本實用新型專利技術屬于半導體制造裝置領域，公開了一種磊晶裝置的清灰管路及磊晶裝置。磊晶裝置包括磊晶腔體和傳送腔體，磊晶裝置的清灰管路包括三通閥、排灰氣源以及清灰管路，三通閥包括第一接口、第二接口以及第三接口，第一接口連通磊晶腔體，第二接口連通傳送腔體，排灰氣源能夠和第二接口連通，第三接口連通清灰管路，三通閥的第二接口被配置為與第一接口和第三接口同時斷開或者擇一連通。第二接口與第一接口連通，平衡了磊晶腔體和傳送腔體之間的壓差。第二接口和第三接口連通，再將第二接口連通于排灰氣源，從而使均壓管路中的微塵能夠通過清灰管路排出，清潔了管路內的灰塵，結構簡單，實施方便。實施方便。實施方便。
【技術實現步驟摘要】
一種磊晶裝置的清灰管路及磊晶裝置
[0001]本技術涉及半導體制造裝置領域，尤其涉及一種磊晶裝置的清灰管路及磊晶裝置。
技術介紹
[0002]磊晶機臺在傳送芯片時，在傳送腔體及磊晶腔體之間存在壓差，壓差過大可能導致芯片的破損或缺陷。為了解決這個問題，需要在兩個腔體之間設置等壓閥，在芯片的傳送過程前，先開啟等壓閥，以平衡兩個腔體之間的壓力，在兩個腔體的壓差均衡后關閉等壓閥，再將芯片由傳送腔體傳送進入磊晶腔體。隨著長時間的使用，微塵容易聚積于等壓閥和管路內，當微塵足夠多時，微塵會在等壓閥開啟瞬間噴入腔體內部，造成腔體內部的工藝環境不良，進而造成在芯片傳送進入后，在生產時有不同程度的工藝缺陷。
技術實現思路
[0003]本技術的目的在于提供一種磊晶裝置的清灰管路及磊晶裝置，清潔連通磊晶腔體和傳送腔體的管路里的灰塵。
[0004]為達此目的，本技術采用以下技術方案：
[0005]一種磊晶裝置的清灰管路，用于磊晶裝置的清灰，所述磊晶裝置包括磊晶腔體和傳送腔體，所述磊晶裝置的清灰管路包括：
[0006]三通閥，所述三通閥包括第一接口、第二接口以及第三接口，所述第一接口連通所述磊晶腔體，所述第二接口連通所述傳送腔體；
[0007]排灰氣源，所述排灰氣源能夠和所述第二接口連通；
[0008]清灰管路，所述清灰管路連通所述第三接口；
[0009]所述三通閥的所述第二接口被配置為與所述第一接口和所述第三接口同時斷開或者擇一連通。
[0010]作為優選，所述三通閥上設置有第一控制件和第二控制件，所述第一控制件用于控制所述第一接口的啟閉，所述第二控制件用于控制所述第二接口的啟閉。
[0011]作為優選，還包括微塵感應器，所述微塵感應器設置于所述第一接口或者所述第二接口處，所述微塵感應器用于檢測所述第一接口或者所述第二接口處的微塵含量。
[0012]作為優選，所述第二接口和所述排灰氣源通過第一管路連通。
[0013]作為優選，還包括控制閥，所述控制閥設置在所述第一管路上。
[0014]作為優選，所述控制閥為電子閥，使所述排灰氣源的氣體通過所述第一管路進入所述清灰管路。
[0015]作為優選，還包括灰塵收集腔，所述清灰管路連接于所述灰塵收集腔。
[0016]作為優選，所述排灰氣源采用惰性氣體。
[0017]為達上述目的，本技術還提供一種磊晶裝置，包括主管路和上述的磊晶裝置的清灰管路，所述磊晶裝置包括磊晶腔體和傳送腔體，所述磊晶腔體和所述傳送腔體之間
通過所述磊晶裝置的清灰管路和所述主管路相連通。
[0018]作為優選，還包括連通閥，所述連通閥設置在所述主管路上，用于控制所述主管路的啟閉。
[0019]本技術的有益效果：
[0020]本技術提供了一種磊晶裝置的清灰管路，包括三通閥、排灰氣源以及清灰管路。三通閥包括第一接口，第二接口以及第三接口，第一接口連通磊晶腔體，第二接口連通傳送腔體，第三接口連通排灰管路，第二接口能夠和排灰氣源連通，三通閥能夠控制第二接口與第一接口和第三接口同時斷開或者擇一聯通。三通閥的第二接口與第一接口連通，從而使磊晶腔體和傳送腔體連通，平衡了磊晶腔體和傳送腔體之間的壓差。三通閥的第二接口和第三接口連通，再將第二接口連通于排灰氣源，從而使均壓管路中的微塵能夠通過清灰管路排出，清潔了管路內的灰塵。磊晶裝置的清灰工作和均壓工作完成后，三通閥的第二接口與第一接口和第三接口同時斷開，從而進行后續的工作。本技術結構簡單，實施方便，利用三通閥不僅均衡磊晶腔體和傳送腔體之間壓差，還清除了磊晶腔體和傳送腔體之間管路的灰塵，防止了灰塵進入兩個腔體。
[0021]本技術還提供了一種磊晶裝置，包括主管路和上述的磊晶裝置的清灰管路，磊晶裝置包括磊晶腔體和傳送腔體，磊晶腔體和傳送腔體之間通過上述磊晶裝置的清灰管路或者主管路連通。當完成均壓和清灰工作后，關閉三通閥，使晶腔體和傳送腔體之間主管路連通，從而進行后續的零件傳輸工作。
