The invention discloses a preparation method of a high-power sensitive ceramic electrode, which comprises the following steps: after cleaning, drying and baking the sensitive ceramic substrate, a transition layer is coated by sputtering process in turn, and a protective layer against oxidation of the transition layer is coated by sputtering process on the transition layer, and then wires are made. A thick layer of silver paste or copper paste is used for sintering. Compared with the traditional screen-printed electrode process and the pure sputtering electrode process, the invention has the advantages of strong adhesion of the film layer, high voltage resistance, high power endurance of the electrode and low production cost.
【技術實現步驟摘要】
一種大功率敏感陶瓷電極的制備方法
本專利技術涉及一種大功率敏感陶瓷電極的制備方法,屬于陶瓷金屬化
技術介紹
幾乎所有敏感陶瓷都需要在其表面制作電極層,現有技術主要有絲網印刷銀漿再燒結法、等離子噴涂法以及濺射法幾種方法。絲印-燒結法是將銀漿直接印刷到陶瓷表面再進行高溫燒結,由于銀與陶瓷的膨脹系數嚴重失調,銀膜與陶瓷的結合力很差,燒結中銀會滲透到陶瓷的晶粒晶界導致耐壓降低;等離子噴涂法極易引起爆炸,有嚴重安全隱患;濺射法是采用磁控濺射技術在陶瓷表面分別濺射過渡層以及銀層或銅層,過渡層能很好的匹配金屬與陶瓷,從而提高了膜層與陶瓷的結合力,降低了接觸電阻并提高了產品的品質,銀層或銅層則具有較好的導電性和焊接性。濺射法在近幾年得到廣泛的應用,但是,對于大功率敏感陶瓷來說,其銀層需要幾十微米厚度才能承受幾十甚至上千安培的工作電流或者浪涌電流。眾所周知,磁控濺射的沉積速率不大,要在陶瓷表面濺射沉積幾十微米厚的膜層,需要很長的時間,生產效率較低,而且,由于濺射粒子的動能大,沉積這么厚的膜層會導致陶瓷基片的溫升很高,只能通氮氣等冷卻氣體來冷卻基片才能保證取出鍍件時不被氧化,這又延長了鍍膜周期,增加了生產成本。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是,提供一種膜層結合力強、耐壓高、成本低的用于制備大功率敏感陶瓷電極的制備方法。為解決上述技術問題,本專利技術采用的技術方案為:一種大功率敏感陶瓷電極的制備方法,包括以下步驟:(1)將敏感陶瓷基片進行清洗、甩干以及烘烤除氣;(2)將敏感陶瓷基片裝入掩膜夾具,置于濺射儀中,當真空度達到10-3Pa量級后,動態充以3*10- ...
【技術保護點】
1.一種大功率敏感陶瓷電極的制備方法,其特征是,包括以下步驟:(1)將敏感陶瓷基片進行清洗、甩干以及烘烤除氣;(2)將敏感陶瓷基片裝入掩膜夾具,置于濺射儀中,當真空度達到10?3Pa量級后,動態充以3*10?1Pa?8*10?1Pa的氬氣,濺射鍍覆厚度為800A?5000A的金屬過渡膜層;(3)在同一真空周期內,保持氬氣壓不變,在上述過渡膜層上濺射鍍覆厚度0.15μm?2μm的防氧化保護膜層;(4)取出敏感陶瓷基片后,采用絲網印刷工藝在保護膜層上印刷厚度為6μm?20μm的銀漿、銅漿或銅銀合金漿料中的任一種;(5)在680℃?860℃的隧道窯爐中,對于絲印銀漿的工件在大氣條件下燒結半小時及以上;對于絲印銅漿或銀銅合金漿的工件在氮氣保護氣氛下燒結半小時及以上。
【技術特征摘要】
1.一種大功率敏感陶瓷電極的制備方法,其特征是,包括以下步驟:(1)將敏感陶瓷基片進行清洗、甩干以及烘烤除氣;(2)將敏感陶瓷基片裝入掩膜夾具,置于濺射儀中,當真空度達到10-3Pa量級后,動態充以3*10-1Pa-8*10-1Pa的氬氣,濺射鍍覆厚度為800A-5000A的金屬過渡膜層;(3)在同一真空周期內,保持氬氣壓不變,在上述過渡膜層上濺射鍍覆厚度0.15μm-2μm的防氧化保護膜層;(4)取出敏感陶瓷基片后,采用絲網印刷工藝在保護膜層上印刷厚度為6μm-20μm的銀漿、銅漿或銅銀合金漿料中的任一種;(5)在680℃-860℃的隧道窯爐中,對于絲印銀漿的工件在大氣條件下燒結半小時及以上;對于絲印銅漿或銀銅合金漿的工件在氮氣保護氣氛下燒結半小時及以上。...
【專利技術屬性】
技術研發人員:王德苗,金浩,馮斌,顧駿,顧為民,
申請(專利權)人:蘇州求是真空電子有限公司,
類型:發明
國別省市:江蘇,32
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。