酸性蝕刻液再生處理系統技術方案

本發明專利技術公開了一種酸性蝕刻液再生處理系統，涉及蝕刻技術領域，包括：電解再生裝置、吸收再生裝置、水吸收裝置、堿液吸收裝置和氧化劑調配裝置；電解再生裝置，分別與蝕刻產線以及吸收再生裝置連接，并與蝕刻產線形成閉路循環結構；吸收再生裝置，還分別與蝕刻產線和水吸收裝置連接，并與蝕刻產線形成閉路循環結構；水吸收裝置，還分別與堿液吸收裝置和氧化劑調制裝置連接；堿液吸收裝置，還與氧化劑調配裝置連接；氧化劑調配裝置，還與蝕刻產線連接。本發明專利技術可真正實現零排放、低成本的蝕刻液再生循環，達到印刷線路板PCB企業清潔生產、經濟效益提高的目標。

Acid etching solution regeneration system

The invention discloses an acidic etching solution regeneration system, relates to the technical field of etching, including an electrolytic regeneration device, absorption regeneration device, water absorption device, alkali absorption device and oxidant mixing device; electrolytic regeneration device, etching production line and connected respectively with the absorption and regeneration device, and etching production line to form closed circulation structure; absorption and regeneration device, also with the etching production line and water absorption device is connected with the production line, and etching to form closed circulation structure; water absorption device is respectively connected with the alkali absorption device and oxidant modulation device connection; alkali absorption device and oxidant mixing device connected; oxidant deployment device is connected with the etching production line. The invention can truly realize the zero emission and low cost etchant recycling cycle, and achieve the goal of cleaning production and improving the economic benefit of the printed circuit board PCB enterprises.

