襯底處理裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術提供一種襯底處理裝置，能夠抑制處理氣體向襯底沒有層疊的區域的流入，促進處理氣體向襯底層疊區域的供給。襯底處理裝置具有：收納以水平姿態多層層疊的襯底并對襯底進行處理的處理室；以沿處理室的內壁的方式在襯底的層疊方向上延伸并向處理室內供給處理氣體的一根以上的處理氣體供給噴嘴；以沿處理室的內壁的方式在襯底的層疊方向上延伸并沿襯底的圓周方向從兩側夾著處理氣體供給噴嘴地設置的、向處理室內供給惰性氣體的一對惰性氣體供給噴嘴；對處理室內進行排氣的排氣管線，一對惰性氣體供給噴嘴分別在與襯底層疊區域相對的位置上及與所述襯底沒有層疊的區域相對的位置上具有各一處以上的惰性氣體噴出口。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及具有對襯底進行處理的工序的襯底處理裝置。
技術介紹
以往，作為例如DRAM等半導體裝置的制造工序的一個工序，實施在襯底上形成薄 膜的襯底處理工序。所述襯底處理工序通過如下的襯底處理裝置實施，該襯底處理裝置具 有收納以水平姿態多層層疊的襯底并對襯底進行處理的處理室；向處理室內供給處理氣 體的處理氣體供給噴嘴；對處理室內進行排氣的排氣管線。而且，將支承了多個襯底的襯底 保持構件搬入處理室內，通過排氣管線對處理室內進行排氣，并從處理氣體供給噴嘴向處 理室內供給氣體，由此，使氣體在各襯底間通過從而在襯底上形成薄膜。但是，在上述襯底處理工序中，存在被供給到處理室內的處理氣體不通過各襯底 間而流入未層疊有襯底的區域(例如，比層疊有襯底的區域高的區域，或比層疊有襯底的 區域低的區域)的情況。其結果，存在被供給到襯底的處理氣體的流量減少，成膜速度降 低，或襯底面內或襯底間的襯底處理的均勻性降低的情況。另外，處理氣體流入未層疊有襯底的區域時，存在處理氣體附著在所述區域中的 處理室內壁上等，并生成成為異物發生要因的薄膜的情況。尤其，若未層疊有襯底的區域中的處理室內壁為低溫，則容易發生成膜，另外，若 處理室內壁為低溫，則即使進行氣體清洗(干式清潔)，也難以除去薄膜。
技術實現思路
本專利技術的目的是提供一種襯底處理裝置，其能夠抑制處理氣體向襯底沒有層疊的區域的流入，并促進處理氣體向襯底層疊區域的供給。本專利技術的一個方式的襯底處理裝置，具有收納以水平姿態多層層疊的襯底并對襯底進行處理的處理室；向所述處理室內供給一種以上的處理氣體的處理氣體供給單元； 向所述處理室內供給惰性氣體的惰性氣體供給單元；對所述處理室內進行排氣的排氣單 元，所述處理氣體供給單元具有以沿所述處理室的內壁的方式在所述襯底的層疊方向上延 伸并向所述處理室內供給處理氣體的一根以上的處理氣體供給噴嘴，所述惰性氣體供給單 元具有向所述處理室內供給惰性氣體的一對惰性氣體供給噴嘴，該惰性氣體供給噴嘴以沿 所述處理室的內壁的方式在所述襯底的層疊方向上延伸并沿所述襯底的圓周方向從兩側 夾著所述處理氣體供給噴嘴，所述一對惰性氣體供給噴嘴分別具有向所述襯底層疊區域開 口的一個以上的第一惰性氣體噴出口及向所述襯底沒有層疊的區域開口的一個以上的第 二惰性氣體噴出口。根據本專利技術的其他方式，提供一種襯底處理裝置，具有外管；配置在外管的內部，至少下端開放且收納以水平姿態多層層疊的襯底的內管；向內管的內部供給1種以上的處理氣體的處理氣體供給單元；向內管的內部供給惰性氣體的惰性氣體供給單元；設置在內管的側壁上的與處理氣體供給噴嘴相對的位置上的排氣孔，處理氣體供給單元具有一根以上的處理氣體供給噴嘴，該處理氣體供給噴嘴以在 襯底的層疊方向上延伸的方式立設在內管的內部，具有供給處理氣體的一個以上的處理氣 體噴出口，惰性氣體供給單元具有供給惰性氣體的一對惰性氣體供給噴嘴，該一對惰性氣體供給噴嘴以在襯底的層疊方向上延伸并沿襯底的圓周方向從兩側夾著處理氣體供給噴嘴 的方式立設在內管的內部，一對惰性氣體供給噴嘴分別具有向襯底層疊區域開口的一個以上的第一惰性氣 體噴出口及向襯底沒有層疊的區域開口的一個以上的第二惰性氣體噴出口。根據本專利技術的又一方式提供一種襯底處理裝置，是將兩種以上的處理氣體以相互 不混合的方式且以規定次數交替反復地向襯底的表面供給，并在襯底的表面形成薄膜的襯 底處理裝置，具有收納以水平姿態多層層疊的襯底并對襯底進行處理的處理室；向處理室內供給兩種以上的處理氣體的處理氣體供給單元；向處理室內供給惰性氣體的惰性氣體供給單元；對處理室內進行排氣的排氣單元，處理氣體供給單元具有以沿處理室的內壁的方式在襯底的層疊方向上延伸且向 處理室內供給處理氣體的兩根以上的處理氣體供給噴嘴，惰性氣體供給單元具有向處理室內供給惰性氣體的一對惰性氣體供給噴嘴，該一 對惰性氣體供給噴嘴以沿處理室的內壁的方式在襯底的層疊方向上延伸，并且沿襯底的圓 周方向從兩側夾著兩根以上的處理氣體供給噴嘴中的至少一根處理氣體供給噴嘴，一對惰性氣體供給噴嘴分別具有向襯底層疊區域開口的一個以上的第一惰性氣 體噴出口及向襯底沒有層疊的區域開口的一個以上的第二惰性氣體噴出口。