【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及晶圓制造，尤其涉及一種晶圓烘烤方法及裝置。
技術(shù)介紹
1、在半導(dǎo)體芯片的封裝過程中，為了使晶粒微小化、多功能性并符合綠色制造要求，業(yè)內(nèi)通常會使用晶圓封膠/注膠與堆棧等技術(shù)，但封膠/堆棧材料都會吸收或包覆水汽，而產(chǎn)易揮發(fā)物質(zhì)或于制程中產(chǎn)生氣泡，進(jìn)而影響后續(xù)產(chǎn)品的質(zhì)量。
2、目前，很多廠家會對晶圓進(jìn)行烘烤，以去除芯片及封裝材料中的氣泡。然而在實際烘烤過程中發(fā)現(xiàn)，部分氣泡無法通過封裝材料與晶圓之間的間隙逸出，導(dǎo)致經(jīng)過烘烤后的晶圓依然會存在較多氣泡。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本申請?zhí)岢鲆环N晶圓烘烤方法及裝置,以解決現(xiàn)有技術(shù)中晶圓烘烤中氣泡去除不徹底的問題。
2、在第一方面，本申請?zhí)峁┮环N晶圓烘烤方法，包括：
3、對存放有晶圓的壓力烤箱內(nèi)的壓力進(jìn)行一次正負(fù)壓的振蕩調(diào)節(jié)；
4、調(diào)升所述壓力烤箱內(nèi)的溫度與壓力，在此期間，當(dāng)所述壓力烤箱內(nèi)的壓力升至預(yù)設(shè)壓力后保持所述壓力烤箱內(nèi)的壓力；
5、調(diào)低所述壓力烤箱內(nèi)的溫度，再取出所述壓力烤箱內(nèi)的晶圓。
6、基于上述的晶圓烘烤方法，先對存放有晶圓的壓力烤箱內(nèi)的壓力進(jìn)行一次正負(fù)壓的振蕩調(diào)節(jié)，從而將大氣泡抽出封裝材料，并將未抽出的大氣泡分化成數(shù)個小氣泡；然后調(diào)升壓力烤箱內(nèi)的溫度與壓力，從而軟化氣泡和封裝材料，提高氣泡的運動速率，以將氣泡從封裝材料內(nèi)擠出，或者將氣泡進(jìn)一步地打散，使其無法在晶圓內(nèi)形成“空洞”，使得經(jīng)烘烤后的晶圓內(nèi)的氣泡含
7、在上述的晶圓烘烤方法的一個或多個實施例中，在對所述壓力烤箱內(nèi)的壓力進(jìn)行一次正負(fù)壓的振蕩調(diào)節(jié)后，調(diào)升所述壓力烤箱內(nèi)的壓力至預(yù)設(shè)壓力并保持。
8、在上述的晶圓烘烤方法的一個或多個實施例中，在調(diào)升所述壓力烤箱內(nèi)的壓力至預(yù)設(shè)壓力并保持后，對所述壓力烤箱內(nèi)的溫度進(jìn)行分段調(diào)節(jié)。
9、在上述的晶圓烘烤方法的一個或多個實施例中，所述對所述壓力烤箱內(nèi)的溫度進(jìn)行分段調(diào)節(jié)包括：當(dāng)所述壓力烤箱內(nèi)的壓力升至預(yù)設(shè)壓力并保持后，調(diào)升所述壓力烤箱內(nèi)的溫度至第一預(yù)設(shè)溫度并保持。
10、在上述的晶圓烘烤方法的一個或多個實施例中，在所述壓力烤箱內(nèi)的溫度保持第一預(yù)設(shè)溫度達(dá)到預(yù)設(shè)時間后，逐漸調(diào)升所述壓力烤箱內(nèi)的溫度至第二預(yù)設(shè)溫度并保持。
11、在上述的晶圓烘烤方法的一個或多個實施例中，在將晶圓放入所述壓力烤箱前，對晶圓進(jìn)行預(yù)處理，所述預(yù)處理包括對晶圓進(jìn)行尋邊定位。
12、在上述的晶圓烘烤方法的一個或多個實施例中，具有預(yù)設(shè)溫度和預(yù)設(shè)壓力的氣流自所述壓力烤箱的至少一端和至少一側(cè)流向待烘烤的晶圓。
13、在上述的晶圓烘烤方法的一個或多個實施例中，在調(diào)低所述壓力烤箱內(nèi)的溫度的同時，繼續(xù)保持所述壓力烤箱內(nèi)的壓力為預(yù)設(shè)壓力。
14、在第二方面，本申請?zhí)峁┮环N基于上述晶圓烘烤方法的裝置,包括：
15、晶圓承載組件，所述晶圓承載組件被配置為承載晶圓；
16、烘烤組件，所述烘烤組件包括至少一個壓力烤箱，所述壓力烤箱被配置為烘烤晶圓；
17、搬運組件，所述搬運組件被配置為搬運晶圓至預(yù)設(shè)位置。
18、在上述的晶圓烘烤裝置的一個或多個實施例中，所述晶圓烘烤裝置還包括預(yù)處理組件，所述預(yù)處理組件被配置為調(diào)整所述晶圓的擺放方向；
19、和/或，
20、所述晶圓烘烤裝置還包括冷卻組件，所述冷卻組件被配置為冷卻完成烘烤后的晶圓；
21、和/或，
22、所述壓力烤箱包括壓力腔體、烘烤腔體和循環(huán)組件，其中，
23、所述烘烤腔體設(shè)于所述壓力腔體內(nèi)，所述烘烤腔體與所述壓力腔體之間限定形成間隙空間，所述間隙空間與所述烘烤腔體的內(nèi)部空間共同構(gòu)成氣流通路；
24、所述循環(huán)組件被配置為驅(qū)動所述壓力腔體內(nèi)的氣體在所述氣流通路內(nèi)循環(huán)流動；
25、所述烘烤腔體的至少一側(cè)開設(shè)有多個氣流孔道，所述氣體在循環(huán)流動過程中流經(jīng)所述間隙空間時能夠通過所述氣流孔道進(jìn)入所述內(nèi)部空間。
