電子器件制造技術

本申請公開了一種電子器件，該電子器件包括：天線基板，具有腔體，其中腔體具有天線耦合共振腔；射頻芯片，設置于腔體內并在天線耦合共振腔之外；屏蔽間隔件，設置于腔體內，并且屏蔽間隔件區隔射頻芯片與腔體內的天線耦合共振腔。上述技術方案，至少能夠減少來自射頻芯片的干擾，從而提升天線效能。從而提升天線效能。從而提升天線效能。

【技術實現步驟摘要】
電子器件


[0001]本申請涉及半導體和天線
，更具體的，涉及一種電子器件。

技術介紹

[0002]參考圖1所示，現行常見天線模組中，通常將RFIC(射頻集成電路，Radio Frequency Integrated Circuit)芯片10與天線12堆疊設置，以減少封裝尺寸，即減少X
?
Y平面中的尺寸。但在封裝薄化(減小方向Z上的尺寸)的需求下，如圖2A所示，現有做法是將RFIC芯片20設置在天線22耦合的空腔25中。然而，將RFIC芯片20配置在空腔25中會干擾天線22耦合，即使在RFIC芯片20上設置芯片屏障(scale shielding)層29，仍會影響天線22的性能。
[0003]結合圖2A和圖2B所示，在天線22與RFIC芯片20的布局設計中，RFIC芯片20設置于多個天線22中間，RFIC芯片20的這種配置也會干擾四周天線22，使得天線22性能較差。
[0004]此外，根據天線設計要求，各天線22與RFIC芯片20之間、及各個天線22之間需要在X
?
Y平面中保持大于1/2電磁波波長的特定距離。這會造成占用較大的尺寸，而無更多的空間以整合其他元件。另一方面，空腔25頂部處的基板28不易維持平行，中間位置的基板28會相對兩側位置的基板28向下塌陷，這將不利地影響天線性能。另一方面，RFIC芯片20的邊緣區域處的電連接件24可以接地(GND)，以幫助RFIC芯片20散熱。但在圖2A和圖2B所示的結構中，RFIC芯片20的接地區域面積小，散熱較差，RFIC芯片20產生的熱量會影響RFIC芯片20與各個天線22之間的射頻走線32的傳輸特性。

