異質結HJT光伏電池及其制作方法技術

本發明專利技術公開一種異質結HJT光伏電池及其制作方法，包括玻璃基板，所述玻璃基板的表面從內到外依次設有第一金屬電極、第一非晶硅本征層、P+型晶體硅層、N型晶體硅層、N+型晶體硅層、第二非晶硅本征層及第二金屬電極。本發明專利技術異質結HJT光伏電池能節約材料，大大減少對硅片的依賴，生產成本低，有效提高市場競爭力。有效提高市場競爭力。有效提高市場競爭力。

【技術實現步驟摘要】
異質結HJT光伏電池及其制作方法


[0001]本專利技術涉及一種異質結HJT光伏電池，尤其涉及一種節約材料，生產成本低，有效減少對硅片的依賴的異質結HJT光伏電池及其制作方法。

技術介紹

[0002]常規HIT電池一般是以N型硅片為襯底，厚度約180um,在正面依次為透明導電氧化物膜(簡稱TCO)、P型非晶硅薄膜，和本征富氫非晶硅薄膜；在電池背面依次為TCO透明導電氧化物膜，N型非晶硅薄膜和本征非晶硅膜，最后通過絲網印刷在電池兩面制備金屬電極，再經過低溫固化工藝，完成HIT電池的制造。然而，現有的這種方式的襯底的厚度要求較大，使得對N型硅片材料的需求很大，批量生產電池時會消耗大量的硅片，因此對硅片具有很強的依賴，而且通過絲網印刷制備金屬電極需要大量的銀漿，生產成本很高。

