【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及真空，尤其是一種絕緣氣針及射頻離子源。
技術(shù)介紹
1、射頻離子源是一種應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛，在離子束濺射、離子束刻蝕、表面處理及輔助沉積等方面均可使用的離子源。射頻離子源通過(guò)電感耦合原理在放電室中產(chǎn)生等離子體，并由離子光學(xué)系統(tǒng)形成離子束流。在向射頻離子源的放電室導(dǎo)入工作氣體時(shí)，通常會(huì)先經(jīng)過(guò)絕緣氣針處理，絕緣氣針將工作氣體以層流的形式，穩(wěn)定均勻的進(jìn)入放電室，以提高等離子體的均勻性。
2、目前，市面上的絕緣氣針，射頻線圈產(chǎn)生的電磁波容易在絕緣氣針內(nèi)部發(fā)生氣體放電，導(dǎo)致供氣不穩(wěn)定，影響了射頻離子源的工作穩(wěn)定甚至熄滅。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)的目的旨在解決上述的技術(shù)缺陷之一，提供一種絕緣氣針及射頻離子源，提升絕緣氣針抗干擾能力，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定供氣。
2、一種絕緣氣針，應(yīng)用于射頻離子源，包括：串聯(lián)連接的進(jìn)氣管、氣針本體以及出氣管；其中，所述進(jìn)氣管以及出氣管分別連接在氣針本體兩端；
3、所述氣針本體包括：導(dǎo)氣件、絕緣件、第一電極、第二電極以及電磁屏蔽層；所述絕緣件包裹導(dǎo)氣件，所述第一電極和第二電極分別設(shè)置在導(dǎo)氣件的兩端；所述電磁屏蔽層罩設(shè)在絕緣件外側(cè)；所述第一電極和第二電極形成電場(chǎng)；
4、在工作狀態(tài)下，工作氣體從所述進(jìn)氣管進(jìn)入導(dǎo)氣件，并由所述出氣管輸出到射頻離子源的放電室中。
5、在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一電極包括設(shè)于導(dǎo)氣件的進(jìn)氣管一端的第一金屬帽；
6、所述第二電極包括設(shè)于導(dǎo)氣件的出氣管一端的第二金屬帽；
7
8、在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一金屬帽與第一金屬套筒為一體化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。
9、在一個(gè)實(shí)施例中，所述導(dǎo)氣件包括柱狀本體；其中，所述柱狀本體外側(cè)設(shè)有螺旋的氣道；
10、所述柱狀本體的氣道兩端分別連接所述進(jìn)氣管及出氣管。
11、在一個(gè)實(shí)施例中，所述絕緣件包括絕緣陶瓷套筒；
12、所述絕緣陶瓷套筒長(zhǎng)度與所述柱狀本體一致，且密封套設(shè)在柱狀本體的氣道外側(cè)。
13、在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一金屬帽接地，所述第二金屬帽連接屏柵極電源。
14、在一個(gè)實(shí)施例中，所述氣針本體為加長(zhǎng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。
15、一種射頻離子源，包括：射頻線圈，絕緣氣針，以及放電室；
16、所述射頻線圈設(shè)于放電室外，向放電室內(nèi)部導(dǎo)入射頻能量電離工作氣體；所述絕緣氣針設(shè)于放電室底部。
17、在一個(gè)實(shí)施例中，所述出氣管穿過(guò)放電室底部的密封接口插入到放電室內(nèi)的電離區(qū)域，對(duì)進(jìn)入放電室的工作氣體進(jìn)行絕緣隔離處理。
18、在一個(gè)實(shí)施例中，所述射頻線圈設(shè)置在放電室的底部。
19、本申請(qǐng)具有如下有益效果：
20、可以阻擋射頻線圈產(chǎn)生的電磁波經(jīng)過(guò)氣體流動(dòng)區(qū)，避免工作氣體在絕緣氣針的內(nèi)部發(fā)生氣體放電，提升絕緣氣針的抗干擾能力，保證供氣穩(wěn)定；進(jìn)一步的，氣針本體可以采用加長(zhǎng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，從而更好的抑制放電室產(chǎn)生的等離子體擴(kuò)散至絕緣氣針內(nèi)。
21、本申請(qǐng)附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，這些將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本申請(qǐng)的實(shí)踐了解到。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種絕緣氣針(01)，應(yīng)用于射頻離子源(100)，其特征在于，包括：串聯(lián)連接的進(jìn)氣管(11)、氣針本體(12)以及出氣管(13)；其中，所述進(jìn)氣管(11)以及出氣管(13)分別連接在氣針本體(12)兩端；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣氣針(01)，其特征在于，所述第一電極(123)包括設(shè)于導(dǎo)氣件(121)的進(jìn)氣管(11)一端的第一金屬帽(3a)；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的絕緣氣針(01)，其特征在于，所述第一金屬帽(3a)與第一金屬套筒(5c)為一體化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的絕緣氣針(01)，其特征在于，所述導(dǎo)氣件(121)包括柱狀本體(210)；其中，所述柱狀本體(210)外側(cè)設(shè)有螺旋的氣道(6d)；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的絕緣氣針(01)，其特征在于，所述絕緣件(122)包括絕緣陶瓷套筒；
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的絕緣氣針(01)，其特征在于，所述第一金屬帽(3a)接地，所述第二金屬帽(4b)連接屏柵極電源。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的絕緣氣針(01)，其特征在于，所述氣針本體(
8.一種射頻離子源(100)，其特征在于，包括：射頻線圈(03)，權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的絕緣氣針(01)，以及放電室(02)；
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的射頻離子源(100)，其特征在于，所述出氣管(13)穿過(guò)放電室(02)底部的密封接口插入到放電室(02)內(nèi)的電離區(qū)域，對(duì)進(jìn)入放電室(02)的工作氣體進(jìn)行絕緣隔離處理。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的射頻離子源(100)，其特征在于，所述射頻線圈(03)設(shè)置在放電室(02)的底部。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種絕緣氣針(01)，應(yīng)用于射頻離子源(100)，其特征在于，包括：串聯(lián)連接的進(jìn)氣管(11)、氣針本體(12)以及出氣管(13)；其中，所述進(jìn)氣管(11)以及出氣管(13)分別連接在氣針本體(12)兩端；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣氣針(01)，其特征在于，所述第一電極(123)包括設(shè)于導(dǎo)氣件(121)的進(jìn)氣管(11)一端的第一金屬帽(3a)；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的絕緣氣針(01)，其特征在于，所述第一金屬帽(3a)與第一金屬套筒(5c)為一體化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的絕緣氣針(01)，其特征在于，所述導(dǎo)氣件(121)包括柱狀本體(210)；其中，所述柱狀本體(210)外側(cè)設(shè)有螺旋的氣道(6d)；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的絕緣氣針(01)，其特征在于，所述絕緣件(1...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉偉基，王寶坤，吳秋生，鄭培鑫，冀鳴，易洪波，趙剛，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：中山市博頓光電科技有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：
還沒(méi)有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。