界面關系判斷方法及裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術提供一種界面關系判斷方法及裝置，該方法包括：獲取兩相晶體結構；根據兩相晶體結構選取兩相晶面；根據兩相晶面計算界面錯配度；根據界面錯配度判斷界面關系。本發明專利技術通過獲取兩相晶體結構，選取兩相晶面，根據錯配度計算公式計算錯配度，從而判斷兩相界面關系。

【技術實現步驟摘要】
界面關系判斷方法及裝置
本專利技術涉及材料結構表征計算領域，尤其涉及一種界面關系判斷方法及裝置。
技術介紹
界面是不同原子陣列的結合處，廣泛存在于金屬合金、復合材料、膜材料等，界面關系都對材料加工、性能和應用服役都有著重要影響，可以通過調控界面結構獲取性能優異的材料。界面錯配度作為最基礎的界面結構參數，能夠有效表征界面結構情況。界面錯配度有不同的計算方法，部分計算方法程序繁瑣且計算公式復雜。界面錯配度的值往往作為判斷界面共格關系的根據。因此，結合界面錯配度計算公式，開發簡單易行的界面錯配度計算程序及界面關系判斷，從而簡單高效快速地完成界面錯配度計算和界面關系判斷成為目前需要解決的技術問題。
技術實現思路
本專利技術提供一種界面錯配度計算程序及界面關系判斷方法及裝置，能夠基于多種界面錯配度計算方法簡單高效獲得相關界面錯配度的值，從而快速準確判斷材料界面關系。第一方面，本專利技術提供一種界面關系判斷方法，包括：獲取兩相晶體結構；根據兩相晶體結構選取兩相晶面；根據兩相晶面計算界面錯配度；根據界面錯配度判斷界面關系。可選地，根據界面關系獲取界面關系數據庫。可選地，兩相晶面包括兩相低指數晶面。可選地，根據兩相晶面選取兩相晶向；根據兩相晶向計算兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角；根據兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角，計算界面錯配度。可選地，兩相對應晶向原子夾角為銳角。可選地，根據界面錯配度和預設閾值，獲取界面關系。另一方面，本專利技術提供一種界面關系判斷裝置，包括：獲取模塊，用于獲取兩相晶體結構；選取模塊，用于根據兩相晶體結構選取兩相晶面；計算模塊，用于根據兩相晶面計算界面錯配度；判斷模塊，用于根據界面錯配度判斷界面關系。由上述技術方案可知，本專利技術通過獲取兩相晶體結構；根據兩相晶體結構選取兩相晶面；根據兩相晶面計算界面錯配度；根據界面錯配度判斷界面關系。本專利技術根據兩相晶體結構選取兩相晶面，根據錯配度計算公式能夠準確計算界面錯配度，判斷材料界面關系，從而改善材料性能。附圖說明圖1為本專利技術一實施例提供的一種界面關系判斷方法的流程示意圖；圖2為本專利技術一實施例提供的一種兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角示意圖(圖為公式3示意圖)；圖3為本專利技術一實施例提供的一種界面關系判斷裝置的結構示意圖；圖4為本專利技術一實施例提供的Cu(銅)與γ-Fe(γ-鐵)界面關系判斷方法的流程示意圖；圖5為本專利技術一實施例提供的Cu與W(鎢)界面關系判斷方法的流程示意圖；圖6為本專利技術一實施例提供的Ce2O3(三氧化二鈰)與γ-Fe界面關系判斷方法的流程示意圖。具體實施方式為使本專利技術實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他的實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。圖1示出了本專利技術一實施例提供的界面關系判斷方法的流程示意圖，如圖1所示，本實施例的界面關系判斷方法如下所述：101、獲取兩相晶體結構；102、根據兩相晶體結構選取兩相晶面；103、根據兩相晶面計算界面錯配度；104、根據界面錯配度判斷界面關系。在具體實施例中，步驟101可包括：根據兩相材料類型獲取兩相晶體結構。在具體實施例中，步驟102可包括：根據兩相晶體結構可選取任意兩相晶面，例如，根據Cu與γ-Fe晶體結構模型可以任意組選取Cu典型晶面(100)、(110)、(111)、(102)與γ-Fe典型晶面(100)、(110)、(111)、(102)。在具體實施例中，兩相晶面包括兩相低指數晶面。在具體實施例中，步驟103可包括：根據兩相晶面選取兩相晶向；根據兩相晶向計算兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角；根據兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角，計算界面錯配度。