獨石陶瓷電容器端頭三層電極工藝方法技術

本發明專利技術公開了一種片狀器件三層電極表面工藝方法，特別是片狀瓷介電容器端頭三層電極表面工藝方法。目前電極表面工藝方法大多是采用電鍍鉛錫合金，所用溶液具有氟硼酸溶液（ＨＢＦ－［４］）及鉛化合物，對瓷體容易造成腐蝕，降低電容器的介電性能，且鍍層外觀不光亮，污染環境，生產成本高。本發明專利技術采用了電鍍半光亮鎳－錫鈰合金的工藝方法，所采用的溶液是硫酸溶液，對瓷體腐蝕性小，不污染環境，生產成本低。采用本發明專利技術可建立一條全部設備國產化，年產一億只片狀電容（或片狀電阻、片狀電感）生產能力的生產線。（*該技術在2009年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種片狀電容器端頭三層電極的工藝方法，它是由（１）清洗→（２）活化→（３）水洗→（４）鍍鎳→（５）水洗→（６）鍍鉛錫→（７）水洗→（８）烘干八個部驟組成，其特征在于采用了鍍錫鈰合金取代（６）鍍鉛錫的方法，所用的溶液為硫酸溶液。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：許耀生，梁力平，翟明，蔡海燕，陸毓芬，
申請(專利權)人：機械電子工業部第七研究所，
類型：發明
國別省市：81[中國|廣州]