【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種半導體裝置以及其制作方法，尤其是涉及一種包括平面裝置區與鰭式裝置區的半導體裝置以及其制作方法。
技術介紹
1、半導體集成電路的技術隨著時間不斷地進步成長，每個新世代制作工藝下的產品都較前一個世代具有更小且更復雜的電路設計。在各芯片區域上的功能元件因產品革新需求而必須使其數量與密度不斷地提升，當然也就使得各元件幾何尺寸需越來越小。在集成電路中，晶體管為很重要的半導體元件。近年來，相關業界提出以立體或非平面(non-planar)多柵極晶體管元件如鰭式場效晶體管(fin?field?effect?transistor，finfet)元件來取代平面晶體管元件。然而，鰭式裝置的制作方法會影響在集成電路中其他裝置的結構與特性，故如何改善鰭式裝置與其他裝置之間的制作方法整合狀況以達到產品需求仍是相關領域人士持續努力的方向。
技術實現思路
1、本專利技術提供了一種半導體裝置以及其制作方法，利用隔離結構覆蓋平臺結構的側壁且使導電結構延伸至隔離結構上，由此改善平面裝置的電性表現以符合產品需求。
2、本專利技術的一實施例提供一種半導體裝置，包括一半導體基底、一隔離結構以及一第一導電結構。半導體基底具有一平面裝置區以及一鰭式裝置區，且半導體基底包括一平臺結構以及多個鰭狀結構。平臺結構設置在平面裝置區中，且多個鰭狀結構設置在鰭式裝置區中。隔離結構設置在半導體基底上，且隔離結構包括一第一部分以及一第二部分。第一部分設置在平面裝置區上且覆蓋平臺結構的側壁，而第二部分設置在鰭式裝置
3、在一些實施例中，半導體基底還包括一基層，其中平臺結構以及各鰭狀結構自基層的上表面向上凸起，且平臺結構的寬度大于各鰭狀結構的寬度。
4、在一些實施例中，隔離結構的第一部分的上表面在垂直方向上高于隔離結構的第二部分的上表面。
5、在一些實施例中，隔離結構的第一部分的上表面在垂直方向上高于平臺結構的上表面或與平臺結構的上表面共平面。
6、在一些實施例中，隔離結構的第一部分包括一第一區以及一第二區，第二區與第一區相連，第一區位于平臺結構的側壁與第二區之間，且第一區的上表面在垂直方向上高于第二區的上表面。
7、在一些實施例中，平臺結構的最上部的側壁被隔離結構的第一部分覆蓋。
8、在一些實施例中，隔離結構的第一部分直接接觸平臺結構的最上部的側壁。
9、在一些實施例中，在垂直方向上設置在隔離結構的第一部分之上的第一導電結構的底表面在垂直方向上高于平臺結構的上表面。
10、在一些實施例中，半導體裝置還包括一第二導電結構設置在鰭式裝置區上，第二導電結構設置在隔離結構的第二部分上且跨設在多個鰭狀結構上。
11、在一些實施例中，第一導電結構與第二導電結構相連。
12、本專利技術的一實施例提供一種半導體裝置的制作方法，包括下列步驟。提供一半導體基底，半導體基底具有一平面裝置區以及一鰭式裝置區，且半導體基底包括一平臺結構以及多個鰭狀結構。平臺結構設置在平面裝置區中，且多個鰭狀結構設置在鰭式裝置區中。在半導體基底上形成一隔離結構，且隔離結構包括一第一部分以及一第二部分。第一部分設置在平面裝置區上且覆蓋平臺結構的側壁，而第二部分設置在鰭式裝置區上且位于多個鰭狀結構之間。在平面裝置區上形成一第一導電結構，第一導電結構在一垂直方向上部分設置在平臺結構上且在垂直方向上部分設置在隔離結構的第一部分上。
13、在一些實施例中，形成隔離結構的方法包括在半導體基底上形成一絕緣材料，其中絕緣材料的一第一部分形成在平面裝置區上且覆蓋平臺結構的側壁，且絕緣材料的一第二部分形成在鰭式裝置區上且位于多個鰭狀結構之間；以及對絕緣材料進行一蝕刻制作工藝，用以移除絕緣材料的第二部分的一部分且暴露出各鰭狀結構的上部，其中一掩模層在蝕刻制作工藝中覆蓋平臺結構以及絕緣材料的第一部分的至少一部分，且絕緣材料的第一部分的一部分被蝕刻制作工藝移除。
14、在一些實施例中，在蝕刻制作工藝之后，絕緣材料的第二部分的上表面在垂直方向上低于各鰭狀結構的上表面。
15、在一些實施例中，在蝕刻制作工藝之后，平臺結構的最上部的側壁被絕緣材料的第一部分覆蓋。
16、在一些實施例中，絕緣材料的第二部分被蝕刻制作工藝部分移除而成為隔離結構的第二部分。
17、在一些實施例中，形成隔離結構的方法還包括在蝕刻制作工藝之后進行一移除制作工藝，其中掩模層在移除制作工藝之前被移除，且絕緣材料的第一部分被蝕刻制作工藝以及移除制作工藝部分移除而成為隔離結構的第一部分。
18、在一些實施例中，隔離結構的第一部分包括一第一區以及一第二區，第二區與第一區相連，其中第一區位于平臺結構的側壁與第二區之間，且第一區的上表面在垂直方向上高于第二區的上表面。
19、在一些實施例中，在移除制作工藝之后，平臺結構的最上部的側壁被隔離結構的第一部分的第一區覆蓋。
20、在一些實施例中，制作方法還包括在鰭式裝置區上形成一第二導電結構，其中第二導電結構設置在隔離結構的第二部分上且跨設在多個鰭狀結構上。
