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    具有高階曲率補償功能的基準電壓源制造技術

    技術編號:44359025 閱讀:2 留言:0更新日期:2025-02-25 09:41
    本發明專利技術公開了一種具有高階曲率補償功能的基準電壓源,包括帶隙核電路、共模反饋電路和高階曲率校正電路。所述帶隙核電路用于產生基準電壓;所述共模反饋電路用于根據基準電壓產生共模電壓,并將共模電壓通過負反饋返回帶隙核電路,以增加帶隙核電路的穩定性;所述高階曲率校正電路用于根據基準電壓向帶隙核電路抽取電流或注入電流,消除帶隙核電路中因溫度產生的高階誤差。本發明專利技術中,通過高階曲率校正電路可以對溫度進行高階曲率補償,從而可以有效提高輸出基準電壓的精度,降低溫度系數,改善基準電壓的溫度穩定性。同時,電路結構簡單,占用芯片面積較小,具有很高的實用性。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術屬基準電壓源領域,特別是涉及一種具有高階曲率補償功能的基準電壓源。


    技術介紹

    1、基準電壓源能夠產生一個不隨溫度變化的穩定電壓,通常應用于各類高精度數?;旌想娐废到y中,如模數轉換器、數模轉換器、ldo等,其穩定性直接決定了系統的精度。傳統的一階補償是通過△vbe產生的正溫度系數電壓來補償vbe的一次項負溫度系數,其溫漂最優只能達到20~30ppm/℃。高階曲率校正技術通過補償vbe的二次項及高此項來進一步地降低溫漂,可實現小于10ppm/℃的溫漂,因此,有必要提出一種采用高階曲率校正技術的電路以進一步降低溫漂。


    技術實現思路

    1、針對上述現有技術的不足,本專利技術所要解決的技術問題是:提供一種具有高階曲率補償功能的基準電壓源。

    2、為解決上述技術問題,本專利技術提供如下技術方案:

    3、一種具有高階曲率補償功能的基準電壓源,包括

    4、帶隙核電路,用于產生基準電壓vref;

    5、共模反饋電路,用于根據基準電壓vref產生共模電壓,并將共模電壓通過負反饋返回帶隙核電路,以增加帶隙核電路的穩定性;以及

    6、高階曲率校正電路,用于根據基準電壓vref向帶隙核電路抽取電流或注入電流,消除帶隙核電路中因溫度產生的高階誤差。

    7、進一步的,所述帶隙核電路包括第八mos管、第二三極管、第一運算放大器、第七電阻、第八電阻、第九電阻、第十電阻和n個并聯連接的第一三極管,其中,n為大于或等于1的整數;

    8、所述第八mos管的源極連接外部供電電壓,柵極與共模反饋電路的輸出端電連接,漏極分別與第七電阻和第八電阻的第一端電連接;所述第七電阻的第二端分別與第一運算放大器的反相輸入端和n個第一三極管的集電極電連接;所述第八電阻的第二端分別與第一運算放大器的同相輸入端和第二三極管的集電極電連接;所述第二三極管的基極和n個第一三極管的基極均與第一運算放大器的輸出端電連接;

    9、所述第一運算放大器的同相輸入端與共模反饋電路的第一輸入端電連接,所述第一運算放大器的反相輸入端與共模反饋電路的第二輸入端電連接;所述第一運算放大器的輸出端用于產生基準電壓vref,所述第一運算放大器的輸出端分別與共模反饋電路的第三輸入端和高階曲率校正電路的輸入端電連接;

    10、所述n個第一三極管發射極均與第九電阻的第一端電連接,所述第二三極管的發射極與第九電阻的第二端電連接;所述第九電阻的第二端通過第十電阻的接地,所述第九電阻的第二端還與高階曲率校正電路的校正端電連接。

    11、進一步的,所述第八mos管為pmos管;所述第二三極管和n個第一三極管均為npn三極管。

    12、進一步的,所述第七電阻和第八電阻的類型及尺寸均相同。

    13、進一步的,n個第一三極管的飽和電流之和與第二三極管的飽和電流之比為n:1。

    14、進一步的,每一所述第一三極管的發射極面積均與第二三極管的發射極面積相同。

    15、進一步的,所述共模反饋電路包括第二運算放大器,所述第二運算放大器的第一輸入端作為共模反饋電路的第一輸入端與第一運算放大器的同相輸入端電連接,所述第二運算放大器的第二輸入端作為共模反饋電路的第二輸入端與第一運算放大器的反相輸入端電連接,所述第二運算放大器的第三輸入端作為共模反饋電路的第三輸入端與第一運算放大器的輸出端電連接,所述第二運算放大器的輸出端作為共模反饋電路的輸出端與第八mos管的柵極電連接。

