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    一種光刻膠低溫固化厚膜的制備方法技術(shù)

    技術(shù)編號:34853893 閱讀:64 留言:0更新日期:2022-09-08 07:54
    本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種光刻膠低溫固化厚膜的制備方法。包括:1)在晶圓上涂覆光敏性樹脂組合物膠液,勻膠,前烘,得到厚膜;2)曝光;3)顯影;4)固化,得到含第一層固化膜的晶圓;5)貼覆干膜:在上述晶圓的第一層固化膜上貼覆干膜作為后續(xù)繼續(xù)勻膠的支撐膜;6)在所述干膜上繼續(xù)重復(fù)步驟1)

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
    一種光刻膠低溫固化厚膜的制備方法


    [0001]本專利技術(shù)屬于光刻膠領(lǐng)域,具體涉及一種光刻膠低溫固化厚膜的制備方法。

    技術(shù)介紹

    [0002]自感光性樹脂,即本身賦予了感光性的光敏性樹脂組合物的制備方法提出以后,和以前使用的樹脂材料相比,光敏性樹脂組合物極大的簡化了光刻圖案固化膜的制造工序。其中具有代表性的光敏性材料有正負(fù)型光敏聚酰亞胺(PSPI)和光敏聚苯并噁唑(PSPBO),這些光敏性涂覆材料在絕緣層中被大量使用。
    [0003]另一方面,隨著電子設(shè)備功能的進一步提高,具有再布線層的封裝結(jié)構(gòu)也在被研究,其中FOWLP(Fan Out Wafer Level Package)備受關(guān)注。用于再布線層的絕緣材料需要具有低溫固化性和低應(yīng)力的特性。因此一些主流公司在不斷地研發(fā)推進作為用于絕緣層的低溫固化感光性材料,例如HD日立化成公司推出的AH
    ?
    1170/AH
    ?
    3000產(chǎn)品,該產(chǎn)品應(yīng)力低,且具有良好的粘附性,同時AH
    ?
    3000還提高了耐冷熱循環(huán)性能,該產(chǎn)品的固化膜約10μm厚(日立化成技術(shù)報告No.59(2016
    ·
    12月))。
    [0004]然而,隨著半導(dǎo)體元件的高集成化和小型化發(fā)展,存在封裝基板的薄膜化、小型化及低成本化等要求,提出使用凸塊下金屬(UBM)層的封裝結(jié)構(gòu)(參考專利(申請公布號:CN 106796399 A)),在去除了上述UBM層的封裝結(jié)構(gòu)中,由于通過最外層的圖案固化膜增強凸塊來確保可靠性,因此需要使用較厚的固化膜(>10μm),因此涂覆、前烘后的光刻膠膜至少20μm以上。
    [0005]由于光透射率的原因,當(dāng)厚度增加到20μm以上就會導(dǎo)致UV光透光性下降,從而無法再進行精細(xì)加工。為了得到分辨率較高的圖案,正型光刻膠的很多研究者采用提高曝光時間,顯影時間的方法,導(dǎo)致正型光刻膠厚膜的曝光能量較高。另外,光刻膠過厚時,已曝光的光刻膠下面難以接觸到顯影液,想得到完整的光刻圖案,就需要增加較長的顯影時間,進而導(dǎo)致膜厚損失較大。同樣的對于負(fù)型光刻膠,光照透光性的下降,使得特別是底部的膠液交聯(lián)不充分,在顯影的過程中曝光區(qū)也會變得更容易溶解。另外如果增加曝光能量還會導(dǎo)致負(fù)型膠液的分辨率更差。

