【技術實現步驟摘要】
本公開涉及開關，特別涉及一種半橋直流-直流轉換電路及電子設備。
技術介紹
1、半橋(half-bridge)直流-直流(direct?current-direct?current)轉換電路由半橋和一個直流-直流轉換器組成。其中，半橋包括上下兩個橋臂，每一橋臂都由一個高電子遷移率晶體管(high?electron?mobility?transistor，hemt)和一個金屬氧化物半導體場效應晶體管(metal-oxide-semiconductor?field-effect?transistor，mosfet)串聯而成，兩個橋臂串聯，直流-直流轉換器的一個輸入端連接一個串聯橋臂的中點，直流-直流轉換器的另一個輸入端接地。
2、半橋直流-直流轉換電路的控制通過向兩個mosft的控制端提供的信號實現，hemt串聯在mosft上無需單獨控制。受限于mosfet開關特性，該半橋直流-直流轉換電路操作頻率通常低于150khz。
技術實現思路
1、本公開實施例提供了一種半橋直流-直流轉換電路及電子設備，能夠增加半橋直流-直流轉換電路的頻率。所述技術方案如下：
2、本公開至少一實施例提供了一種半橋直流-直流轉換電路，所述半橋直流-直流轉換電路包括：第一hemt、第二hemt、mosfet和直流-直流轉換器；
3、所述第一hemt的第一端與電壓提供端連接，所述第一hemt的控制端與第一pwm信號提供端連接；所述第二hemt的第一端與所述直流-直流轉換器的第一輸入端
4、所述第一hemt的第二端與所述第二hemt的第一端連接；所述第二hemt的第二端與所述mosfet的第一端連接；所述mosfet的第二端接地；或者，所述第一hemt的第二端與所述mosfet的第一端連接；所述第二hemt的第二端接地；所述mosfet的第二端與所述第二hemt的第一端連接。
5、也即是，第一hemt位于上半橋，第二hemt位于下半橋。mosfet位于上半橋或下半橋。
6、可選地，所述第一hemt、所述第二hemt和所述mosfet為三個離散元件。
7、可選地，所述第一hemt為一個離散元件，所述第二hemt和所述mosfet組成一個離散元件。
8、可選地，所述第二hemt一個離散元件，所述第一hemt和所述mosfet組成一個離散元件。
9、可選地，所述第一hemt和所述第二hemt為常閉型氮化鎵hemt。
10、可選地，所述mosfet為增強型mosfet。
11、在一些示例中，所述第一pwm信號提供端和所述第二pwm信號提供端提供的pwm信號的頻率范圍為100khz至1mhz。
12、在另一些示例中，所述第一pwm信號提供端和所述第二pwm信號提供端提供的pwm信號的頻率范圍還可以在100khz至1mhz之外，本公開對此不做限定。
13、在一些示例中，所述第一pwm信號提供端和所述第二pwm信號提供端提供的pwm信號的電壓范圍為-18至0v。
14、在另外一些示例中，所述第一pwm信號提供端和所述第二pwm信號提供端提供的pwm信號的電壓范圍還可以在-18至0v之外，本公開對此不做限定。
15、在一些示例中，所述en信號提供端提供的en信號的電壓范圍為0至12v。
16、在另外一些示例中，所述en信號提供端提供的en信號的電壓范圍還可以在0至12v之外，本公開對此不做限定。
17、本公開至少一實施例提供了一種電子設備，所述電子設備包括如前任一項所述的半橋直流-直流轉換電路。
18、本公開實施例提供的技術方案帶來的有益效果是：
19、本公開實施例提供的半橋直流-直流轉換電路包括兩個hemt和一個mosfet，兩個hemt的控制端分別連接兩個pwm信號提供端，一個mosfet的控制端連接一個en信號提供端。因而，該結構的半橋直流-直流轉換電路，在所述半橋直流-直流轉換電路工作時，可以通過上述兩個pwm信號提供端和一個en信號提供端提供的信號進行控制。例如，可以通過所述en信號提供端提供的en信號，控制所述mosfet導通。然后，在第一時序周期，分別通過所述第一pwm信號提供端和所述第二pwm信號提供端提供的pwm信號，控制所述第一hemt導通、所述第二hemt關斷；在第二時序周期，分別通過所述第一pwm信號提供端和所述第二pwm信號提供端提供的pwm信號，控制所述第一hemt關斷、所述第二hemt導通。通過交替上述兩個時序周期的控制，實現半橋直流-直流轉換電路的工作。在上述工作過程中，mosfet持續導通，因而半橋直流-直流轉換電路操作頻率不會受制于mosfet開關特性，從而能夠增加半橋直流-直流轉換電路的頻率。
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1.一種半橋直流-直流轉換電路，其特征在于，所述半橋直流-直流轉換電路包括：第一HEMT(101)、第二HEMT(102)、MOSFET(103)和直流-直流轉換器(104)；
2.根據權利要求1所述的半橋直流-直流轉換電路，其特征在于，所述第一HEMT(101)、所述第二HEMT(102)和所述MOSFET(103)為三個離散元件。
3.根據權利要求1所述的半橋直流-直流轉換電路，其特征在于，所述第一HEMT(101)一個離散元件，所述第二HEMT(102)和所述MOSFET(103)組成一個離散元件。
4.根據權利要求1所述的半橋直流-直流轉換電路，其特征在于，所述第二HEMT(102)一個離散元件，所述第一HEMT(101)和所述MOSFET(103)組成一個離散元件。
5.根據權利要求1至4任一項所述的半橋直流-直流轉換電路，其特征在于，所述第一HEMT(101)和所述第二HEMT(102)為常閉型氮化鎵HEMT。
6.根據權利要求1至4任一項所述的半橋直流-直流轉換電路，其特征在于，所述MOSFET(103)為
7.根據權利要求1至4任一項所述的半橋直流-直流轉換電路，其特征在于，所述第一PWM信號提供端和所述第二PWM信號提供端提供的PWM信號的頻率范圍為100KHz至1MHz。
8.根據權利要求1至4任一項所述的半橋直流-直流轉換電路，其特征在于，所述第一PWM信號提供端和所述第二PWM信號提供端提供的PWM信號的電壓范圍為-18至0V。
9.根據權利要求1至4任一項所述的半橋直流-直流轉換電路，其特征在于，所述EN信號提供端提供的EN信號的電壓范圍為0至12V。
10.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括如權利要求1至9任一項所述的半橋直流-直流轉換電路。
...【技術特征摘要】
1.一種半橋直流-直流轉換電路，其特征在于，所述半橋直流-直流轉換電路包括：第一hemt(101)、第二hemt(102)、mosfet(103)和直流-直流轉換器(104)；
2.根據權利要求1所述的半橋直流-直流轉換電路，其特征在于，所述第一hemt(101)、所述第二hemt(102)和所述mosfet(103)為三個離散元件。
3.根據權利要求1所述的半橋直流-直流轉換電路，其特征在于，所述第一hemt(101)一個離散元件，所述第二hemt(102)和所述mosfet(103)組成一個離散元件。
4.根據權利要求1所述的半橋直流-直流轉換電路，其特征在于，所述第二hemt(102)一個離散元件，所述第一hemt(101)和所述mosfet(103)組成一個離散元件。
5.根據權利要求1至4任一項所述的半橋直流-直流轉換電路，其特征在于，所述第一he...
【專利技術屬性】
技術研發人員：高國昌，王江波，吳志浩，李鴻萬，邱紹諺，袁家祥，白金生，
申請(專利權)人：京東方華燦光電浙江有限公司，
類型：新型
國別省市：
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