    16、進一步的,所述高階曲率校正電路包括第三運算放大器、第四運算放大器、第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管、第五mos管、第六mos管、第七mos管、第三三極管、第四三極管、第五三極管、第六三極管、第七三極管、第八三極管、第九三極管、第十三極管、第十一三極管、第十二三極管、第十三三極管、第十四三極管、第十五三極管、第十六三極管、第十七三極管、第十八三極管、第十九三極管、第二十三極管、第二十一三極管、第二十二三極管、第二十三三極管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻和第六電阻;

    17、所述第三運算放大器的同相輸入端、第四運算放大器的同相輸入端和第二十三三極管的基極均與第一運算放大器的輸出端電連接,所述第二十三三極管的發射極通過第一電阻接地,所述第三運算放大器的反相輸入端分別與第二十二三極管的集電極和第二十三三極管的集電極電連接,所述第三運算放大器的輸出端分別與第十二三極管的基極和第二十二三極管的基極電連接,所述第十二三極管的發射極和第二十二三極管的發射極均連接外部供電電壓;

    18、所述第四運算放大器的反相輸入端通過第二電阻接地,所述第四運算放大器的輸出端分別與第三三極管的基極、第四三極管的基極和第十三極管的基極電連接;所述第三三極管的發射極、第四三極管的發射極和第十三極管的發射極均連接外部供電電壓,所述第三三極管的集電極與第四運算放大器的反相輸入端電連接;

    19、所述第四三極管的集電極分別與第五三極管的集電極、第五三極管的基極、第六三極管的基極和第七三極管的基極電連接,所述第五三極管的發射極、第六三極管的發射極和第七三極管的發射極均接地;所述第六三極管的集電極通過第三電阻與第七三極管的集電極電連接;

    20、所述第六三極管的集電極還分別與第一mos管的漏極和第十三三極管的基極電連接,所述第一mos管的柵極分別與第六mos管的柵極、第六mos管的漏極和第七mos管的柵極電連接,所述第一mos管的源極與第八三極管的集電極電連接,所述第八三極管的基極分別與第十七三極管的基極、第十七三極管的集電極、第十八三極管的基極和第二十三極管的基極電連接,所述第八三極管的發射極、第十七三極管的發射極、第十八三極管的發射極和第二十三極管的發射極均連接外部供電電壓;

    21、第七三極管的集電極還分別與第二mos管的漏極和第十一三極管的基極電連接,所述第二mos管的柵極分別與第三mos管的柵極和第三mos管的漏極電連接,所述第二mos管的源極與第九三極管的集電極電連接,所述第九三極管的基極分別與第十五三極管的基極、第十六三極管的基極和第十六三極管的集電極電連接,所述第九三極管的發射極、第十五三極管的發射極和第十六三極管的發射極均連接外部供電電壓,所述第三mos管的源極與第十五三極管的集電極電連接;

    22、所述第十三三極管的發射極接地,所述第十三三極管的集電極分別與第十二三極管的集電極和第十九三極管的基極電連接,所述第十九三極管的發射極通過第五電阻接地,所述第十九三極管的集電極分別與第五mos管的柵極和第六mos管的柵極電連接;所述第五mos管的漏極接地,所述第五mos管的源極與第十七三極管的集電極電連接,所述第六mos管的源極與第十八三極管的集電極電連接;

    23、所述第十一三極管的發射極接地,所述第十一三極管的集電極分別與第十三極管的集電極、第十四三極管的基極和第二十一三極管的基極電連接,所述第十四三極管的發射極通過第四電阻接地,所述本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種具有高階曲率補償功能的基準電壓源,其特征在于:包括

    2.如權利要求1所述的具有高階曲率補償功能的基準電壓源,其特征在于:所述帶隙核電路包括第八MOS管、第二三極管、第一運算放大器、第七電阻、第八電阻、第九電阻、第十電阻和N個并聯連接的第一三極管,其中,N為大于或等于1的整數;

