本發明專利技術提供了一種半導體刻蝕設備，包括：工作臺，配置于工作臺的腔體組件，配置于工作臺并形成于腔體組件周向外側的噴液組件，以及貫穿工作臺并沿軸向延伸入腔體組件的承托組件；腔體組件包括：回收腔體，以及罩設于回收腔體并與回收腔體圍合形成集氣腔的固定罩；回收腔體包括：腔底結構，同軸設置于腔底結構外側的第一分隔罩，沿第一分隔罩的徑向方向向外依次形成若干個套設于第一分隔罩的第二分隔罩，同軸套設于第二分隔罩的外罩體，以及連通集氣腔以供回收腔體內氣體流通的導氣通路。通過本申請，實現了回收腔體內的化學氣體的流通，防止化學氣體聚集在回收腔體內對晶圓表面造成腐蝕、污染等影響，以確保晶圓表面質量以及晶圓性能。圓性能。圓性能。
【技術實現步驟摘要】
一種半導體刻蝕設備
[0001]本專利技術涉及半導體
，尤其涉及一種半導體刻蝕設備。
技術介紹
[0002]在半導體制程中，刻蝕工藝是半導體制造工藝中重要的步驟之一，刻蝕工藝包括：干法刻蝕和濕法刻蝕。其中濕法刻蝕在對晶圓處理中需要使用多種化學液體，化學液體在對晶圓處理的過程中會揮發形成化學氣體，并且使用后的化學液體需要單獨回收以避免多種化學液體混合發生化學反應。
[0003]公開號為CN113124167A的中國專利技術專利申請公開了一種軸密封結構及半導體設備，軸密封結構包括：具有上下貫穿安裝孔的底座，裝配在所述安裝孔中的運動軸，運動軸的外壁與安裝孔的內壁之間具有間隙；開設于運動軸內的通氣管路，通氣管路具有進氣端及出氣端，進氣端與供氣源相連通，出氣端與間隙相連通。通過引入密封結構，防止工藝腔與外界通過運動軸與底座形成的間隙進行互通，以防止濕法處理的雜質、廢氣、廢液、腐蝕液等進入間隙并等擴散到外界。
[0004]然而，上述現有技術中的半導體設備只通過密封結構對運動軸與底座形成的間隙進行密封，以防止廢氣與廢液等進入間隙并等擴散到外界。從而導致上述現有技術中的半導體設備在對晶圓的處理過程中存在難以供廢氣流通的缺陷，導致廢氣難以排出并聚集在工藝腔內，進而導致廢氣會對晶圓表面造成腐蝕、污染等影響，降低晶圓表面質量降低，影響晶圓性能。并且，當內擋流罩上升并與外擋流罩重疊或者內擋流罩和外擋流罩同時下降時，難以將外集液槽內的廢氣排出，導致廢氣聚集在外集液槽內。
[0005]有鑒于此，有必要對現有技術中的半導體刻蝕設備予以改進，以解決上述問題。
技術實現思路
[0006]本專利技術的目的在于揭示一種半導體刻蝕設備，用于解決現有技術中的半導體設備所存在的諸多缺陷，尤其是為了實現回收腔體內的化學氣體的流通，防止化學氣體聚集在回收腔體內對晶圓表面造成腐蝕、污染等影響，以確保晶圓表面質量以及晶圓性能。
[0007]為實現上述目的，本專利技術提供了一種半導體刻蝕設備，包括：工作臺，配置于所述工作臺的腔體組件，配置于所述工作臺并形成于所述腔體組件周向外側的噴液組件，以及貫穿所述工作臺并沿軸向延伸入所述腔體組件的承托組件；所述腔體組件包括：回收腔體，以及罩設于所述回收腔體并與所述回收腔體圍合形成集氣腔的固定罩；所述回收腔體包括：腔底結構，同軸設置于所述腔底結構外側的第一分隔罩，沿所述第一分隔罩的徑向方向向外依次形成若干個套設于所述第一分隔罩的第二分隔罩，同軸套設于所述第二分隔罩的外罩體，以及連通所述集氣腔以供所述回收腔體內氣體流通的導氣通路。
[0008]作為本專利技術的進一步改進，所述導氣通路包括：
形成于所述第一分隔罩與所述腔底結構之間的第一導氣通路，形成于所述第一分隔罩與所述第二分隔罩之間的第二導氣通路，以及形成于所述第二分隔罩與所述外罩體之間的第三導氣通路。