技術實現思路

[0003]本專利技術的目的在于提供一種節約材料，生產成本低的異質結HJT光伏電池。
[0004]本專利技術的另一目的在于提供一種節約材料，生產成本低，有效減少對硅片的依賴的異質結HJT光伏電池制作方法。
[0005]為了實現上述目的，本專利技術提供的異質結HJT光伏電池包括玻璃基板，所述玻璃基板的表面從內到外依次設有第一金屬電極、第一非晶硅本征層、P+型晶體硅層、N型晶體硅層、N+型晶體硅層、第二非晶硅本征層及第二金屬電極。
[0006]與現有技術相比，本專利技術通過以玻璃材料作為基板，為整個光伏電池提供襯底，從而可以最大限度地減少N型晶體硅層的厚度，因此可大量減少N型晶體硅片材料的使用量，從而節約大量的材料，極大地降低生產成本，并且大大地減少了對硅片的依賴，有效提高市場競爭力。
[0007]較佳地，所述第一非晶硅本征層的背面設有第一透明導電氧化層，所述第一金屬電極設置于所述第一透明導電氧化層與所述玻璃基板之間；所述第二非晶硅本征層的表面設有第二透明導電氧化層，所述第二金屬電極設置于所述第二透明導電氧化層的表面。通過設置所述第一透明導電氧化層及第二透明導電氧化層，其既具有導電性又具有透光性，并且可以對內部的材料進行保護，從而使得電池穩定性高，使用壽命更長。
[0008]具體地，所述第一透明導電氧化層和/或第二透明導電氧化層的厚度范圍為500nm至1um，電阻率范圍為10Ωcm至4Ωcm。
[0009]較佳地，所述N型晶體硅層的厚度范圍為20nm至30um。
[0010]較佳地，所述P+型晶體硅層和/或所述N+型晶體硅層的厚度范圍為20nm至1000nm。
[0011]較佳地，所述第一非晶硅本征層和/或所述第二非晶硅本征層的厚度范圍為2nm至20nm。
[0012]較佳地，所述玻璃基板的厚度范圍為2mm至5mm。
[0013]一種異質結HJT光伏電池的制作方法，包括以下步驟：在玻璃基板的表面通過磁控
濺射或離子束濺射的方式鍍上第一金屬導電層；通過激光鐳雕的方式去除所述第一金屬導電層的多余材料，形成多個第一金屬電極；在玻璃基板的表面通過磁控濺射或離子束濺射的方式鍍上第一透明導電氧化層，并覆蓋所述第一金屬電極；利用非晶硅材料通過化學氣相沉積法鍍于所述第一透明導電氧化層的表面，形成第一非晶硅本征層；利用摻雜型晶體硅材料通過化學氣相沉積法鍍于所述第一非晶硅本征層的表面，形成P+型晶體硅層；利用摻雜型晶體硅材料通過化學氣相沉積法鍍于所述P+型晶體硅層的表面，形成N型晶體硅層；利用摻雜型晶體硅材料通過化學氣相沉積法鍍于所述N型晶體硅層的表面，形成N+型晶體硅層；利用非晶硅材料通過化學氣相沉積法鍍于所述N+型晶體硅層的表面，形成第二非晶硅本征層；在所述第二非晶硅本征層的表面通過磁控濺射或離子束濺射的方式鍍上第二透明導電氧化層；在所述第二透明導電氧化層的表面通過磁控濺射或離子束濺射的方式鍍上第二金屬導電層；通過激光鐳雕的方式去除所述第二金屬導電層的多余材料，形成多個第二金屬電極。
[0014]較佳地，所述第一非晶硅本征層及所述第二非晶硅本征層采用等離子體輔助化學氣相沉積法或熱絲化學氣相沉積法制作。
[0015]具體地，所述P+型晶體硅層、N型晶體硅層及N+型晶體硅層采用金屬有機化學氣相沉積法或等離子體輔助化學氣相沉積法制作。
附圖說明
[0016]圖1是本專利技術異質結HJT光伏電池的結構示意圖。
[0017]圖2是本專利技術異質結HJT光伏電池制作方法的流程圖。
具體實施方式
[0018]為詳細說明本專利技術的
技術實現思路
、構造特征、所實現的效果，以下結合實施方式并配合附圖詳予說明。
[0019]如圖1所示，本專利技術異質結HJT光伏電池100包括玻璃基板1，所述玻璃基板1的表面從內到外依次設有第一金屬電極2、第一非晶硅本征層3、P+型晶體硅層4、N型晶體硅層5、N+型晶體硅層6、第二非晶硅本征層7及第二金屬電極8。其中，所述第一非晶硅本征層3的背面還設有第一透明導電氧化層9，所述第一金屬電極2設置于所述第一透明導電氧化層9與所述玻璃基板1之間。所述第二非晶硅本征層7的表面還設有第二透明導電氧化層10，所述第二金屬電極8設置于所述第二透明導電氧化層10的表面。通過設置所述第一透明導電氧化層9及第二透明導電氧化層10，其既具有導電性又具有透光性，并且可以對內部的材料進行保護，從而使得電池穩定性高，使用壽命更長。本專利技術所述第一金屬電極2及第二金屬電極8的材料為銅Cu，所述第一非晶硅本征層3及第二非晶硅本征層7的成分為a
?
Si:H。
[0020]所述第一透明導電氧化層9和第二透明導電氧化層10的厚度范圍為500nm至1um，電阻率范圍為10Ωcm至4Ωcm。所述N型晶體硅層5的厚度范圍為20nm至30um。所述P+型晶體硅層4和所述N+型晶體硅層6的厚度范圍為20nm至1000nm。所述第一非晶硅本征層3和所述第二非晶硅本征層7的厚度范圍為2nm至20nm。所述玻璃基板1的厚度范圍為2mm至5mm。
[0021]結合圖1并請參閱圖2，本專利技術的異質結HJT光伏電池100的制作方法，包括以下步驟：
[0022]步驟S1，在玻璃基板1的表面通過磁控濺射或離子束濺射的方式鍍上第一金屬導電層；通過激光鐳雕的方式去除所述第一金屬導電層的多余材料，形成多個第一金屬電極2；
[0023]步驟S2，在玻璃基板1的表面通過磁控濺射或離子束濺射的方式鍍上第一透明導電氧化層9，并覆蓋所述第一金屬電極2；
[0024]步驟S3，利用非晶硅材料通過化學氣相沉積法鍍于所述第一透明導電氧化層9的表面，形成第一非晶硅本征層3；
[0025]步驟S4，利用摻雜型晶體硅材料通過化學氣相沉積法鍍于所述第一非晶硅本征層3的表面，形成P+型晶體硅層4；
[0026]步驟S5，利用摻雜型晶體硅材料通過化學氣相沉積法鍍于所述P+型晶體硅層4的表面，形成N型晶體硅層5；
[0027]步驟S6，利用摻雜型晶體硅材料通過化學氣相沉積法鍍于所述N型晶體硅層5的表面，形成N+型晶體硅層6；
[0028]步驟S7，利用非晶硅材料通本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種異質結HJT光伏電池，其特征在于：包括玻璃基板，所述玻璃基板的表面從內到外依次設有第一金屬電極、第一非晶硅本征層、P+型晶體硅層、N型晶體硅層、N+型晶體硅層、第二非晶硅本征層及第二金屬電極。2.如權利要求1所述的異質結HJT光伏電池，其特征在于：所述第一非晶硅本征層的背面設有第一透明導電氧化層，所述第一金屬電極設置于所述第一透明導電氧化層與所述玻璃基板之間；所述第二非晶硅本征層的表面設有第二透明導電氧化層，所述第二金屬電極設置于所述第二透明導電氧化層的表面。3.如權利要求2所述的異質結HJT光伏電池，其特征在于：所述第一透明導電氧化層和/或第二透明導電氧化層的厚度范圍為500nm至1um，電阻率范圍為10Ωcm至4Ωcm。4.如權利要求1所述的異質結HJT光伏電池，其特征在于：所述N型晶體硅層的厚度范圍為20nm至30um。5.如權利要求1所述的異質結HJT光伏電池，其特征在于：所述P+型晶體硅層和/或所述N+型晶體硅層的厚度范圍為20nm至1000nm。6.如權利要求1所述的異質結HJT光伏電池，其特征在于：所述第一非晶硅本征層和/或所述第二非晶硅本征層的厚度范圍為2nm至20nm。7.如權利要求1所述的異質結HJT光伏電池，其特征在于：所述玻璃基板的厚度范圍為2mm至5mm。8.一種異質結HJT光伏電池的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：在玻璃基板的表面通過磁控濺射或離子束濺射的方式鍍上...

【專利技術屬性】
技術研發人員：錢鋒，姚飛，廖運華，宋銀海，賈銀海，王小東，
申請(專利權)人：東莞帕薩電子裝備有限公司，
類型：發明
國別省市：