【技術實現步驟摘要】
酸性蝕刻液再生處理系統
本專利技術涉及蝕刻
，尤其涉及一種酸性蝕刻液再生處理系統。
技術介紹
酸性氯化銅蝕刻液因具有蝕刻速度快，穩定、易控制及容易再生等優點，廣泛應用于目前的印刷線路板(PrintedCircuitBoard，PCB)的蝕刻液工序中。酸性氯化銅蝕刻液一般用氯化銅、鹽酸、氯化鈉或氯化銨配成。在蝕刻過程中，酸性氯化銅蝕刻液中的Cu2+具有氧化性，能將線路板上的銅氧化成Cu+，其反應為：Cu+CuCl2→2CuCl(S)，反應生成的CuCl是不易溶于水的，在有過量Cl-存在下，能形成可溶性的絡離子，其反應為：2CuCl+4Cl-→2[CuCl3]2-。隨著蝕刻反應的進行，蝕刻液中的Cu+濃度不斷增大，當Cu2+消耗至一定程度后，蝕刻液的蝕刻能力就無法滿足生產需求。為了保持蝕刻能力，可以通過各種方式對蝕刻液進行再生，使Cu+重新轉變成Cu2+，繼續進行正常蝕刻。目前酸性蝕刻液再生循環處理的方法主要有以下三種：第一種是化學再生法，主要是通過添加氯酸鈉、雙氧水等作為氧化劑，使蝕刻液中的Cu+轉化為Cu2+，從而使蝕刻液恢復蝕刻能力。但是，該方法需要加入氧化劑等物質，形成增量，最終都會對外排除一部分酸性蝕刻廢液，不僅污染環境，還會造成大量銅和酸的浪費。第二種是萃取再生法，通過采用如磷酸三丁酯(TBP)等萃取劑，從酸性氯化銅蝕刻廢液中萃取亞銅離子，從而使蝕刻液再生循環利用。但是，由于酸性氯化銅萃取劑種類少，萃取效率低，易失效，且價格昂貴，使得蝕刻液再生成本過高，一般不為企業所接受。第三種方法是電化學再生法，蝕刻液在直流電的作用下，陽極發生氧化反應，將Cu+氧化成Cu2+，陰極發生還原反應，將Cu+/Cu2+還原成單質銅。電化學再生法能再生蝕刻液的同時，還可回收蝕刻過程中增加的銅，但該方法有一個致命的缺點，就是陽極會發生副反應：2Cl--2e-＝Cl2，副反應產生的Cl2是一種有強烈刺激性氣味的黃綠色劇毒氧化性氣體，對該處理方式主要有兩種，一是用氯化亞鐵或硫代硫酸鈉溶液吸收，吸收效果好但最終產生大量廢水需另外處理，二是利用蝕刻液廢液中Cu+吸收，處理廢氣的同時還可再生蝕刻液，但處理量有限。
技術實現思路
針對上述現有酸性蝕刻液再生技術中存在的不足，本專利技術提供了一種酸性蝕刻液再生處理系統，可解決現有技術中的缺陷，真正實現零排放、低成本的蝕刻液再生循環，達到PCB企業清潔生產、經濟效益提高的目標。本專利技術實施例提供了一種酸性蝕刻液再生處理系統，包括：電解再生裝置、吸收再生裝置、水吸收裝置、堿液吸收裝置和氧化劑調配裝置；所述電解再生裝置，分別與所述蝕刻產線以及所述吸收再生裝置連接，并與所述蝕刻產線形成閉路循環結構，所述電解再生裝置用于電解再生所述蝕刻產線排出的蝕刻廢液；所述吸收再生裝置，還分別與所述蝕刻產線和所述水吸收裝置連接，并與所述蝕刻產線形成閉路循環結構，所述吸收再生裝置用于恢復所述蝕刻廢液的蝕刻能力，所述水吸收裝置用于回收所述吸收再生裝置中的鹽酸以及產生稀鹽酸溶液；所述水吸收裝置，還分別與所述堿液吸收裝置和所述氧化劑調制裝置連接；所述堿液吸收裝置，還與所述氧化劑調配裝置連接，所述堿液吸收裝置用于產生次氯酸鹽溶液，所述氧化劑調配裝置用于混合所述堿液吸收裝置產生的次氯酸鹽溶液及所述水吸收裝置產生的稀鹽酸溶液，產生氧化劑；所述氧化劑調配裝置，還與所述蝕刻產線連接，將生成的氧化劑排到所述蝕刻產線。本專利技術實施例提供的一種酸性蝕刻液再生處理系統，由于第一方面，該系統中蝕刻產線與電解再生裝置互相連接形成閉路循環結構，能在再生蝕刻液的同時，還可回收蝕刻過程中增加的銅；第二方面，蝕刻產線與吸收再生裝置互相連接形成閉路循環結構，能處理部分Cl2的同時還可再生蝕刻液；第三方面，水吸收裝置用于回收吸收再生裝置中蝕刻液揮發或未完全吸收的Cl2所帶出的鹽酸，避免鹽酸的損失；第四方面，堿液吸收裝置將蝕刻電解再生副反應所產生Cl2轉化成氧化劑使用，使Cl2得到完全回收的同時節約氧化劑的用量。因此，可解決現有酸性蝕刻液再生技術中的缺陷，真正實現零排放、低成本的蝕刻液再生循環，達到PCB企業清潔生產、經濟效益提高的目標。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例，對于本領域技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本專利技術一實施例提供的酸性蝕刻液再生處理系統的結構示意圖；圖2為本專利技術一實施例提供的酸性蝕刻液再生處理系統中的電解再生裝置的結構示意圖；圖3為本專利技術一實施例提供的酸性蝕刻液再生處理系統中的吸收再生裝置的結構示意圖；圖4為本專利技術一實施例提供的酸性蝕刻液再生處理系統中的水吸收裝置的結構示意圖；圖5為本專利技術一實施例提供的酸性蝕刻液再生處理系統中的堿液吸收裝置的結構示意圖。具體實施方式為使得本專利技術的專利技術目的、特征、優點能夠更加的明顯和易懂，下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例，而非全部實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。參見圖1，圖1為本專利技術一實施例提供的酸性蝕刻液再生處理系統的結構示意圖。如圖1所示，酸性蝕刻液再生處理系統，包括：電解再生裝置101、吸收再生裝置102、水吸收裝置103、堿液吸收裝置104和氧化劑調配裝置105。電解再生裝置101，分別與蝕刻產線100以及吸收再生裝置102連接，并與蝕刻產線100形成閉路循環結構，電解再生裝置101用于電解再生蝕刻產線100排出的蝕刻廢液。吸收再生裝置102，還分別與蝕刻產線100和水吸收裝置103連接，并與蝕刻產線100形成閉路循環結構。吸收再生裝置102用于恢復蝕刻廢液的蝕刻能力。水吸收裝置103用于回收所述吸收再生裝置102中的鹽酸以及產生稀鹽酸溶液。水吸收裝置103，還分別與堿液吸收裝置104和氧化劑調制裝置105連接。堿液吸收裝置104，還與氧化劑調配裝置105連接。堿液吸收裝置104用于產生次氯酸鹽溶液。氧化劑調配裝置105用于混合堿液吸收裝置104產生的次氯酸鹽溶液及水吸收裝置103產生的稀鹽酸溶液，產生氧化劑。氧化劑調配裝置105，還與蝕刻產線100連接，將生成的氧化劑排到蝕刻產線100。具體的，蝕刻產線100與電解再生裝置101互相連接，蝕刻產線100所產生的蝕刻廢液部分排到電解再生裝置101，蝕刻廢液經過電解再生后產生的再生液返回蝕刻產線100進行蝕刻工作，從而形成電解再生的閉路循環結構。進一步的，如圖2所示，圖2為本專利技術一實施例提供的酸性蝕刻液再生處理系統中的電解再生裝置的結構示意圖。電解再生裝置101包括循環缸1011、陽極室1012、陰極室1013、直流電源1014、第一抽風管1015。陽極室1012與陰極室1013中間由復合隔膜相分開，并構成雙室膜電解槽。進一步的，復合隔膜電解槽內可分成若干個陰極室1013和陽極室1012，也可是多個復合隔膜電解槽并聯或串聯。其中，陽極室1012內設置有陽極板(圖2中未示出)，陰極本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種酸性蝕刻液再生處理系統，其特征在于，包括：電解再生裝置、吸收再生裝置、水吸收裝置、堿液吸收裝置和氧化劑調配裝置；所述電解再生裝置，分別與蝕刻產線以及所述吸收再生裝置連接，并與所述蝕刻產線形成閉路循環結構，所述電解再生裝置用于電解再生所述蝕刻產線排出的蝕刻廢液；所述吸收再生裝置，還分別與所述蝕刻產線和所述水吸收裝置連接，并與所述蝕刻產線形成閉路循環結構，所述吸收再生裝置用于恢復所述蝕刻廢液的蝕刻能力，所述水吸收裝置用于回收所述吸收再生裝置中的鹽酸以及產生稀鹽酸溶液；所述水吸收裝置，還分別與所述堿液吸收裝置和所述氧化劑調制裝置連接；所述堿液吸收裝置，還與所述氧化劑調配裝置連接，所述堿液吸收裝置用于產生次氯酸鹽溶液，所述氧化劑調配裝置用于混合所述堿液吸收裝置產生的次氯酸鹽溶液及所述水吸收裝置產生的稀鹽酸溶液，產生氧化劑；所述氧化劑調配裝置，還與所述蝕刻產線連接，將生成的氧化劑排到所述蝕刻產線。