26、本申請上述一個或多個實施例，至少具有如下一種或多種有益效果：
27、先對存放有晶圓的壓力烤箱內(nèi)的壓力進(jìn)行一次正負(fù)壓的振蕩調(diào)節(jié)，從而將大氣泡抽出封裝材料，并將未抽出的大氣泡分化成數(shù)個小氣泡；然后調(diào)升壓力烤箱內(nèi)的溫度與壓力，從而軟化氣泡和封裝材料，提高氣泡的運動速率，并保持壓力烤箱內(nèi)的預(yù)設(shè)壓力以充分地將氣泡從封裝材料內(nèi)擠出，或者將氣泡進(jìn)一步地打散，使其無法在晶圓內(nèi)形成“空洞”，使得經(jīng)烘烤后的晶圓內(nèi)的氣泡含量滿足要求。
28、本申請附加的方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本申請的實踐了解到。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點】
1.一種晶圓烘烤方法，其特征在于，所述晶圓烘烤方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓烘烤方法，其特征在于，在對所述壓力烤箱內(nèi)的壓力進(jìn)行一次正負(fù)壓的振蕩調(diào)節(jié)后，對所述壓力烤箱內(nèi)的溫度進(jìn)行分段調(diào)節(jié)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓烘烤方法，其特征在于，所述對所述壓力烤箱內(nèi)的溫度進(jìn)行分段調(diào)節(jié)包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓烘烤方法，其特征在于，在所述壓力烤箱內(nèi)的溫度保持第一預(yù)設(shè)溫度達(dá)到預(yù)設(shè)時間后，逐漸調(diào)升所述壓力烤箱內(nèi)的溫度至第二預(yù)設(shè)溫度并保持。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓烘烤方法，其特征在于，在將晶圓放入所述壓力烤箱前，對晶圓進(jìn)行預(yù)處理，所述預(yù)處理包括對晶圓進(jìn)行尋邊定位。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓烘烤方法，其特征在于，具有預(yù)設(shè)溫度和預(yù)設(shè)壓力的氣流自所述壓力烤箱的至少一端和至少一側(cè)流向待烘烤的晶圓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓烘烤方法，其特征在于，在調(diào)低所述壓力烤箱內(nèi)的溫度的同時，繼續(xù)保持所述壓力烤箱內(nèi)的壓力為預(yù)設(shè)壓力。
8.一種晶圓烘烤裝置，基于權(quán)利要求1至7任一項所述的晶圓烘烤方法，其特
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓烘烤裝置，其特征在于，所述晶圓烘烤裝置還包括預(yù)處理組件，所述預(yù)處理組件被配置為調(diào)整所述晶圓的擺放方向；
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種晶圓烘烤方法，其特征在于，所述晶圓烘烤方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓烘烤方法，其特征在于，在對所述壓力烤箱內(nèi)的壓力進(jìn)行一次正負(fù)壓的振蕩調(diào)節(jié)后，對所述壓力烤箱內(nèi)的溫度進(jìn)行分段調(diào)節(jié)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓烘烤方法，其特征在于，所述對所述壓力烤箱內(nèi)的溫度進(jìn)行分段調(diào)節(jié)包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓烘烤方法，其特征在于，在所述壓力烤箱內(nèi)的溫度保持第一預(yù)設(shè)溫度達(dá)到預(yù)設(shè)時間后，逐漸調(diào)升所述壓力烤箱內(nèi)的溫度至第二預(yù)設(shè)溫度并保持。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓烘烤方法，其特征在于，在將晶圓放入所述壓力烤箱前，對晶圓進(jìn)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：曾麒文，洪成都，
申請(專利權(quán))人：蘇州桔云科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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