[0009]作為本專利技術的進一步改進，所述腔底結構包括：腔底座，所述腔底座內邊緣沿豎直方向向上延伸形成內環形隔板，所述腔底座外邊緣沿豎直方向向上延伸形成外環形隔板，以及形成于所述內環形隔板與所述外環形隔板之間的第一收集腔。
[0010]作為本專利技術的進一步改進，所述第一分隔罩包括：第一環形罩體，所述第一環形罩體沿豎直方向向上延伸形成第一環形圍板，所述第一環形圍板具有靠近所述回收腔體的中軸線的延伸趨勢，所述第一環形罩體沿徑向方向依次向內傾斜延伸形成導流板和豎直向下延伸形成的第一隔板，所述第一環形罩體底端沿徑向方向依次向外水平延伸形成第一銜接部和豎直向上延伸形成的第二隔板，以及形成于所述第一環形罩體與所述第二隔板之間的第二收集腔；所述第一隔板與所述第一環形罩體之間形成容置至少部分所述外環形隔板的第一環形區域，所述第一隔板至少部分延伸入所述第一收集腔以構造出供所述第一收集腔內的氣體流通至所述集氣腔內的呈迂回狀的所述第一導氣通路。
[0011]作為本專利技術的進一步改進，所述第二分隔罩包括：第二環形罩體，所述第二環形罩體沿豎直方向向上延伸形成第二環形圍板，所述第二環形圍板具有靠近所述回收腔體的中軸線的延伸趨勢，所述第二環形圍板沿豎直方向向下延伸形成第三隔板，所述第二環形罩體底端沿徑向方向依次向外水平延伸形成第二銜接部和豎直向上延伸形成的第四隔板，以及形成于所述第二環形罩體與所述第四隔板之間的第三收集腔；所述第二環形罩體與所述第三隔板之間形成容置至少部分所述第二隔板的第二環形區域，所述第三隔板至少部分延伸入所述第二收集腔以形成供所述第二收集腔內的氣體流通至所述集氣腔內的呈迂回狀的所述第二導氣通路。
[0012]作為本專利技術的進一步改進，所述外罩體包括：第三環形罩體，所述第三環形罩體沿豎直方向向上延伸形成第三環形圍板，所述第三環形圍板具有靠近所述回收腔體的中軸線的延伸趨勢，以及所述第三環形圍板沿豎直方向向下延伸形成的第五隔板；所述第三環形罩體與所述第五隔板之間形成容置至少部分所述第四隔板的第三環形區域，所述第五隔板至少部分延伸入所述第三收集腔以形成供所述第三收集腔內的氣體流通至所述集氣腔內的呈迂回狀的所述第三導氣通路。
[0013]作為本專利技術的進一步改進，所述第一環形圍板外周面的延伸趨勢與所述第二環形圍板內周面的延伸趨勢匹配，所述第一環形圍板外周面與所述第二環形圍板內周面至少部分相貼合。
[0014]作為本專利技術的進一步改進，所述第二環形圍板外周面的延伸趨勢與所述第三環形圍板內周面的延伸趨勢匹配，所述第二環形圍板外周面與所述第三環形圍板內周面至少部分相貼合。
[0015]作為本專利技術的進一步改進，所述第一環形圍板內邊緣被構造出環形導液部，所述
第二環形圍板內邊緣被構造出具有沿豎直方向向下延伸趨勢并匹配所述環形導液部的環形阻液部，所述環形阻液部與所述環形導液部相貼合；所述第三環形圍板內邊緣被構造出具有沿豎直方向向下延伸趨勢并匹配所述環形阻液部的環形擋液部，所述環形擋液部與所述環形阻液部相貼合。
[0016]作為本專利技術的進一步改進，所述腔體組件還包括：同軸設置于所述回收腔體內部的中心腔體結構；所述中心腔體結構包括：支撐臺，軸向配置于所述支撐臺的支撐塊，軸向嵌套于所述支撐塊的環形銜接座，配置于所述環形銜接座并周向抵持所述內環形隔板的密封圈，以及同軸套設于所述環形銜接座并用于引導液體進入所述第一收集腔的環形導引板。
[0017]作為本專利技術的進一步改進，所述半導體刻蝕設備還包括：形成于所述工作臺底部的升降組件；所述升降組件包括：獨立驅動所述第一分隔罩、所述第二分隔罩和所述外罩體沿豎直方向進行升降以形成工藝腔的托舉機構。
