一種用于非晶納米晶制造的加熱裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術涉及一種用于非晶納米晶制造的加熱裝置，包括工作臺，工作臺上設有上箱體和可水平移動的下箱體，上箱體的內部設有發熱件，上箱體的底部和下箱體的頂部均形成為敞口，上箱體的下方的前內壁、后內壁、右內壁以及左外壁上均設有凸起部，上箱體的敞口的左側設有入口，左外壁上的凸起部設在入口的上方；下箱體的上方的前外壁、后外壁、右外壁以及左內壁上均設有配合部。本發明專利技術采用可分離或結合的上箱體和下箱體對非晶納米晶進行加熱，操作簡單方便，從而提高了工人作業的安全性和工作效率。由于設置了配合部和凸起部的結構，可以保證結合后的上箱體和下箱體密封性良好，熱量不易流失，具有良好的加熱效果。

A heating device for manufacturing amorphous nanocrystals

【技術實現步驟摘要】
一種用于非晶納米晶制造的加熱裝置
本專利技術涉及非晶納米晶制造設備
，具體的說是一種用于非晶納米晶制造的加熱裝置。
技術介紹
非晶納米晶在加熱處理時，為提高非晶納米晶材料的加熱效果，加熱用的箱體大多是一體式的，這種箱體密封性較好且能夠保證內部熱量集中。但是，這就導致箱體較為笨重，加熱結束后，需要人工將非晶納米晶材料從箱體內取出，操作繁瑣且危險性高，不利于工人的安全作業，且工作效率低下。
技術實現思路
為了避免和解決上述技術問題，本專利技術提出了一種用于非晶納米晶制造的加熱裝置。本專利技術所要解決的技術問題采用以下技術方案來實現：一種用于非晶納米晶制造的加熱裝置，包括工作臺，所述工作臺上設有上箱體和可水平移動的下箱體，所述上箱體的內部設有發熱件，所述上箱體的底部和下箱體的頂部均形成為敞口，其中，所述上箱體的下方的前內壁、后內壁、右內壁以及左外壁上均設有凸起部，所述上箱體的敞口的左側設有入口，所述左外壁上的凸起部設在入口的上方；所述下箱體的上方的前外壁、后外壁、右外壁以及左內壁上均設有配合部，所述下箱體被構造成當所述下箱體水平移動后可通過入口進入上箱體內，此時所述下箱體的配合部可與上箱體的凸起部相配合。在一些實施例中，所述凸起部包括自上而下間隔開的第一凸部和第二凸部、與第一凸部相連的第一凹槽、連接第二凸部的第二凹槽，其中所述第一凸部和第二凸部均上端形成為平直面且底部形成為傾斜面。在一些實施例中，所述第一凸部和第二凸部距離上箱體的內側壁或外側壁的距離依次增加。>在一些實施例中，所述上箱體和下箱體在工作臺設為兩組，所述上箱體均連接在工作臺上，所述工作臺上設有驅動機構，所述驅動機構驅動兩個下箱體水平移動。在一些實施例中，所述驅動機構包括：轉盤，所述轉盤可樞轉地設在工作臺上，所述轉盤上設有驅動圓柱；驅動板，所述驅動板上設有沿其長度方向設置的滑槽，所述驅動圓柱配合在滑槽內，所述驅動板的兩端分別連接在兩組下箱體上；驅動電機，所述驅動電機設在工作臺的下方，所述驅動電機的轉軸穿過工作臺與轉盤相連。在一些實施例中，所述發熱件為電熱絲或電熱管。本專利技術的有益效果是：本專利技術采用可分離或結合的上箱體和下箱體對非晶納米晶進行加熱，操作簡單方便，從而提高了工人作業的安全性和工作效率。由于設置了配合部和凸起部的結構，可以保證結合后的上箱體和下箱體密封性良好，熱量不易流失，具有良好的加熱效果。附圖說明下面結合附圖和實施例對本專利技術進一步說明。圖1為本專利技術的主視圖；圖2為圖1的I處局部放大示意圖；圖3為本專利技術的俯視圖；圖4為本專利技術的上箱體和下箱體配合的示意圖。具體實施方式為了使本專利技術實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面對本專利技術進一步闡述。如圖1至圖4所示一種用于非晶納米晶制造的加熱裝置，包括工作臺1，所述工作臺1上設有上箱體2和可水平移動的下箱體3，所述上箱體2的內部設有發熱件4，所述上箱體2的底部和下箱體3的頂部均形成為敞口，其中，所述上箱體2的下方的前內壁、后內壁、右內壁以及左外壁上均設有凸起部5，所述上箱體2的敞口的左側設有入口2a，所述左外壁上的凸起部5設在入口2a的上方；所述下箱體3的上方的前外壁、后外壁、右外壁以及左內壁上均設有配合部6，所述下箱體3被構造成當所述下箱體3水平移動后可通過入口2a進入上箱體2內，此時所述下箱體3的配合部6可與上箱體2的凸起部5相配合。在一些實施例中，所述凸起部5包括自上而下間隔開的第一凸部51和第二凸部52、與第一凸部51相連的第一凹槽53、連接第二凸部52的第二凹槽54，其中所述第一凸部51和第二凸部52均上端形成為平直面且底部形成為傾斜面。在一些實施例中，所述第一凸部51和第二凸部52距離上箱體2的內側壁或外側壁的距離依次增加。在一些實施例中，所述上箱體2和下箱體3在工作臺設為兩組，所述上箱體2均連接在工作臺1上，所述工作臺1上設有驅動機構7，所述驅動機構7驅動兩個下箱體3水平移動。通過設置兩組所述上箱體2和下箱體3，從而形成了兩個工位的操作，可以提高對非晶納米晶材料的處理效率。在一些實施例中，所述驅動機構7包括：轉盤71，所述轉盤71可樞轉地設在工作臺上1，所述轉盤71上設有驅動圓柱71a；驅動板72，所述驅動板72上設有沿其長度方向設置的滑槽72a，所述驅動圓柱71a配合在滑槽72a內，所述驅動板72的兩端分別連接在兩組下箱體3上；驅動電機73，所述驅動電機73設在工作臺1的下方，所述驅動電機73的轉軸穿過工作臺1與轉盤71相連。在一些實施例中，所述工作臺1上設有滑軌8，所述下箱體3上設有與滑軌8配合的滑塊9，滑軌8和滑塊9的配合實現下箱體3在工作臺1上的水平移動。下面描述本專利技術的使用方法：使用時，非晶納米晶材料放入到下箱體3內，驅動電機73帶動轉盤71順時針轉動，通過驅動圓柱71a在驅動板72的滑槽72a內滑動，帶動下箱體3向右移動，下箱體3的右端穿過入口2a進入到上箱體2內，當驅動圓柱71a隨轉盤71運動到右極限位置時，下箱體3的配合部6與上箱體2的凸起部5相配合，以封閉結合后的箱體，此時發熱件4通電加熱用于加熱非晶納米晶材料。由于凸起部5構成的第一凸部51、第二凸部52、第一凹槽53、第二凹槽54的構造，當凸起部5與配合部6配合時，箱體內的熱量不易從凸起部5與配合部6之間逸散出，以起到阻礙熱量流失的作用，確保非晶納米晶材料的加熱效果。加熱結束后，驅動電機73帶動轉盤71繼續順時針轉動，驅動圓柱71a從右極限位置運動到左極限位置，從而通過驅動板72帶動下箱體3向左運動，以從上箱體2中退出，從可以將非晶納米晶材料取走。本專利技術的有益效果是：本專利技術采用可分離或結合的上箱體和下箱體對非晶納米晶進行加熱，操作簡單方便，從而提高了工人作業的安全性和工作效率。由于設置了配合部和凸起部的結構，可以保證結合后的上箱體和下箱體密封性良好，熱量不易流失，具有良好的加熱效果。以上顯示和描述了本專利技術的基本原理、主要特征和本專利技術的優點。本行業的技術人員應該了解，本專利技術不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是本專利技術的原理，在不脫離本專利技術精神和范圍的前提下，本專利技術還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本專利技術內。本專利技術要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種用于非晶納米晶制造的加熱裝置，包括工作臺，其特征在于：所述工作臺上設有上箱體和可水平移動的下箱體，所述上箱體的內部設有發熱件，所述上箱體的底部和下箱體的頂部均形成為敞口，其中，/n所述上箱體的下方的前內壁、后內壁、右內壁以及左外壁上均設有凸起部，所述上箱體的敞口的左側設有入口，所述左外壁上的凸起部設在入口的上方；/n所述下箱體的上方的前外壁、后外壁、右外壁以及左內壁上均設有配合部，所述下箱體被構造成當所述下箱體水平移動后可通過入口進入上箱體內，此時所述下箱體的配合部可與上箱體的凸起部相配合。/n

