說明了一種用于制造光電子半導體器件（1）的方法，具有以下步驟：A）提供布置在載體（50）上的多個半導體芯片（10），B）在所述半導體芯片（10）的背離所述載體（50）的側上布置輔助載體（60），C）去除所述載體（50），D）將所述半導體芯片（10）之間的所述輔助載體（60）分離成輔助載體芯片單元（2），每個輔助載體芯片單元具有至少一個半導體芯片（10）和與所述半導體芯片鄰接的輔助載體部分（61），E）將所述輔助載體芯片單元（2）分別布置在連接載體（30）上，以及F）從每個輔助載體芯片單元（2）去除各自的輔助載體部分（61）。還說明了一種光電子半導體器件（1）。部分（61）。還說明了一種光電子半導體器件（1）。部分（61）。還說明了一種光電子半導體器件（1）。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】用于制造光電子半導體器件的方法和光電子半導體器件
[0001]說明了一種用于制造光電子半導體器件的方法和一種光電子半導體器件。所述光電子半導體器件特別是被設置用于產生和/或檢測電磁輻射，特別是人眼可感知的光。
技術實現思路
[0002]要解決的一個任務是說明一種用于制造使得能夠簡化制造的光電子半導體器件的方法。
[0003]另一個要解決的任務在于說明一種具有改進效率的光電子半導體器件。
[0004]根據用于制造光電子半導體器件的方法的至少一個實施方式，提供多個布置在載體上的半導體芯片。
[0005]所述半導體芯片特別是分別包括半導體本體，該半導體本體具有至少兩個不同的半導體材料區域。不同的區域具有彼此不同的導電類型。例如借助于摻雜來設置相應半導體區域的導電類型。
[0006]所述半導體本體包括有源區域，所述有源區域被設置用于產生和/或檢測電磁輻射。所述有源區域包括例如pn結、雙異質結構、單量子阱結構（SQW，single quantum well）或多量子阱結構（MQW，multi quantum well），用于產生和/或檢測輻射。所述有源區域特別是布置在所述半導體本體的兩個不同區域之間。每個區域都具有背離所述有源區域的主表面。
[0007]半導體芯片特別是具有電連接結構，所述電連接結構被設置用于為相應的有源區域供應運行電壓。
[0008]所述載體具有足夠的厚度以實現機械自支撐。設施載體優選地由硅形成。特別地，所有半導體芯片都布置在所述載體的代表所述載體的主表面的側上。優選地，所有半導體芯片都布置在所述載體的同一側。
[0009]根據所述方法的至少一個實施方式或上述實施方式，將輔助載體布置在所述半導體芯片的背離所述載體的側上。所述輔助載體特別是由二氧化硅形成并且被設計為機械自支撐的。
[0010]根據該方法的至少一個實施方式或上述實施方式之一，去除所述載體。特別是完全從所述半導體芯片去除所述載體。例如，所述載體首先借助于研磨過程減薄，然后借助于蝕刻過程完全去除。
[0011]根據所述方法的至少一個實施方式或上述實施方式之一，將所述半導體芯片之間的所述輔助載體分離成輔助載體芯片單元，每個輔助載體芯片單元具有至少一個半導體芯片和與該半導體芯片鄰接的輔助載體部分。特別是在兩個相鄰半導體芯片之間的假想接縫處分離所述輔助載體。所述輔助載體部分是指輔助載體的在分離步驟之后分別粘附到半導體芯片的部分。
[0012]根據所述方法的至少一個實施方式或上述實施方式之一，將所述輔助載體芯片單元分別布置在連接載體上。所述連接載體特別是被設置用于將所述半導體器件安裝在例如
印刷電路板上。
[0013]根據所述方法的至少一個實施方式或上述實施方式之一，從所述輔助載體芯片單元中去除相應的輔助載體部分。所述輔助載體部分例如借助于機械、化學或光學方法從所述半導體器件剝離。
[0014]根據所述方法的至少一個實施方式或上述實施方式之一，所述方法具有以下步驟：A）提供布置在載體上的多個半導體芯片，B）在所述半導體芯片的背離所述載體的側上布置輔助載體，C）去除所述載體，D）將所述半導體芯片之間的所述輔助載體分離成輔助載體芯片單元，每個輔助載體芯片單元具有至少一個半導體芯片和與所述半導體芯片鄰接的輔助載體部分，E）將所述輔助載體芯片單元分別布置在連接載體上，以及F）從每個輔助載體芯片單元去除各自的輔助載體部分。
[0015]在此描述的用于制造光電子半導體器件的方法尤其基于以下考慮：在制造傳統的光電子半導體器件時，通常在外延生長的半導體結構上方或下方布置生長襯底或另外的載體。所述載體和/或所述生長襯底的布置有利地保證了半導體器件的足夠機械穩定性。襯底或載體不利地導致半導體器件的熱阻和/或電阻增加或光學特性劣化。
[0016]此處描述的用于制造光電子半導體器件的方法尤其利用了在沒有生長襯底或載體的情況下制造半導體器件的想法。為此進行中間步驟，在該中間步驟中將多個半導體芯片施加到保證足夠機械穩定性的輔助載體上。在進一步的方法步驟中，將輔助載體分離并且然后從半導體芯片剝離所述輔助載體。
[0017]從而使得“無載體”半導體芯片的制造成為可能。這里和下文中，“無載體”意味著半導體芯片不具有在用于生長半導體本體的方法的范圍中使用（例如生長襯底）和/或在用于制造半導體芯片的方法的范圍中使用（例如，中間載體）的載體本體。特別地，在半導體本體與連接載體之間沒有布置生長襯底或其他載體。