21、在一些實施例中，第一導電結構與第二導電結構是由相同制作工藝一并形成且彼此相連。
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1.一種半導體裝置，包括：
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該半導體基底還包括：
3.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該隔離結構的該第一部分的上表面在該垂直方向上高于該隔離結構的該第二部分的上表面。
4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該隔離結構的該第一部分的上表面在該垂直方向上高于該平臺結構的上表面或與該平臺結構的該上表面共平面。
5.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該隔離結構的該第一部分包括：
6.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該平臺結構的最上部的側壁被該隔離結構的該第一部分覆蓋。
7.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該隔離結構的該第一部分直接接觸該平臺結構的最上部的側壁。
8.如權利要求1所述的半導體裝置，其中在該垂直方向上設置在該隔離結構的該第一部分之上的該第一導電結構的底表面在該垂直方向上高于該平臺結構的上表面。
9.如權利要求1所述的半導體裝置，還包括：
10.如權利要求9所述的半導體裝置，其中該第一導電結構與該第二導電結構相連。
12.如權利要求11所述的半導體裝置的制作方法，其中形成該隔離結構的方法包括：
13.如權利要求12所述的半導體裝置的制作方法，其中在該蝕刻制作工藝之后，該絕緣材料的該第二部分的上表面在該垂直方向上低于各該鰭狀結構的上表面。
14.如權利要求12所述的半導體裝置的制作方法，其中在該蝕刻制作工藝之后，該平臺結構的最上部的側壁被該絕緣材料的該第一部分覆蓋。
15.如權利要求12所述的半導體裝置的制作方法，其中該絕緣材料的該第二部分被該蝕刻制作工藝部分移除而成為該隔離結構的該第二部分。
16.如權利要求15所述的半導體裝置的制作方法，其中形成該隔離結構的該方法還包括：
17.如權利要求16所述的半導體裝置的制作方法，其中該隔離結構的該第一部分包括：
18.如權利要求17所述的半導體裝置的制作方法，其中在該移除制作工藝之后，該平臺結構的最上部的側壁被該隔離結構的該第一部分的該第一區覆蓋。
19.如權利要求11所述的半導體裝置的制作方法，還包括：
20.如權利要求19所述的半導體裝置的制作方法，其中該第一導電結構與該第二導電結構是由相同制作工藝一并形成且彼此相連。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體裝置，包括：
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該半導體基底還包括：
3.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該隔離結構的該第一部分的上表面在該垂直方向上高于該隔離結構的該第二部分的上表面。
4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該隔離結構的該第一部分的上表面在該垂直方向上高于該平臺結構的上表面或與該平臺結構的該上表面共平面。
5.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該隔離結構的該第一部分包括：
6.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該平臺結構的最上部的側壁被該隔離結構的該第一部分覆蓋。
7.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該隔離結構的該第一部分直接接觸該平臺結構的最上部的側壁。
8.如權利要求1所述的半導體裝置，其中在該垂直方向上設置在該隔離結構的該第一部分之上的該第一導電結構的底表面在該垂直方向上高于該平臺結構的上表面。
9.如權利要求1所述的半導體裝置，還包括：
10.如權利要求9所述的半導體裝置，其中該第一導電結構與該第二導電結構相連。
11.一種半導體裝置的制作方法，包括：
12.如權...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳信宇，林俊豪，莊媛婷，謝守偉，
申請(專利權)人：聯華電子股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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