附圖說明
[0022]圖1是本技術實施例提供的磊晶裝置的清灰管路的結構示意圖。
[0023]圖中：
[0024]100、磊晶腔體；200、傳送腔體；300、主管路；400、連通閥；
[0025]1、三通閥；11、第一接口；111、第一控制件；12、第二接口；121、第二控制件；13、第三接口；
[0026]2、清灰管路；
[0027]3、微塵感應器；
[0028]4、第一管路；
[0029]5、控制閥；
[0030]6、灰塵收集腔。
具體實施方式
[0031]下面結合附圖和實施例對本技術作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本技術，而非對本技術的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本技術相關的部分而非全部結構。
[0032]在本實施例的描述中，除非另有明確的規定和限定，術語“相連”、“連接”、“固定”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通或兩個元件的相互作用關系。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上
述術語在本技術中的具體含義。
[0033]在本實施例中，除非另有明確的規定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接觸，也可以包括第一和第二特征不是直接接觸而是通過它們之間的另外的特征接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0034]在本實施例的描述中，術語“上”、“下”、“右”等方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述和簡化操作，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本技術的限制。此外，術語“第一”、“第二”僅僅用于在描述上加以區分，并沒有特殊的含義。
[0035]本實施例還提供了一種磊晶裝置，包括主管路300和上述的磊晶裝置的清灰管路，磊晶裝置包括磊晶腔體100和傳送腔體200，磊晶腔體100和傳送腔體 200之間通過磊晶裝置的清灰管路和主管路300相連通。使磊晶腔體100和傳送腔體200通過磊晶裝置的清灰管路進行連通，從而進行均壓或者清灰工作，使磊晶腔體100和傳送腔體200之間通過主管路300連通，從而進行零件的傳輸工作。
[0036]特別地，如圖1所示，磊晶裝置還包括連通閥400，連通閥400設置在主管路300上，用于控制主管路300的啟閉。在本實施例中，連通閥400控制主管本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種磊晶裝置的清灰管路，用于磊晶裝置的清灰，所述磊晶裝置包括磊晶腔體(100)和傳送腔體(200)，其特征在于，所述磊晶裝置的清灰管路包括：三通閥(1)，所述三通閥(1)包括第一接口(11)、第二接口(12)以及第三接口(13)，所述第一接口(11)連通所述磊晶腔體(100)，所述第二接口(12)連通所述傳送腔體(200)；排灰氣源，所述排灰氣源能夠和所述第二接口(12)連通；清灰管路(2)，所述清灰管路(2)連通所述第三接口(13)；所述三通閥(1)的所述第二接口(12)被配置為與所述第一接口(11)和所述第三接口(13)同時斷開或者擇一連通。2.根據權利要求1所述的磊晶裝置的清灰管路，其特征在于，所述三通閥(1)上設置有第一控制件(111)和第二控制件(121)，所述第一控制件(111)用于控制所述第一接口(11)的啟閉，所述第二控制件(121)用于控制所述第二接口(12)的啟閉。3.根據權利要求1所述的磊晶裝置的清灰管路，其特征在于，還包括微塵感應器(3)，所述微塵感應器(3)設置于所述第一接口(11)或者所述第二接口(12)處，所述微塵感應器(3)用于檢測所述第一接口(11)或者所述第二接口(12)處的微塵含量。4.根...
【專利技術屬性】
技術研發人員：溫智中，
申請(專利權)人：泉芯集成電路制造濟南有限公司，
類型：新型
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。