在具體實施例中，兩相晶向包括兩相低指數晶向。在具體實施例中，步驟“根據兩相晶面選取兩相晶向”可包括：根據選取的兩相晶體的晶面選取兩相晶體的晶向，例如，根據Cu(100)晶面可以選取Cu(100)的[010]，[011]，[001]晶向，根據γ-Fe(100)晶面可以選取γ-Fe(100)晶面的[010]，[011]，[001]晶向。圖2示出了本專利技術一實施例提供的兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角示意圖，如圖2所示，本實施例的對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角如下所述。在具體實施例中，兩相對應晶向原子夾角為銳角。在具體實施例中，步驟“根據兩相晶面確定兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角”可包括：如圖2所示，D1、D1、D1和d1、d2、d3為兩相對應晶向原子間距，θ1、θ2和θ3為兩相對應晶向原子夾角。根據兩相晶面，例如α相和β相，可以確定α相和β相對應晶向上原子間距，以及α相和β相對應晶向原子夾角。在具體實施例中，步驟“根據兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角，計算界面錯配度”可包括：判斷兩相晶體類型，例如可包括體心立方結構和面心立方結構；根據兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角，獲取基底相對應晶向原子間距、形核相對應晶向原子間距，以及基底相和形核相對應晶向原子夾角，界面錯配度計算公式如下所示：其中，(hkl)s為基底相晶面，(hkl)n為形核相晶面，[uvw]s為(hkl)s晶面上的晶向，[uvw]n為(hkl)n晶面上的晶向，為基底相沿[uvw]s晶向原子間距，為形核相沿[uvw]n晶向原子間距，θi為[uvw]s晶向和[uvw]n晶向原子夾角。由公式(1)可知，判斷晶面類型，例如基底相和形核相，根據步驟“根據兩相晶面確定兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角”可確定基底相[uvw]n晶向原子間距形核相[uvw]n晶向原子間距以及基底相[uvw]n晶向和形核相[uvw]n晶向原子夾角θi，帶入公式(1)可計算界面錯配度。在具體實施例中，步驟“根據兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角，計算界面錯配度”可包括：界面錯配度計算公式如下所示：其中，ai為α相原子間距，bi為β相原子間距，θi為α相和β相對應晶向原子夾角，兩相例如可以包括α相和β相。在具體實施例中，步驟“根據兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角，計算界面錯配度”可包括：根據兩相對應晶向原子間距，獲取對角邊晶向錯配度；根據兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角，獲取兩邊晶向錯配度；根據對角邊晶向錯配度和兩邊晶向錯配度，獲取界面錯配度。在具體實施例中，界面錯配度計算公式如下所示：對角邊晶向錯配本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種界面關系判斷方法，其特征在于，包括：/n獲取兩相晶體結構；/n根據所述兩相晶體結構選取兩相晶面；/n根據所述兩相晶面計算界面錯配度；/n根據所述界面錯配度判斷界面關系。/n

【技術特征摘要】
1.一種界面關系判斷方法，其特征在于，包括：
獲取兩相晶體結構；
根據所述兩相晶體結構選取兩相晶面；
根據所述兩相晶面計算界面錯配度；
根據所述界面錯配度判斷界面關系。


2.根據權利要求1所述的判斷方法，其特征在于，還包括：根據所述界面關系獲取界面關系數據庫。


3.根據權利要求1或2任一所述的判斷方法，其特征在于，所述兩相包括α相和β相。


4.根據權利要求1或2任一所述的判斷方法，其特征在于，所述兩相晶面包括兩相低指數晶面。


5.根據權利要求1或2任一所述的判斷方法，其特征在于，所述根據所述兩相晶面計算界面錯配度，包括：
根據所述兩相晶面選取兩相晶向；

【專利技術屬性】
技術研發人員：張志波，溫麗濤，
申請(專利權)人：廣東省材料與加工研究所，
類型：發明
國別省市：廣東;44