【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及太陽能光伏逆變器，具體涉及一種半橋防直通電路、半橋防直通裝置以及電子設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、普通的半橋電路在某一時刻上下兩個橋臂的開關(guān)管出現(xiàn)同時導(dǎo)通的現(xiàn)象，此時會構(gòu)成短路；目前防直通解決措施上主要采用對驅(qū)動脈沖寬度的最大值加以限制或從拓?fù)渖辖鉀Q問題。
2、在開關(guān)管的開啟和關(guān)閉過程中，由于器件的延遲時間等因素，會產(chǎn)生死區(qū)時間。死區(qū)時間的存在會影響逆變的效率和質(zhì)量。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本技術(shù)的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷和不足，提供一種半橋防直通電路、半橋防直通裝置以及電子設(shè)備，具有較高的效率以及防止半橋電路直通現(xiàn)象的發(fā)生優(yōu)勢。
2、為實現(xiàn)上述目的，本技術(shù)采用的技術(shù)方案是：
3、一種半橋防直通電路，包括半橋電路和驅(qū)動電路，所述半橋電路包括第一開關(guān)管和第二開關(guān)管；所述驅(qū)動電路用于響應(yīng)輸入的a、b兩路相位錯開180度pwm輸入信號，控制所述第一開關(guān)管和第二開關(guān)管的導(dǎo)通或關(guān)閉。
4、進(jìn)一步的，所述半橋電路還包括第一電容和第二電容，所述第一電容的第一端連接所述第一開關(guān)管，所述第一電容的第二端接地；所述第二電容的第一端連接所述第二開關(guān)管，所述第二電容的第二端接地。
5、進(jìn)一步的，所述驅(qū)動電路包括第一開關(guān)驅(qū)動電路和第二開關(guān)驅(qū)動電路；
6、所述第一開關(guān)驅(qū)動電路包括第一電阻、第二電阻和第三電阻，所述第一電阻的第一端接收a路pwm輸入信號，所述第一電阻的第二端連接所述第一開關(guān)管的第一端；所述第二電阻的第一端接收b路pwm輸入信
7、所述第二開關(guān)驅(qū)動電路包括第四電阻、第五電阻和第六電阻，所述第四電阻的第一端接收b路pwm輸入信號，所述第四電阻的第二端連接所述第二開關(guān)管的第一端；所述第五電阻的第一端接收a路pwm輸入信號，所述第五電阻的第二端連接所述第二開關(guān)管的第二端；所述第六電阻的第一端連接所述第二開關(guān)管的第二端，所述第六電阻的第二端接地。
8、進(jìn)一步的，所述第一開關(guān)管為n型mos管，所述第一開關(guān)管的第一端為漏極，所述第一開關(guān)管的第二端為柵極，所述第一開關(guān)管的第三端為源極。
9、進(jìn)一步的，所述第二開關(guān)管為n型mos管，所述第二開關(guān)管的第一端為漏極，所述第二開關(guān)管的第二端為柵極，所述第二開關(guān)管的第三端為源極。
10、進(jìn)一步的，所述半橋防直通電路還包括死區(qū)時間調(diào)整電路，所述死區(qū)時間調(diào)整電路包括第一節(jié)點和第二節(jié)點；
11、所述第一節(jié)點與所述第一開關(guān)驅(qū)動電路連接，用于當(dāng)所述第一節(jié)點的電壓大于預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電壓時，控制所述第一開關(guān)管進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，當(dāng)所述第一節(jié)點的電壓小于預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電壓時，控制所述第一開關(guān)管進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)；
12、所述第二節(jié)點與所述第二開關(guān)驅(qū)動電路連接，用于當(dāng)所述第二節(jié)點的電壓大于預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電壓時，控制所述第二開關(guān)管進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，當(dāng)所述第二節(jié)點的電壓小于預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電壓時，控制所述第二開關(guān)管進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。
13、進(jìn)一步的，所述pwm輸入信號的開關(guān)頻率為50khz。
14、為實現(xiàn)上述目的，本技術(shù)采用的技術(shù)方案是：
15、一種半橋防直通裝置，其特征在于，包括控制電路以及如上所述的半橋防直通電路，所述控制電路與所述半橋防直通電路的輸入端電連接，用于產(chǎn)生a、b兩路相位錯開180度pwm輸入信號并通過所述輸入端輸入所述半橋防直通電路。
16、進(jìn)一步的，所述裝置還包括反饋電路，所述反饋電路分別與所述半橋防直通電路的輸出端和所述控制電路連接，用于將所述半橋電路的輸出電壓和輸出電流反饋至所述控制電路。
17、為實現(xiàn)上述目的，本技術(shù)采用的技術(shù)方案是：
18、一種電子設(shè)備，其特征在于，包括如上所述的半橋防直通裝置。