【技術特征摘要】
1.一種用于非晶納米晶制造的加熱裝置，包括工作臺，其特征在于：所述工作臺上設有上箱體和可水平移動的下箱體，所述上箱體的內部設有發熱件，所述上箱體的底部和下箱體的頂部均形成為敞口，其中，
所述上箱體的下方的前內壁、后內壁、右內壁以及左外壁上均設有凸起部，所述上箱體的敞口的左側設有入口，所述左外壁上的凸起部設在入口的上方；
所述下箱體的上方的前外壁、后外壁、右外壁以及左內壁上均設有配合部，所述下箱體被構造成當所述下箱體水平移動后可通過入口進入上箱體內，此時所述下箱體的配合部可與上箱體的凸起部相配合。


2.根據權利要求1所述的一種用于非晶納米晶制造的加熱裝置，其特征在于：所述凸起部包括自上而下間隔開的第一凸部和第二凸部、與第一凸部相連的第一凹槽、連接第二凸部的第二凹槽，其中所述第一凸部和第二凸部均上端形成為平直面且底部形成為傾斜面。


3.根據權利要求1所述的一種用于非晶...

【專利技術屬性】
技術研發人員：程敬卿，王蓉蓉，
申請(專利權)人：蕪湖鼎恒材料技術有限公司，
類型：發明
國別省市：安徽;34