一種防污染片式組合擋板制造技術

本實用新型專利技術公開了一種防污染片式組合擋板，包括N個片式拼接件，片式拼接件包括平板，平板上位于第一方向上的兩個側部設有第一搭接結構，平板上位于第二方向上的兩個側部分別設有第二搭接結構和第三搭接結構，M個片式拼接件沿水平方向設置，前一片式拼接件的第二搭接結構與后一片式拼接件的第三搭接結構相連；各沿水平方向設置的片式拼接件上位于第一方向的兩側分別設有拼接組件，拼接組件包括L個沿豎直方向上設置的片式拼接件，上一片式拼接件端部的第一搭接結構與下一片式拼接件端部的第一搭接結構相連。本實用新型專利技術能實現不同尺寸的鍍膜腔體采用統一的擋板，降低制備成本，防止整片式擋板在鍍膜時的過量形變導致設備無法正常工作。

A kind of anti pollution chip combination baffle

The utility model discloses an anti pollution chip combination baffle, which comprises N chip splices, the chip splices include a flat plate, two sides of the flat plate in the first direction are provided with a first overlapping structure, two sides of the flat plate in the second direction are respectively provided with a second overlapping structure and a third overlapping structure, m chip splices are arranged in the horizontal direction, and the front one is provided with a first overlapping structure The second lapping structure of the connector is connected with the third lapping structure of the later one; the two sides of each horizontal setting of the connector in the first direction are respectively provided with a splicing component, the splicing component includes l vertical setting of the splicing component, the first lapping structure at the end of the previous splicing component is connected with the first lapping structure at the end of the next splicing component Lian. The utility model can realize the use of uniform baffles for different sizes of coating cavities, reduce the preparation cost, and prevent the equipment from working normally due to the excessive deformation of the whole baffles during coating.

