曝光掩模制造技術

提供了曝光掩模。該曝光掩模包括被曝于光以在襯底上形成圖案的圖案部分、圍繞圖案部分的外圍的圍繞部分以及布置在圍繞部分中的校正圖案部分。校正圖案部分沿圖案部分的邊緣以線排列布置。線排列布置。線排列布置。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】
曝光掩模
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2021年10月6日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請第10
?
2021
?
0132373號的優(yōu)先權和權益，該韓國專利申請的整個內容通過引用并入本文中。


[0003]本公開涉及曝光掩模以及使用該曝光掩模的曝光設備的校正方法。

技術介紹

[0004]光刻工藝可以用于形成包括顯示裝置的裝置。
[0005]當在使用曝光設備和曝光掩模執(zhí)行光刻工藝期間在曝光設備的曝光方向上產生誤差時，在通過使用曝光設備的光刻工藝形成的圖案中可能產生誤差。
[0006]顯示裝置的分辨率增加并且包括在顯示裝置中的圖案的大小減小，并且相應地，進一步減小曝光設備的曝光方向上的誤差的需求在增加。
[0007]在本背景部分中公開的以上信息僅為了增強對所描述的技術的背景的理解，并且因此其可能包含不構成在本國中對本領域的普通技術人員已知的現(xiàn)有技術的信息。