[0018]例如，無載體半導體芯片包括光學耦合輸出結構和/或一個或多個介電層。
[0019]根據所述方法的至少一個實施方式或上述實施方式之一，在第一步驟A）之前每個半導體芯片都設置有電連接結構。這些連接結構特別是被設置用于為有源區域供應運行電壓。例如，所述連接結構由銅形成。
[0020]用于具有彼此不同的導電類型的半導體材料的兩個不同區域的相應連接結構例如布置在半導體芯片的主表面之一上。然后，例如借助于穿過所述有源區域的通孔來接觸至少一個不同的半導體區域。
[0021]替代地，相應的連接結構分別布置在所述半導體芯片的相對的主表面上。因此，有利的是不需要通孔接觸。
[0022]根據所述方法的至少一個實施方式或上述實施方式之一，在第一步驟A）之前將所述半導體芯片借助于第一接觸層布置在所述載體上。特別地，所述第一接觸層是結構化的。例如，所述第一接觸層被結構化為使得其具有多個分段。特別地，將結構化的第一接觸層的每個分段分配給一個半導體芯片。
[0023]例如，所述第一接觸層由金和錫以共晶混合比形成。特別地，所述第一接觸層由粘
合劑形成。
[0024]借助于第一接觸層，特別是多個半導體芯片與所述載體機械牢固地連接。因此可以有利地以特別簡單的方式進一步處理多個半導體芯片。這些半導體芯片優選地布置在載體上，使得所述半導體芯片的背離所述載體的側沒有電連接結構。
[0025]根據所述方法的至少一個實施方式或上述實施方式之一，所述輔助載體通過熔化熱塑性連接層與所述半導體芯片連接。熱塑性塑料是一種聚合物，其通過加熱到超過其玻璃化轉變溫度而可逆地轉變為可變形狀態。所述熔化不一定必須包括熱塑性材料完全轉變為液態。而是使得熱塑性材料具有足以流入相鄰半導體芯片之間間隙的可變形性的加熱就足夠了。熱塑性連接層優選地填充半導體芯片之間的間隙。特別地，所述連接層完全包圍所述半導體芯片。
[0026]根據該方法的至少一個實施方式或上述實施方式之一，步驟B）在真空氣氛下進行。真空氣氛特別是使得可以特別好地填充相鄰半導體芯片之間的間隙，以避免形成氣泡。以這種方式，半導體芯片有利地被連接層的模塑料特別好地包圍。
[0027]根據用于制造光電子半導體器件的方法的至少一個實施方式或上述實施方式之一，借助于鋸切或借助于鋸切或刻劃和折斷來分離所述輔助載體。有利地，在鋸切過程中可以調節切割深度。例如，將切割深度選擇為使得首先僅分離所述輔助載體。然后例如在鋸切過程的進一本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】1.一種用于制造光電子半導體器件（1）的方法，具有以下步驟：A）提供布置在載體（50）上的多個半導體芯片（10），B）在所述半導體芯片（10）的背離所述載體（50）的側上布置輔助載體（60），C）去除所述載體（50），D）將所述半導體芯片（10）之間的所述輔助載體（60）分離成輔助載體芯片單元（2），每個輔助載體芯片單元具有至少一個半導體芯片（10）和與所述半導體芯片鄰接的輔助載體部分（61），E）將所述輔助載體芯片單元（2）分別布置在連接載體（30）上，以及F）從每個輔助載體芯片單元（2）去除各自的輔助載體部分（61）。2.根據權利要求1所述的用于制造光電子半導體器件（1）的方法，其中，在步驟A）之前每個半導體芯片（10）都設置有電連接結構（201、202）。3.根據前述權利要求中任一項所述的用于制造光電子半導體器件（1）的方法，其中，在步驟A）之前將所述半導體芯片（10）借助于第一接觸層（71）布置在所述載體（50）上。4.根據前述權利要求中任一項所述的用于制造光電子半導體器件（1）的方法，其中，所述輔助載體（60）通過熔化熱塑性連接層（40）與所述半導體芯片（10）連接。5.根據前述權利要求中任一項所述的用于制造光電子半導體器件（1）的方法，其中，步驟B）在真空氣氛下進行。6.根據前述權利要求中任一項所述的用于制造光電子半導體器件（1）的方法，其中，借助于鋸切或借助于鋸切或刻劃和折斷來分離所述輔助載體（60）。7.根據前述權利要求中任一項所述的用于制造光電子半導體器件（1）的方法，其中，將所述輔助載體芯片單元（2）借助于第二接觸層（72）布置在所述連接載體（30）上。8.根據權利要求4和7所述的用于制造光電子半導體器件（1）的方法，其中，所述第二接觸層（72）的表面張力大于所述連接層（40）的材料的表面張力。9.根據權利要求7和8中任一項所述的用于制造光電子半導體器件（1）的方法，其中，將所述輔助載體芯片單元（2）在200
°
C至300
°
C之間的溫度下布置在所述連接載體（30）上。10.根據前述權利要求中任一項所述的用于制造光電子半導體器件（1）的方法，其中，所述輔助載體部分（61）的去除包括激光剝離方法步驟、蝕刻方法步驟、刮除方法步驟或剪切方法步驟。11.根據權利要求10所述的用于制...
【專利技術屬性】
技術研發人員：I，
申請(專利權)人：奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司，
類型：發明
國別省市：
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