【技術實現步驟摘要】
一種防污染片式組合擋板
本技術具體涉及一種防污染片式組合擋板，其能夠適用于磁控濺射設備的腔體內實現防污染。
技術介紹
立式磁控濺射鍍膜設備無論是使用平面靶還是柱形靶，由于均存在一定的發散角，會有一定比例的濺射靶材料沉積到設備的腔體上，如若不對腔體的內表面進行污染防護，沉積的材料會影響磁控濺射鍍膜設備的性能?，F有技術中常見的防污染擋板根據設備腔體的形狀做成幾大片擋板并固定在設備的腔體上以實現設備防護，但是由于濺射的粒子轟擊會導致擋板變形，可能會碰到靶材或產品，很容易引起設備故障，另外大片擋板除去沉積的材料也不是很方便。
技術實現思路
針對上述問題，本技術提出一種防污染片式組合擋板，不僅能夠實現不同尺寸的鍍膜腔體采用統一的擋板組件，從而降低制備成本，同時由于其拼接屬性，可以防止整片式擋板在鍍膜時的過量形變導致設備無法正常工作。實現上述技術目的，達到上述技術效果，本技術通過以下技術方案實現：一種防污染片式組合擋板，包括N個片式拼接件，各片式拼接件均包括平板，所述平板上位于第一方向上的兩個側部均設有第一搭接結構；所述平板上位于第二方向上的兩個側部分別設有第二搭接結構和第三搭接結構，所述第二方向與第一方向為垂直關系其中，M個片式拼接件沿水平方向順次設置，前一個片式拼接件的第二搭接結構與后一個片式拼接件的第三搭接結構相配合，實現連接；各沿水平方向設置的片式拼接件上位于第一方向的兩側分別設有拼接組件，所述拼接組件包括L個沿豎直方向上順次設置的片式拼接件，上一個片式拼接件端部的第一搭接結構與下一個片式拼接件端部的第一搭接結構相配合，實現連接；所述L、M和N滿足下列公式：(2L+1)*M＝N。作為本技術的進一步改進，所述平板兩端處的第一搭接結構朝向相對，且所述第一搭接結構為L型，包括第一段和第二段；所述第一段垂直于所述平板設置，其一端與所述平板相連，另一端與所述第二段的一端相連；所述第二段平行于平板設置，第二段上遠離第一段的一端處于自由狀態。作為本技術的進一步改進，所述第二搭接結構位于所述平板之外，其包括順次相連的第三段、第四段和第五段；所述第三段垂直于所述平板設置，其一端與所述平板相連；所述第四段平行于所述平板設置，其一端與所述第三段的另一端相連；所述第五段垂直于所述平板設置，其一端與所述第四段的另一端相連，另一端處于自由狀態；所述第三搭接結構包括第六段，所述第六段垂直于所述平板設置，一端與所述平板相連，另一端處于自由狀態。作為本技術的進一步改進，各第一搭接結構上均設有兩個通孔，所述平板上與各第一搭接結構上通孔對應位置處也設有通孔。作為本技術的進一步改進，所述平板上各通孔的中心順次相連構成的圖形為梯形。作為本技術的進一步改進，所述平板上各通孔的中心順次相連構成的圖形為等腰梯形。作為本技術的進一步改進，所述平板、第一搭接結構、第二搭接結構和第三搭接結構為一體成型。作為本技術的進一步改進，所述平板、第一搭接結構、第二搭接結構和第三搭接結構均由不銹鋼或鋁合金制成。作為本技術的進一步改進，所述平板的厚度為0.5mm-5mm。作為本技術的進一步改進，所述平板為正方形結構，其邊長為50mm-500mm。與現有技術相比，本技術的有益效果：本技術提出了一種防污染片式組合擋板，不僅能夠實現不同尺寸的鍍膜腔體采用統一的擋板組件，從而降低制備成本，同時由于其拼接屬性，可以防止整片式擋板在鍍膜時的過量形變導致設備無法正常工作。附圖說明圖1是本技術的一種實施例的片式拼接件的俯視圖；圖2是圖1中片式拼接件沿著A方向的剖面圖；圖3是圖1中片式拼接件沿著B方向的剖面圖；圖4是本技術一種實施例的片式拼接件在水平方向上的拼接示意圖；圖5是本技術一種實施例的片式拼接件在豎直方向上的拼接示意圖。具體實施方式為了使本技術的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合實施例，對本技術進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本技術，并不用于限定本技術。下面結合附圖對本技術的應用原理作詳細的描述?，F有技術中的防污染擋板根據腔體設備的形狀做成幾大片擋板并固定在設備的腔體上以實現設備防護，但是由于濺射的粒子轟擊會導致擋板變形，可能會碰到靶材或產品，很容易引起設備故障，另外大片擋板除去沉積的材料也不是很方便，為此，本技術提出了一種防污染片式組合擋板，不僅能夠實現不同尺寸的鍍膜腔體采用統一的擋板組件，從而降低制備成本，同時由于其拼接屬性，可以防止整片式擋板在鍍膜時的過量形變導致設備無法正常工作。具體地，如圖1-3所示，所述防污染片式組合擋板，包括：N個片式拼接件，N的具體值由鍍膜設備的腔體尺寸來決定；各片式拼接件均包括平板1，優選地，所述平板1厚度為0.5mm-5mm，其橫截面呈正方形，邊長為50mm-500mm；所述平板1上位于第一方向(即圖1中的A方向)的兩個側部均設有第一搭接結構2，各第一搭接結構2上均設有兩個通孔，所述平板1上與各第一搭接結構2上通孔對應位置處也設有通孔5；為了提高本技術組合擋板的結構穩定性，所述平板1上各通孔5的中心順次相連構成的圖形為梯形；進一步優選地，所述平板1上各通孔的中心順次相連構成的圖形為等腰梯形；在本技術的一種具體實施例中，所述平板1兩端處的第一搭接結構2朝向相對，且所述第一搭接結構2為L型，包括第一段201和第二段202；所述第一段201垂直于所述平板1設置，其一端與所述平板1相連，另一端與所述第二段202的一端相連；所述第二段202平行于平板1設置，第二段202上遠離第一段201的一端處于自由狀態；所述平板1上位于第二方向(即圖1中的B方向)上的兩個側部分別設有第二搭接結構3和第三搭接結構4，所述第二方向與第一方向為垂直關系；在本技術的一種具體實施例中，所述第二搭接結構3位于所述平板1之外，其橫截面呈U型，包括順次相連的第三段301、第四段302和第五段303；所述第三段301垂直于所述平板1設置，其一端與所述平板1相連；所述第四段302的延伸方向與平板1的延伸方向相反，其平行于所述平板1設置，一端與所述第三段301的另一端相連；所述第五段303垂直于所述平板1設置，其一端與所述第四段302的另一端相連，另一端處于自由狀態；所述第三搭接結構4包括第六段，所述第六段垂直于所述平板1設置，一端與所述平板1相連，另一端處于自由狀態；優選地，所述第六段的長度與所述第五段303的長度相等；其中，如圖4所示，M個片式拼接件沿水平方向順次設置，且各沿水平方向設置的片式拼接件均采用螺釘安裝，各沿著水平方向設置的片式拼接件的擺放朝向均相同，前一個片式拼接件的第二搭接結構3與后一個片式拼接件的第三搭接結構本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種防污染片式組合擋板，其特征在于，包括N個片式拼接件，各片式拼接件均包括平板，所述平板上位于第一方向的兩個側部均設有第一搭接結構；所述平板上位于第二方向上的兩個側部分別設有第二搭接結構和第三搭接結構，所述第二方向與第一方向為垂直關系；/n其中，M個片式拼接件沿水平方向順次設置，前一個片式拼接件的第二搭接結構與后一個片式拼接件的第三搭接結構相配合，實現連接；/n各沿水平方向設置的片式拼接件上位于第一方向的兩側分別設有拼接組件，所述拼接組件包括L個沿豎直方向上順次設置的片式拼接件，上一個片式拼接件端部的第一搭接結構與下一個片式拼接件端部的第一搭接結構相配合，實現連接；/n所述L、M和N滿足下列公式：/n(2L+1)*M＝N。/n