    3.如權利要求2所述的具有高階曲率補償功能的基準電壓源,其特征在于:所述第八MOS管為PMOS管;所述第二三極管和N個第一三極管均為NPN三極管。

    4.如權利要求2所述的具有高階曲率補償功能的基準電壓源,其特征在于:所述第七電阻和第八電阻的類型及尺寸均相同。

    5.如權利要求2所述的具有高階曲率補償功能的基準電壓源,其特征在于:N個第一三極管的飽和電流之和與第二三極管的飽和電流之比為N:1。

    6.如權利要求2所述的具有高階曲率補償功能的基準電壓源,其特征在于:每一所述第一三極管的發射極面積均與第二三極管的發射極面積相同。

    7.如權利要求2~6任一項所述的具有高階曲率補償功能的基準電壓源,其特征在于:所述共模反饋電路包括第二運算放大器,所述第二運算放大器的第一輸入端作為共模反饋電路的第一輸入端與第一運算放大器的同相輸入端電連接,所述第二運算放大器的第二輸入端作為共模反饋電路的第二輸入端與第一運算放大器的反相輸入端電連接,所述第二運算放大器的第三輸入端作為共模反饋電路的第三輸入端與第一運算放大器的輸出端電連接,所述第二運算放大器的輸出端作為共模反饋電路的輸出端與第八MOS管的柵極電連接。

    8.如權利要求7所述的具有高階曲率補償功能的基準電壓源,其特征在于:所述高階曲率校正電路包括第三運算放大器、第四運算放大器、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第三三極管、第四三極管、第五三極管、第六三極管、第七三極管、第八三極管、第九三極管、第十三極管、第十一三極管、第十二三極管、第十三三極管、第十四三極管、第十五三極管、第十六三極管、第十七三極管、第十八三極管、第十九三極管、第二十三極管、第二十一三極管、第二十二三極管、第二十三三極管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻和第六電阻;

    9.如權利要求8所述的具有高階曲率補償功能的基準電壓源,其特征在于:所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管均為PMOS管;

    10.如權利要求8所述的具有高階曲率補償功能的基準電壓源,其特征在于:所述第三三極管、第四三極管和第十三極管的發射極面積比為4:1:1;所述第五三極管、第六三極管和第七三極管的發射極面積比為2:1:1;所述第八三極管、第十七三極管、第十八三極管和第二十三極管的發射極面積比為2:1:1:4;所述第九三極管、第十五三極管和第十六三極管的發射極面積比為2:1:1;所述第十二三極管與第二十二三極管的發射極面積比為1:2;所述第十四三極管與第二十一三極管的發射極面積比為1:4;所述第一MOS管、第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管的寬長比為2:1:1:4;所述第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管的寬長比為2:1:1;所述第四電阻和第五電阻的阻值均為第六電阻的阻值的4倍。

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    【技術特征摘要】

    1.一種具有高階曲率補償功能的基準電壓源,其特征在于:包括

    2.如權利要求1所述的具有高階曲率補償功能的基準電壓源,其特征在于:所述帶隙核電路包括第八mos管、第二三極管、第一運算放大器、第七電阻、第八電阻、第九電阻、第十電阻和n個并聯連接的第一三極管,其中,n為大于或等于1的整數;

    3.如權利要求2所述的具有高階曲率補償功能的基準電壓源,其特征在于:所述第八mos管為pmos管;所述第二三極管和n個第一三極管均為npn三極管。

    4.如權利要求2所述的具有高階曲率補償功能的基準電壓源,其特征在于:所述第七電阻和第八電阻的類型及尺寸均相同。

    5.如權利要求2所述的具有高階曲率補償功能的基準電壓源,其特征在于:n個第一三極管的飽和電流之和與第二三極管的飽和電流之比為n:1。

    6.如權利要求2所述的具有高階曲率補償功能的基準電壓源,其特征在于:每一所述第一三極管的發射極面積均與第二三極管的發射極面積相同。

    7.如權利要求2~6任一項所述的具有高階曲率補償功能的基準電壓源,其特征在于:所述共模反饋電路包括第二運算放大器,所述第二運算放大器的第一輸入端作為共模反饋電路的第一輸入端與第一運算放大器的同相輸入端電連接,所述第二運算放大器的第二輸入端作為共模反饋電路的第二輸入端與第一運算放大器的反相輸入端電連接,所述第二運算放大器的第三輸入端作為共模反饋電路的第三輸入端與第一運算放大器的輸出端電連接,所述第二運算放大器的輸出端作為共模反饋電路的輸出端與第八mos管的柵極電連接。

    8.如權利要求7所述的具有高階曲率補償功能的...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:葉雅倩王妍趙之昱,楊瀟雨,謝漢君,王燦,
    申請(專利權)人:中國電子科技集團公司第二十四研究所,
    類型:發明
    國別省市:

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