技術實現(xiàn)思路

[0008]實施例提供了能夠減小在曝光設備的曝光方向上的誤差的曝光掩模以及使用該曝光掩模的曝光設備的校正方法。
[0009]然而，通過實施例要解決的問題不限于上述問題，并且可以在包括在實施例中的技術思想的范圍內進行各種擴展。
[0010]根據實施例的曝光掩模可以包括被曝于光以在襯底上形成圖案的圖案部分、圍繞圖案部分的外圍的圍繞部分以及布置在圍繞部分中的多個校正圖案部分。多個校正圖案部分可以沿圖案部分的邊緣以線排列布置。
>[0011]多個校正圖案部分中的每個可以包括多個校正圖案，并且多個校正圖案可以沿第一方向以線排列布置，并且可以沿與第一方向垂直的第二方向以線排列布置。
[0012]多個校正圖案的布置在第一方向上的相鄰的校正圖案可以具有第一間距，并且多個校正圖案的布置在第二方向上的相鄰的校正圖案可以具有第二間距。
[0013]第一間距和第二間距可以彼此相同。
[0014]第一間距和第二間距可以為大約20μm。
[0015]多個校正圖案可以具有彼此相同的平面形狀。
[0016]多個校正圖案可以具有彼此相同的面積。
[0017]多個校正圖案可以具有四邊形形狀。
[0018]多個校正圖案可以具有十字形形狀。
[0019]多個校正圖案可以具有帶有倒角邊緣的四邊形形狀。
[0020]根據實施例的曝光設備的校正方法可以包括：基于曝光設備的光供給單元的移動
方向和速度來校正光供給單元的光供給方向；在初次校正后光供給方向上曝出光；通過將光曝光于多個校正圖案部分來形成多個曝光圖案；通過使用曝光圖案來確定在光供給方向上是否產生誤差；以及基于所確定的誤差來校正光供給方向。
[0021]曝出光可以使用曝光掩模。曝光掩模可以包括：被曝于光以在襯底上形成圖案的圖案部分、圍繞圖案部分的外圍的圍繞部分以及布置在圍繞部分中的多個校正圖案部分。多個校正圖案部分可以沿圖案部分的邊緣以線排列布置。
[0022]確定是否產生誤差可以包括：確定多個曝光圖案是否沿第一方向和第二方向以線排列布置。
[0023]確定是否產生誤差可以包括：測量多個曝光圖案沿第一方向或第二方向偏離的距離。
[0024]根據依據實施例的曝光掩模和使用曝光掩模的曝光設備的校正方法，可以能夠減小在曝光設備的曝光方向上的誤差。
[0025]顯而易見的是，實施例的效果不限于上述效果，而是可以在不脫離實施例的精神和范圍的情況下在一范圍內進行各種擴展。
附圖說明
[0026]圖1是根據實施例的曝光設備的平面視圖。
[0027]圖2是示出圖1的一部分和光供給方向的正視圖。
[0028]圖3是簡要示出根據實施例的曝光掩模的平面視圖。
[0029]圖4是根據實施例的曝光掩模的校正圖案部分的布局視圖。
[0030]圖5是圖4的部分A的放大視圖。
[0031]圖6至圖8是根據實施例的由曝光掩模形成的曝光圖案的布局視圖。
[0032]圖9是根據實施例的曝光設備的校正方法的流程圖。
[0033]圖10是根據實施例的曝光掩模的校正圖案部分的布局視圖。
[0034]圖11是圖10的部分B的放大視圖。
[0035]圖12是根據實施例的曝光掩模的校正圖案部分的布局視圖。
[0036]圖13是圖12的部分C的放大視圖。
具體實施方式
[0037]將在下文中參考示出了實施例的附圖更加充分地描述實施例。如本領域技術人員將認識到的，所描述的實施例可以在所有不脫離實施例的精神或范圍的情況下以各種不同的方式進行修改。
[0038]與實施例無關的部分的描述被省略，并且在整個說明書中，類似的附圖標記表示類似的元件。
[0039]附圖僅為了容易理解說明書中公開的實施例，并且說明書中公開的技術思想不受附圖限制，并且應被理解為包括包含在實施例的思想和技術范圍中的所有修改、等同物或替代物。
[0040]在附圖中，一些組成元件被夸大、省略或示意性地圖示，并且每個組成元件的大小不完全反映實際大小。在附圖中，為了清楚，層、膜、面板、區(qū)等的厚度被夸大。在附圖中，為
了描述的更好理解以及描述的方便，一些層和區(qū)域的厚度被夸大。
[0041]將理解，當諸如層、膜、區(qū)或襯底的元件被稱為在另一元件“上”時，該元件能直接在另一元件上，或者也可以存在居間元件。相反，當元件被稱為“直接”在另一元件“上”時，不存在居間元件。此外，詞語“上”或“上方”意味著被放置在對象部上或下方，并且不一定意味著基于重力方向被放置在對象部的上側上。
[0042]除非明確相反描述，否則詞語“包括(comprise)”以及變體(諸如“包括(comprises)”或“包括(comprising)”)將被理解為意味著包括所陳述的元件，但不排除任何其它元件。
[0043]在整個說明書中，短語“在平面上”意味著從頂部觀察對象部，并且短語“在截面上”意味著從側面觀察對象部被垂直切開的截面。
[0044]在說明書中，當提及“連接到”時，這不意味著僅兩個或更多個組成元件彼此直接連接，而是兩個或更多個組成元件可以通過其它組成元件間接連接和物理連接，并且它們也可以電連接或者根據位置或功能以不同的名稱被提及，并且可以意味著它們?yōu)橐粋€主體。
[0045]在下文中，將參考附圖詳細描述各種實施例和變化。
[0046]首先，參考圖1描述根據實施例的曝光設備1。圖1是根據實施例的曝光設備1的平面視圖。
[0047]參考圖1，根據實施例的曝光設備1可以包括用于支撐為處理目標的襯底SB的襯底支撐板SP、將用于曝光的光(諸如激光)供給到安裝在襯底支撐板SP上的襯底SB的光供給單元LS以及光源支撐單元LSB，光供給單元LS被安裝到光源支撐單元LSB并且光源支撐單元LSB使光供給單元LS移動。
[0048]光供給單元LS可以在沿光源支撐本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種曝光掩模，其特征在于，包括：圖案部分，所述圖案部分被曝于光以在襯底上形成圖案；圍繞部分，所述圍繞部分圍繞所述圖案部分的外圍；以及多個校正圖案部分，所述多個校正圖案部分布置在所述圍繞部分中，其中，所述多個校正圖案部分沿所述圖案部分的邊緣以線排列布置。2.根據權利要求1所述的曝光掩模，其特征在于，所述多個校正圖案部分中的每個包括多個校正圖案，并且所述多個校正圖案沿第一方向以線排列布置，并且沿與所述第一方向垂直的第二方向以線排列布置。3.根據權利要求2所述的曝光掩模，其特征在于，所述多個校正圖案的布置在所述第一方向上的相鄰的校正圖案具有第一間距，并且所述多個校正圖案的布置在所述第二方向上的相鄰的校正圖案...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：李潤烈，李載友，金玄祐，
申請(專利權)人：三星顯示有限公司，
類型：新型
國別省市：