[0018]作為本專利技術的進一步改進，所述工藝腔包括：所述托舉機構驅動所述第一分隔罩、所述第二分隔罩和所述外罩體沿豎直方向上升，形成于所述第一分隔罩與所述中心腔體結構之間并連通所述第一收集腔的第一工藝腔；所述托舉機構驅動所述第二分隔罩和所述外罩體沿豎直方向上升，形成于所述第一分隔罩與所述第二分隔罩之間并連通所述第二收集腔的第二工藝腔；所述托舉機構驅動所述外罩體沿豎直方向上升，形成于所述第二分隔罩與所述外本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種半導體刻蝕設備，其特征在于，包括：工作臺，配置于所述工作臺的腔體組件，配置于所述工作臺并形成于所述腔體組件周向外側的噴液組件，以及貫穿所述工作臺并沿軸向延伸入所述腔體組件的承托組件；所述腔體組件包括：回收腔體，以及罩設于所述回收腔體并與所述回收腔體圍合形成集氣腔的固定罩；所述回收腔體包括：腔底結構，同軸設置于所述腔底結構外側的第一分隔罩，沿所述第一分隔罩的徑向方向向外依次形成若干個套設于所述第一分隔罩的第二分隔罩，同軸套設于所述第二分隔罩的外罩體，以及連通所述集氣腔以供所述回收腔體內氣體流通的導氣通路。2.根據權利要求1所述的半導體刻蝕設備，其特征在于，所述導氣通路包括：形成于所述第一分隔罩與所述腔底結構之間的第一導氣通路，形成于所述第一分隔罩與所述第二分隔罩之間的第二導氣通路，以及形成于所述第二分隔罩與所述外罩體之間的第三導氣通路。3.根據權利要求2所述的半導體刻蝕設備，其特征在于，所述腔底結構包括：腔底座，所述腔底座內邊緣沿豎直方向向上延伸形成內環形隔板，所述腔底座外邊緣沿豎直方向向上延伸形成外環形隔板，以及形成于所述內環形隔板與所述外環形隔板之間的第一收集腔。4.根據權利要求3所述的半導體刻蝕設備，其特征在于，所述第一分隔罩包括：第一環形罩體，所述第一環形罩體沿豎直方向向上延伸形成第一環形圍板，所述第一環形圍板具有靠近所述回收腔體的中軸線的延伸趨勢，所述第一環形罩體沿徑向方向依次向內傾斜延伸形成導流板和豎直向下延伸形成的第一隔板，所述第一環形罩體底端沿徑向方向依次向外水平延伸形成第一銜接部和豎直向上延伸形成的第二隔板，以及形成于所述第一環形罩體與所述第二隔板之間的第二收集腔；所述第一隔板與所述第一環形罩體之間形成容置至少部分所述外環形隔板的第一環形區域，所述第一隔板至少部分延伸入所述第一收集腔以構造出供所述第一收集腔內的氣體流通至所述集氣腔內的呈迂回狀的所述第一導氣通路。5.根據權利要求4所述的半導體刻蝕設備，其特征在于，所述第二分隔罩包括：第二環形罩體，所述第二環形罩體沿豎直方向向上延伸形成第二環形圍板，所述第二環形圍板具有靠近所述回收腔體的中軸線的延伸趨勢，所述第二環形圍板沿豎直方向向下延伸形成第三隔板，所述第二環形罩體底端沿徑向方向依次向外水平延伸形成第二銜接部和豎直向上延伸形成的第四隔板，以及形成于所述第二環形罩體與所述第四隔板之間的第三收集腔；所述第二環形罩體與所述第三隔板之間形成容置至少部分所述第二隔板的第二環形區域，所述第三隔板至少部分延伸入所述第二收集腔以形成供所述第二收集腔內的氣體流通至所述集氣腔內的呈迂回狀的所述第二導氣通路。6.根據權利要求5所述的半導體刻蝕設備，其特征在于，所述外罩體包括：第三環形罩體，所述第三環形罩體沿豎直方向向上延伸形成...
【專利技術屬性】
技術研發人員：趙天翔，華斌，宋裕華，
申請(專利權)人：蘇州智程半導體科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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