【技術特征摘要】
1.一種酸性蝕刻液再生處理系統，其特征在于，包括：電解再生裝置、吸收再生裝置、水吸收裝置、堿液吸收裝置和氧化劑調配裝置；所述電解再生裝置，分別與蝕刻產線以及所述吸收再生裝置連接，并與所述蝕刻產線形成閉路循環結構，所述電解再生裝置用于電解再生所述蝕刻產線排出的蝕刻廢液；所述吸收再生裝置，還分別與所述蝕刻產線和所述水吸收裝置連接，并與所述蝕刻產線形成閉路循環結構，所述吸收再生裝置用于恢復所述蝕刻廢液的蝕刻能力，所述水吸收裝置用于回收所述吸收再生裝置中的鹽酸以及產生稀鹽酸溶液；所述水吸收裝置，還分別與所述堿液吸收裝置和所述氧化劑調制裝置連接；所述堿液吸收裝置，還與所述氧化劑調配裝置連接，所述堿液吸收裝置用于產生次氯酸鹽溶液，所述氧化劑調配裝置用于混合所述堿液吸收裝置產生的次氯酸鹽溶液及所述水吸收裝置產生的稀鹽酸溶液，產生氧化劑；所述氧化劑調配裝置，還與所述蝕刻產線連接，將生成的氧化劑排到所述蝕刻產線。2.根據權利要求1所述的酸性蝕刻液再生處理系統，其特征在于，所述電解再生裝置包括：陽極室、陰極室、直流電源、循環缸以及第一抽風管；所述陽極室與所述陰極室構成雙室膜電解槽；所述陽極室內設置有陽極板，所述陰極室內設置有陰極板，所述陽極板和所述陰極板分別與所述直流電源連接；所述陽極室與所述蝕刻產線連接，并形成閉路循環結構，所述陽極室還通過所述第一抽風管與所述吸收再生裝置連接；所述陰極室與所述循環缸連接，并形成閉路循環結構；所述循環缸與所述蝕刻產線連接，所述循環缸還與所述陽極室連接。3.根據權利要求2所述的酸性蝕刻液再生處理系統，其特征在于，所述電解再生裝置還包括：銅粉回收裝置；所述銅粉回收裝置與所述陰極室相連，并形成閉路循環結構，用于回收蝕刻過程中增加的銅。4.根據權利要求1所述的酸性蝕刻液再生處理系統，其特征在于，所述吸收再生裝置包括：至少2個第一射流器、至少2個第一循環泵、第二抽風管、射流吸收缸以及檢測裝置；所述第一射流器的進氣口與所述第一抽風管的排氣口連接，所述第一射流器的進水口與所述射流吸收缸的底部連接，所述第一射...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李建光，崔磊，張良，盧江峰，劉智凱，
申請(專利權)人：深圳市潔馳科技有限公司，昆山市潔馳環保科技發展有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東,44