)體材料適合應(yīng)用于高溫、高電壓、或高電流的環(huán)境。近年來，以氮化鎵為主的半導(dǎo)體材料已廣泛地應(yīng)用于發(fā)光二極管(light?emitting?diode,led)元件或高頻元件，例如具有異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的高電子遷移率晶體管(high?electron?mobility?transistor,hemt)。
2、然而，在高壓的操作中，在施加高電壓的漏極接觸件容易因高電場(chǎng)產(chǎn)生很多“熱”載流子。這些熱載流子可能產(chǎn)生碰撞、產(chǎn)生缺陷中心(trap?center)、以及降低裝置性能，進(jìn)而導(dǎo)致元件失效(例如燒毀)。為了因應(yīng)高電場(chǎng)的問題，可運(yùn)用許多可行的方法，如插入阻擋層、優(yōu)化漏極電極的輪廓、或調(diào)整源極電極和漏極電極的排列。
3、雖然現(xiàn)有技術(shù)所制造的高電子遷移率晶體管裝置可大致滿足它們?cè)阮A(yù)定的用途，但其仍未在各個(gè)方面皆徹底地符合需求。舉例來說，盡管上述方法可有效地分散電場(chǎng)，但卻無法使分散后的電場(chǎng)在漏極接觸件的各個(gè)區(qū)段達(dá)到平衡。因此，除了企圖改善電場(chǎng)過高的問題之外，可能也需要提出其他方法來解決電場(chǎng)分布的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、一種半導(dǎo)體裝置，包括：襯底；化合物半導(dǎo)體層，設(shè)置于襯底上；以及源極電極和漏極電極，設(shè)置于化合物半導(dǎo)體層上。源極電極包括多個(gè)源極指部彼此平行排列。漏極
2、本專利技術(shù)的半導(dǎo)體裝置提供一種場(chǎng)板結(jié)構(gòu)，特別適用于均勻地分散電場(chǎng)強(qiáng)度。如上所提及，漏極指部的指尖段的熱載流子能量高于漏極指部的平側(cè)段的熱載流子能量。因此，場(chǎng)板在指尖段的配置也應(yīng)與場(chǎng)板在平側(cè)段的配置有所不同。本專利技術(shù)提出一種創(chuàng)新的場(chǎng)板配置來進(jìn)一步調(diào)節(jié)指尖段和平側(cè)段的電場(chǎng)差異。與其在漏極指部的每個(gè)區(qū)段配置相同類型的場(chǎng)板，可在平側(cè)段和指尖段分別設(shè)置漏極場(chǎng)板和多個(gè)浮置場(chǎng)板。如先前所提及，浮置場(chǎng)板可比漏極場(chǎng)板更有效地調(diào)整電場(chǎng)分布。本專利技術(shù)在較高電場(chǎng)的指尖段設(shè)置浮置場(chǎng)板，并在較低電場(chǎng)的平側(cè)段設(shè)置漏極場(chǎng)板。換言之，刻意地使指尖段的電場(chǎng)減緩程度大于平側(cè)段的電場(chǎng)減緩程度，使得整體漏極指部的電場(chǎng)可達(dá)到較佳的平衡(也就是更均勻的分布)。當(dāng)平側(cè)段的電場(chǎng)分布與指尖段的電場(chǎng)分布達(dá)到相同或相似的水平時(shí)，最脆弱點(diǎn)(也就是最可能發(fā)生失效的地點(diǎn))即不存在。此外，若指尖段的電場(chǎng)被過度分散而導(dǎo)致指尖段的熱載流子能量低于平側(cè)段的熱載流子能量，最脆弱點(diǎn)則會(huì)由指尖段被轉(zhuǎn)移至平側(cè)段。即便如此，由于平側(cè)段所延伸的面積遠(yuǎn)大于指尖段所延伸的面積，最脆弱點(diǎn)將可輕易地被淡化，進(jìn)而顯著地減少失效發(fā)生的機(jī)率，并提升元件可靠度。
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1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該源極電極包括一源極共用線，電連接該多個(gè)源極指部，其中該漏極電極包括一漏極共用線，電連接該多個(gè)漏極指部。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，更包括一柵極電極，設(shè)置于該源極電極與該漏極電極之間。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該多個(gè)第二場(chǎng)板為多個(gè)浮置場(chǎng)板，彼此隔開，且與該指尖段隔開，其中該多個(gè)浮置場(chǎng)板包括：
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一子場(chǎng)板、該第二子場(chǎng)板、以及該第三子場(chǎng)板具有相同的尺寸，而該第一間距、該第二間距、以及該第三間距相等。
6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一子場(chǎng)板、該第二子場(chǎng)板、以及該第三子場(chǎng)板具有相同的尺寸，而該第三間距大于該第二間距，該第二間距大于該第一間距。
7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一子場(chǎng)板的尺寸大于該第二子場(chǎng)板的尺寸，該第二子場(chǎng)板的尺寸大于該第三子場(chǎng)板的尺寸，而該第一間距、該第二間距、以及該第三間距相等。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該源極電極包括一源極共用線，電連接該多個(gè)源極指部，其中該漏極電極包括一漏極共用線，電連接該多個(gè)漏極指部。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，更包括一柵極電極，設(shè)置于該源極電極與該漏極電極之間。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該多個(gè)第二場(chǎng)板為多個(gè)浮置場(chǎng)板，彼此隔開，且與該指尖段隔開，其中該多個(gè)浮置場(chǎng)板包括：
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一子場(chǎng)板、該第二子場(chǎng)板、以及該第三子場(chǎng)板具有相同的尺寸，而該第一間距、該第二間距、以及該第三間距相等。
6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一子場(chǎng)板、該第二子場(chǎng)板、以及該第三子場(chǎng)板具有相同的尺寸，...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳柏安，葉岡麟，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：新唐科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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