19、采用上述技術(shù)方案后，本技術(shù)有益效果為：
20、本申請通過pwm控制開關(guān)管的導(dǎo)通和截止，可以實現(xiàn)對負(fù)載的精確控制，滿足不同工作條件下的需求；同時，以開關(guān)管作為開關(guān)元件，有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度，具有較高的效率，還能提高半橋電路在工作時的穩(wěn)定性；本申請的半橋防直通電路的電路簡單，成本低廉，可實現(xiàn)性高。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點】
1.一種半橋防直通電路，包括半橋電路和驅(qū)動電路，其特征在于，所述半橋電路包括第一開關(guān)管和第二開關(guān)管；所述驅(qū)動電路用于響應(yīng)輸入的A、B兩路相位錯開180度PWM輸入信號，控制所述第一開關(guān)管和第二開關(guān)管的導(dǎo)通或關(guān)閉。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半橋防直通電路，其特征在于，所述半橋電路還包括第一電容和第二電容，所述第一電容的第一端連接所述第一開關(guān)管，所述第一電容的第二端接地；所述第二電容的第一端連接所述第二開關(guān)管，所述第二電容的第二端接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半橋防直通電路，其特征在于，所述驅(qū)動電路包括第一開關(guān)驅(qū)動電路和第二開關(guān)驅(qū)動電路；
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半橋防直通電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管為N型MOS管，所述第一開關(guān)管的第一端為漏極，所述第一開關(guān)管的第二端為柵極，所述第一開關(guān)管的第三端為源極。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半橋防直通電路，其特征在于，所述第二開關(guān)管為N型MOS管，所述第二開關(guān)管的第一端為漏極，所述第二開關(guān)管的第二端為柵極，所述第二開關(guān)管的第三端為源極。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半橋防直通電路，其
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半橋防直通電路，其特征在于，所述PWM輸入信號的開關(guān)頻率為50KHz。
8.一種半橋防直通裝置，其特征在于，包括控制電路以及如權(quán)利要求1至7中任一項所述的半橋防直通電路，所述控制電路與所述半橋防直通電路的輸入端電連接，用于產(chǎn)生A、B兩路相位錯開180度PWM輸入信號并通過所述輸入端輸入所述半橋防直通電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半橋防直通裝置，其特征在于，所述裝置還包括反饋電路，所述反饋電路分別與所述半橋防直通電路的輸出端和所述控制電路連接，用于將所述半橋電路的輸出電壓和輸出電流反饋至所述控制電路。
10.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求8或9所述的半橋防直通裝置。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種半橋防直通電路，包括半橋電路和驅(qū)動電路，其特征在于，所述半橋電路包括第一開關(guān)管和第二開關(guān)管；所述驅(qū)動電路用于響應(yīng)輸入的a、b兩路相位錯開180度pwm輸入信號，控制所述第一開關(guān)管和第二開關(guān)管的導(dǎo)通或關(guān)閉。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半橋防直通電路，其特征在于，所述半橋電路還包括第一電容和第二電容，所述第一電容的第一端連接所述第一開關(guān)管，所述第一電容的第二端接地；所述第二電容的第一端連接所述第二開關(guān)管，所述第二電容的第二端接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半橋防直通電路，其特征在于，所述驅(qū)動電路包括第一開關(guān)驅(qū)動電路和第二開關(guān)驅(qū)動電路；
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半橋防直通電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管為n型mos管，所述第一開關(guān)管的第一端為漏極，所述第一開關(guān)管的第二端為柵極，所述第一開關(guān)管的第三端為源極。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半橋防直通電路，其特征在于，所述第二開關(guān)管為n型mos管，所述第二開關(guān)管的第一端為漏...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：黃逸文，周洪亮，高鑫鑫，
申請(專利權(quán))人：東莞市海能電子有限公司，
類型：新型
國別省市：
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