【技術特征摘要】
1.一種防污染片式組合擋板，其特征在于，包括N個片式拼接件，各片式拼接件均包括平板，所述平板上位于第一方向的兩個側部均設有第一搭接結構；所述平板上位于第二方向上的兩個側部分別設有第二搭接結構和第三搭接結構，所述第二方向與第一方向為垂直關系；
其中，M個片式拼接件沿水平方向順次設置，前一個片式拼接件的第二搭接結構與后一個片式拼接件的第三搭接結構相配合，實現連接；
各沿水平方向設置的片式拼接件上位于第一方向的兩側分別設有拼接組件，所述拼接組件包括L個沿豎直方向上順次設置的片式拼接件，上一個片式拼接件端部的第一搭接結構與下一個片式拼接件端部的第一搭接結構相配合，實現連接；
所述L、M和N滿足下列公式：
(2L+1)*M＝N。


2.根據權利要求1所述的一種防污染片式組合擋板，其特征在于：所述平板兩端處的第一搭接結構朝向相對，且所述第一搭接結構為L型，包括第一段和第二段；
所述第一段垂直于所述平板設置，其一端與所述平板相連，另一端與所述第二段的一端相連；
所述第二段平行于平板設置，第二段上遠離第一段的一端處于自由狀態。


3.根據權利要求2所述的一種防污染片式組合擋板，其特征在于：所述第二搭接結構位于所述平板之外，其包括順次相連的第三段、第四段和第五段；
所述第三段垂直于所述平板設置，其一端與所述平板相連；
所述第四段平行于所述平板設...

【專利技術屬性】
技術研發人員：馮斌，王德苗，金浩，顧為民，顧駿，
申請(專利權)人：蘇州求是真空電子有限公司，
類型：新型
國別省市：江蘇;32