    技術(shù)實現(xiàn)思路

    [0006]本專利技術(shù)的目的在于提供一種低溫固化厚度大于15μm的固化膜的制備方法,該工藝降低了厚膜的曝光能量,提高了留膜率及圖案分辨率,同時該固化膜還有優(yōu)異的力學(xué)熱學(xué)及耐化性能。
    [0007]為了實現(xiàn)上述目的,本專利技術(shù)所采用的技術(shù)方案如下:
    [0008]一種光刻膠低溫固化厚膜的制備方法,包括如下步驟:
    [0009]1)在晶圓上涂覆光敏性樹脂組合物膠液,勻膠,前烘,得到厚膜;
    [0010]2)曝光;
    [0011]3)顯影;
    [0012]4)固化,得到含第一層固化膜的晶圓;
    [0013]5)貼覆干膜:在上述晶圓的第一層固化膜上貼覆干膜作為后續(xù)繼續(xù)勻膠的支撐膜;
    [0014]6)在所述干膜上繼續(xù)重復(fù)步驟1)
    ?
    4)勻膠、曝光、顯影及固化操作,得到含有二層固化膜的晶圓;
    [0015]7)在所得含有二層固化膜的晶圓上以步驟5)的方法再次貼覆一層干膜,然后重復(fù)步驟1)
    ?
    3)中勻膠、曝光、顯影操作,將得到的光刻圖形烘烤,得到最終的光刻圖案固化膜。
    [0016]上述方法步驟1)中,所述光敏性樹脂組合物可為正型感光性樹脂組合物或負(fù)型感光性樹脂組合物,所述勻膠采用12吋Track設(shè)備實現(xiàn),
    [0017]勻膠設(shè)定的轉(zhuǎn)速可為1000rpm*30s
    ?
    3000rpm*30s,具體可為;2000rpm*30s;
    [0018]所述前烘在恒溫?zé)崤_中進行,所述前烘的溫度可為100
    ?
    120℃,所述前烘的時間可為3
    ?
    5min;
    [0019]所得厚膜的厚度可為10
    ±
    1μm;
    [0020]上述方法步驟2)中,所述曝光采用的曝光設(shè)備為12吋光刻機Canon FPA
    ?
    5520iV;
    [0021]所述曝光的能量可為100mj/cm2?
    3000mj/cm2,具體可為200
    ?
    1000mj/cm2;
    [0022]對曝光掩模版不做要求;
    [0023]上述方法步驟3)中,所述顯影采用12吋Track設(shè)備的顯影單元進行;
    [0024]所述顯影的操作為:將曝光后的帶有光刻膠膜的晶圓置于顯影單元,使晶圓在200rpm
    ?
    350rpm轉(zhuǎn)速下轉(zhuǎn)動,噴灑顯影液(負(fù)型膠液:噴灑有機溶劑顯影液(環(huán)戊酮,購自安耐吉))正型膠液噴灑2.38%TMAH堿性顯影液)8
    ?
    12s,使晶圓表面完全敷上顯影液,靜止顯影時間45
    ?
    80s;之后噴灑漂洗液(負(fù)型膠液:噴灑PGME,正型膠液:噴灑去離子水)去除殘留顯影液和反應(yīng)殘留物,提高轉(zhuǎn)速到2000
    ?
    3000rpm將晶圓甩干,即可;
    [0025]上述方法步驟4)中,所述固化采用鼓風(fēng)充氮烘箱進行,固化過程中氧含量低于100ppm,固化的溫度為180
    ?
    250℃,固化的時間為30min
    ?
    4h;
    [0026]上述方法步驟5)中,所述干膜的厚度可為3
    ?
    5μm;所述干膜可為市售的光敏性干膜;也可為通過如下方法制備得到的干膜:
    [0027]在PET支撐板上涂覆膠液,烘烤,將PET支撐板上的膠膜轉(zhuǎn)移到含第一層固化膜的晶圓上,即可;
    [0028]其中,所述膠液可為步驟1)中的光敏性樹脂組合物膠液;
    [0029]利用涂膜機以5mm/s—100mm/s的線速度在PET支撐板上涂約10
    ?
    20μm厚的膠膜;
    [0030]涂覆膠膜大小根據(jù)使用的晶圓尺寸而定;
    [0031]所述烘烤的溫度可為60
    ?
    100℃,時間可為5
    ?
    15min,
    [0032]利用膠膜與PET之間的粘附力和膠膜與晶圓粘附力的差別,可以通過貼膜機將PET支撐板上的膠膜轉(zhuǎn)移到晶圓上,去除邊緣多余的干膜;
    [0033]剝離轉(zhuǎn)移過程中使用的壓力為20Kpa
    ?
    100Kpa,溫度為50
    ?
    100℃;
    [0034]步驟6)中,所述曝光的能量比步驟2)中的曝光能量高100
    ?
    300mj/cm2;
    [0035]所述顯影的時間可為50
    ?
    70s;
    [0036]步驟7)中,所述曝光的能量比步驟2)中的曝光能量高100
    ?
    300mj/cm2;
    [0037]所述顯影的時間可為50
    ?
    70s;
    [0038]上述方法步驟7)中,所述烘烤在充氮鼓風(fēng)烘箱內(nèi)進行,所述烘烤的溫本文檔來自技高網(wǎng)
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    【技術(shù)保護點】

    【技術(shù)特征摘要】
    1.一種光刻膠低溫固化厚膜的制備方法,包括如下步驟:1)在晶圓上涂覆光敏性樹脂組合物膠液,勻膠,前烘,得到厚膜;2)曝光;3)顯影;4)固化,得到含第一層固化膜的晶圓;5)貼覆干膜:在上述晶圓的第一層固化膜上貼覆干膜作為后續(xù)繼續(xù)勻膠的支撐膜;6)在所述干膜上繼續(xù)重復(fù)步驟1)
    ?
    4)勻膠、曝光、顯影及固化操作,得到含有二層固化膜的晶圓;7)在所得含有二層固化膜的晶圓上以步驟5)的方法再次貼覆一層干膜,然后重復(fù)步驟1)
    ?
    3)中勻膠、曝光、顯影操作,將得到的光刻圖形烘烤,得到最終的光刻圖案固化膜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:步驟1)中,所述光敏性樹脂組合物為正型感光性樹脂組合物或負(fù)型感光性樹脂組合物;勻膠設(shè)定的轉(zhuǎn)速為1000rpm*30s
    ?
    3000rpm*30s;所述前烘的溫度為100
    ?
    120℃,所述前烘的時間為3
    ?
    5min;所得厚膜的厚度大約10μm。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征在于:步驟2)中,所述曝光的能量為100mj/cm2?
    3000mj/cm2。4.根據(jù)權(quán)利要求1
    ?
    3中任一項所述的方法,其特征在于:步驟3)中,所述顯影的操作為:將曝光后的帶有光刻膠膜的晶圓置于顯影單元,使晶圓在200rpm
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    350rpm轉(zhuǎn)速下轉(zhuǎn)動,噴灑顯影液8
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    12s,靜止顯影時間45
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    80s;之后噴灑漂洗液去除殘留顯影液和反應(yīng)殘留物,提高轉(zhuǎn)速到2000
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    3000rpm將晶圓甩干,...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:馮云云賈斌豆秀麗常唯淑王偉唐新穎王奇李濤
    申請(專利權(quán))人:明士北京新材料開發(fā)有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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