本專利技術的又一方式提供一種襯底處理裝置，具有收納以水平姿態多層層疊的襯底并對襯底進行處理的處理室；以沿處理室的內壁的方式在襯底的層疊方向上延伸并向處理室內供給處理氣體 的一根以上的處理氣體供給噴嘴；以沿處理室的內壁的方式在襯底的層疊方向上延伸并向處理室內供給惰性氣體 的一對惰性氣體供給噴嘴；對處理室內進行排氣的排氣管線，配置一對惰性氣體供給噴嘴，以使從處理氣體供給噴嘴供給的處理氣體的氣體流 的流路被從第一惰性氣體噴出口供給的惰性氣體的氣體流限制。根據本專利技術的又一方式提供一種半導體裝置的制造方法，具有將以水平姿態多層層疊的襯底搬入處理室內的工序；對襯底進行處理的工序，從以沿處理室的內壁的方式在襯底的層疊方向上延伸的 一根以上的處理氣體供給噴嘴向處理室內供給處理氣體，并且從以沿處理室的內壁的方式 在襯底的層疊方向上延伸并沿襯底的圓周方向從兩側夾著處理氣體供給噴嘴地設置的一對惰性氣體供給噴嘴向處理室的內壁和襯底之間的間隙供給惰性氣體，向比襯底層疊的區域高的區域或比襯底層疊的區域低的區域供給惰性氣體，從而對襯底進行處理；從所述處理室搬出處理后的襯底的工序根據本專利技術的又一方式提供一種襯底處理裝置，具有收納以水平姿態多層層疊的襯底并對襯底進行處理的處理室；向處理室內供給處理氣體的處理氣體供給單元；向處理室內供給惰性氣體的惰性氣體供給單元；對處理室內進行排氣的排氣單元，處理氣體供給單元具有以沿處理室的內壁的方式在襯底的層疊方向上延伸并向處理室內供給處理氣體的處理氣體供給噴嘴，惰性氣體供給單元具有以沿處理室的內壁的方式在襯底的層疊方向上延伸并向處理室內供給惰性氣體的惰性氣體供給噴嘴，惰性氣體供給噴嘴具有向襯底沒有層疊的區域開口的一個以上的惰性氣體噴出□。根據本專利技術的又一方式提供一種襯底處理裝置，具有收納以水平姿態多層層疊的襯底并對襯底進行處理的處理室；向處理室內供給處理氣體的處理氣體供給單元；向處理室內供給惰性氣體的惰性氣體供給單元；對處理室內進行排氣的排氣單元，處理氣體供給單元具有以沿處理室的內壁的方式在襯底的層疊方向上延伸、并開 有向處理室內供給處理氣體的處理氣體供給孔的處理氣體供給噴嘴，惰性氣體供給單元具有以沿處理室的內壁的方式在襯底的層疊方向上延伸、并沿 襯底的圓周方向與處理氣體供給噴嘴相鄰地設置的、向處理室內供給惰性氣體的惰性氣體 供給噴嘴，惰性氣體供給噴嘴具有惰性氣體供給孔，該惰性氣體供給孔向處理氣體供給噴嘴 中與開有處理氣體供給孔的區域相對應的高度的更上方和/或下方開口。專利技術的效果根據本專利技術的襯底處理裝置，能夠抑制處理氣體向襯底沒有層疊的區域的流入， 并能夠促進處理氣體向襯底層疊區域的供給。附圖說明圖1是本專利技術的一個實施方式的襯底處理裝置的處理爐的垂直剖視圖。圖2是本專利技術的一個實施方式的襯底處理裝置的處理爐的水平剖視圖。圖3是表示處理爐內的處理氣體及惰性氣體的流動的概要圖。圖4是設置有環狀的整流板的襯底保持構件的概要結構圖。圖5是表示本專利技術的一個實施方式的處理本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種襯底處理裝置，其特征在于，具有：收納以水平姿態多層層疊的襯底并對所述襯底進行處理的處理室；向所述處理室內供給處理氣體的處理氣體供給單元；向所述處理室內供給惰性氣體的惰性氣體供給單元；對所述處理室內進行排氣的排氣單元，所述處理氣體供給單元具有以沿所述處理室的內壁的方式在所述襯底的層疊方向上延伸并向所述處理室內供給處理氣體的處理氣體供給噴嘴，所述惰性氣體供給單元具有向所述處理室內供給惰性氣體的惰性氣體供給噴嘴，該惰性氣體供給噴嘴以沿所述處理室的內壁的方式在所述襯底的層疊方向上延伸并沿所述襯底的圓周方向從兩側夾著所述處理氣體供給噴嘴，所述惰性氣體供給噴嘴分別具有向所述襯底層疊的區域開口的一個以上的第一惰性氣體噴出口及向所述襯底沒有層疊的區域開口的一個以上的第二惰性氣體噴出口。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：岡田格，
申請(專利權)人：株式會社日立國際電氣，
類型：發明
國別省市：JP[日本]