技術實現思路

[0005]針對現有技術中的上述問題，本申請提出一種電子器件，至少能夠減少來自射頻芯片的干擾，從而提升天線效能。
[0006]根據本申請的一個方面，提供了一種電子器件，該電子器件包括：天線基板，具有腔體，其中腔體具有天線耦合共振腔；射頻芯片，設置于腔體內并在天線耦合共振腔之外；屏蔽間隔件，設置于腔體內，并且屏蔽間隔件區隔射頻芯片與腔體內的天線耦合共振腔。
[0007]在一些實施例中，屏蔽間隔件從天線基板的第一側延伸至與第一側相對的第二側。
[0008]在一些實施例中，天線基板上設置有天線，屏蔽間隔件包括在屏蔽間隔件的延伸方向上間隔設置的屏蔽元件，以減少射頻芯片與天線之間的電磁波干擾。
[0009]在一些實施例中，天線基板具有第一區和相鄰于第一區的第二區，天線設置于第一區，射頻芯片設置于第二區下方，其中，第二區與屏蔽間隔件共同構成屏蔽墻，以阻隔至少兩個方向的電磁波傳遞。
[0010]在一些實施例中，電子器件還包括射頻基板，射頻基板用于支撐射頻芯片、屏蔽間隔件和天線基板；其中，天線基板上設置有天線，射頻基板包含射頻走線，射頻走線延伸經過屏蔽間隔件下方以電連接射頻芯片與天線。
[0011]在一些實施例中，射頻基板還包含與天線基板的天線對齊且用于與天線電耦合的饋電元件。
[0012]在一些實施例中，天線基板與屏蔽間隔件為一體結構。
[0013]在一些實施例中，射頻基板包括位于射頻芯片下方的散熱區域。
[0014]在一些實施例中，電子器件還包括支撐件，支撐件設置于腔體的相對側并用于支撐天線基板，支撐件包括用于減少射頻芯片的電磁波干擾的屏蔽元件。
[0015]在一些實施例中，屏蔽元件、屏蔽間隔件和射頻芯片上方的天線基板共同構成屏蔽墻。
[0016]本申請的上述技術方案，通過利用屏蔽間隔件將射頻芯片與天線耦合共振腔區隔開，至少可以避免射頻芯片對天線耦合共振腔的干擾。
附圖說明
[0017]為了更清楚地說明本申請實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0018]圖1是現行的一種天線模組的截面示意圖。
[0019]圖2A和圖2B分別是現行的另一種天線模組的截面示意圖和俯視示意圖。
[0020]圖3是根據本申請的實施例的電子器件的截面示意圖。
[0021]圖4是圖3所示電子器件中的射頻芯片與多個天線單元連接的俯視示意圖。
[0022]圖5A和圖5B分別是根據本申請的不同實施例的圖3中電子器件的俯視示意圖。
[0023]圖6是根據本申請的另一實施例的電子器件的截面示意圖。
具體實施方式
[0024]下面將結合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本申請中的實施例，本領域普通技術人員所獲得的所有其他實施例，都屬于本申請保護的范圍。
[0025]圖3是根據本申請的實施例的電子器件100的截面示意圖。參考圖3所示，電子器件100包括天線基板110，天線基板110具有腔體180。腔體180包括天線耦合共振腔182。電子器件100還包括射頻芯片120(如RFIC芯片)和屏蔽間隔件150。屏蔽間隔件150設置于腔體180內，并且屏蔽間隔件150區隔射頻芯片120與天線耦合共振腔182，使得射頻芯片120設置于腔體180內并位于天線耦合共振腔182之外。通過利用屏蔽間隔件150將射頻芯片120與天線耦合共振腔182區隔開，可以避免射頻芯片120對天線耦合共振腔182的干擾。
[0026]天線基板110上設置有天線112。天線112和天線耦合共振腔182可以在方向Z上位于天線基板110的相對側。天線112位于天線耦合共振腔182上方。在該實施例中，天線112利用天線基板110的介電材料來當做天線底材，天線基板110的介電材料一般為低k介電材料，這可以保證天線112的效能良好。
[0027]電子器件100還包括射頻基板130，射頻基板130用于支撐射頻芯片120、屏蔽間隔
件150和天線基板110。屏蔽間隔件150從天線基板110在方向Z上延伸至與射頻基板130連接。射頻基板130包含天線132，天線132與天線基板110上的對應天線112對齊并且與天線112電耦合，射頻基板130上的天線132可以用作天線基板110上的天線112的饋電元件，以與天線112電耦合。因此，天線132也可以稱為饋電元件。在一些實施例中，各個天線112、132是毫米波天線。在一些實施例中，天線基板110上的天線112和射頻基板130上的天線132的位置可以具有不同的配置。例如，天線基板110上的天線112可以配置為突出于天線基板110的表面，而射頻基板130上的天線132可以配置為嵌入在射頻基板130中。
[0028]天線112與天線132可以一一對應地在方向Z上對齊設置。多個天線112和多個天線132共享一個天線耦合共振腔182，利用天線耦合共振腔182耦合共振而發出電磁波。一個天線112與本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種電子器件，其特征在于，包括：天線基板，具有腔體，其中所述腔體具有天線耦合共振腔；射頻芯片，設置于所述腔體內并在所述天線耦合共振腔之外；屏蔽間隔件，設置于所述腔體內，并且所述屏蔽間隔件區隔所述射頻芯片與所述腔體內的所述天線耦合共振腔。2.根據權利要求1所述的電子器件，其特征在于，所述屏蔽間隔件從所述天線基板的第一側延伸至與所述第一側相對的第二側。3.根據權利要求1所述的電子器件，其特征在于，所述天線基板上設置有天線，所述屏蔽間隔件包括在所述屏蔽間隔件的延伸方向上間隔設置的屏蔽元件，以減少所述射頻芯片與所述天線基板上的所述天線之間的電磁波干擾。4.根據權利要求1所述的電子器件，其特征在于，所述天線基板具有第一區和相鄰于第一區的第二區，天線設置于所述第一區，所述射頻芯片設置于所述第二區下方，其中，所述第二區與所述屏蔽間隔件共同構成屏蔽墻，以阻隔至少兩個方向的電磁波傳遞。5.根據權利要求1所述的電子器件，其特征在于...

【專利技術屬性】
技術研發人員：余忠儒，吳韋汎，
申請(專利權)人：日月光半導體制造股份有限公司，
類型：新型
國別省市：